ST说明书大全

L9954LXP是ST公司的多功能车门执行器驱动器，该器件具有3个半桥，2个可配置的高侧驱动器和1个高侧驱动器，可为0.75 A、1.5 A、0.35 A和6 A负载提供驱动。

文件类型: PDF 大小:506 KB

VND5E025BK-E是一款双通道高侧驱动器，集成各种保护功能，采用ST独有的VIPower™M0-5技术制造，适用于汽车应用。

文件类型: PDF 大小:573 KB

该文件介绍了一款正在开发或评估中的新产品的初步信息。该产品是用于汽车车身电子应用的32位MCU系列产品，采用Power Architecture®技术。具有高性能的48 MHz e200z0h CPU，可变长度编码（VLE），高容量的闪存和数据存储，丰富的中断和定时器功能，以及多种通信接口。

文件类型: PDF 大小:758 KB

L99PM62XP是一种具有LIN和高速CAN功能的电源管理IC，具有超低静态电流、可编程复位发生器、配置窗口看门狗和故障输出等特性。

文件类型: PDF 大小:1372 KB

VNL5160N3-E and VNL5160S5-E are monolithic devices, made using STMicroelectronics® VIPower® Technology, intended for driving resistive or inductive loads with one side connected to the battery.

文件类型: PDF 大小:498 KB

VNQ5E050MK-E是一种用于汽车应用的四通道高侧驱动器，具有模拟电流感应和诊断功能。它具有电源限制、低待机电流、优化的电磁辐射和电磁抗扰能力等特点。

文件类型: PDF 大小:593 KB

该数据手册介绍了VND5E025MK-E双通道高侧驱动器的功能特性，包括电源管理、诊断功能、保护功能以及应用

文件类型: PDF 大小:572 KB

TDA7718N 3波段汽车音频处理器具有6个独立的音频输入，可对输入信号进行调节，包括调节音量、高低频和超低频，可提供强劲的音响效果

文件类型: PDF 大小:544 KB

双通道高侧驱动器，带有模拟电流检测，用于汽车应用

文件类型: PDF 大小:900 KB

VN5E160AS-E是一款汽车应用的单通道高侧驱动器，具有功率限制的开机电流主动管理、极低待机电流、3.0 V CMOS兼容输入、优化的电磁辐射、极低电磁敏感性等特点。

文件类型: PDF 大小:793 KB

VN800PS-E 高侧驱动器

文件类型: PDF 大小:368 KB

1

文件类型: PDF 大小:0 KB

该产品为VNN3NV04P-E, VNS3NV04P-E OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET，具有线性电流限制、热关断、短路保护、集成夹钳、低输入电流、诊断反馈、ESD保护、直接访问MOSFET栅极等特性

文件类型: PDF 大小:279 KB

该数据手册详细介绍了 OMNIFET II 完全自动保护型功率 MOSFET VNN7NV04P-E 和 VNS7NV04P-E 的特性，包括线性电流限制、热关断、短路保护、集成钳位、低输入引脚电流、诊断反馈、静电保护、直接访问功率 MOSFET 的栅极 (模拟驱动)，以及与标准功率 MOSFET 在 2002/95/EC 欧盟指令中的兼容性。

文件类型: PDF 大小:407 KB

VN5E010MH-E是ST公司生产的一款单通道高侧驱动器，采用ST专有的VIPower M0-5技术制造，外壳为小巧的HPAK封装。VN5E010MH-E旨在驱动12 V汽车接地的负载，提供保护、诊断和与任何微控制器之间的简单3 V和5 V CMOS兼容接口。该器件集成了先进的保护功能，如短路保护、过压保护、欠压关断、过流保护和热关断。

文件类型: PDF 大小:803 KB

VNH5019A-E是STMicroelectronics推出的一款汽车全桥电机驱动器。该产品具有30A输出电流，采用ECOPACK®封装，支持3V CMOS兼容输入，并在高、低侧均集成了热关断功能。此外，该产品还具备过压保护、欠压保护、交叉导通保护、电流限制、极低待机功耗、PWM操作、过流保护、反向极性保护等功能。

文件类型: PDF 大小:509 KB

这是一个关于 VND5004B-E VND5004BSP30-E 的PDF文件，它是一款双4mΩ高侧驱动器，带有模拟电流检测，适用于汽车应用。它具有以下特点：电源限制，非常低的待机电流，3.0 V CMOS兼容输入，优化的电磁发射，非常低的电磁敏感性，符合2002/95/EC欧洲指令。诊断功能包括比例负载电流检测，电流检测禁用，热关断指示。保护功能包括欠压关断，过压钳位，负载电流限制，热关断，快速热瞬态自限，对地丢失保护，VCC丢失保护，电池反接保护，自开关电源MOSFET（参见图22），静电放电保护应用。适用于各种电阻性、感性和电容性负载，适用于电源管理应用。

文件类型: PDF 大小:534 KB

该文档是关于VNN1NV04P-E, VNS1NV04P-E OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET的说明文档，介绍了产品的特点特性，包括线性电流限制、热关断、短路保护、集成钳位、低电流从输入引脚、诊断反馈通过输入引脚、ESD保护、直接访问功率MOSFET栅极（模拟驱动）等。

文件类型: PDF 大小:415 KB

该数据表为L99H01产品的生产数据信息，该产品是一款用于汽车应用的DC-motor驱动器，支持6V到28V的电压，支持100%的占空比，带有反向电池保护MOSFET，支持PWM操作，带有SPI接口和电流感应放大器。

文件类型: PDF 大小:1000 KB

1

文件类型: PDF 大小:0 KB