ST说明书大全

ST VNQ600A 数据手册

VNQ600A是一种四通道高侧固态继电器,具有直流短路电流为25A,CMOS兼容输入,比例负载电流感应,欠压和过压关闭,过压限制,热故障关闭,电流限制等特点。

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ST VNQ810 数据手册

VNQ810是一款四通道高侧驱动器,具有CMOS兼容输入、开漏状态输出、开路检测、短路保护等特点。

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ST VNQ810M 数据手册

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ST VNQ830 数据手册

该文件介绍了VNQ830四通道高侧驱动器的特性,包括CMOS兼容输入、开漏状态输出、开启状态开路检测、关闭状态开路检测、短路负载保护、欠压和过压关断、失去接地保护、极低待机电流和反向电池保护。

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ST VNQ830M 数据手册

VNQ830M是一款四通道高侧驱动器,具有CMOS兼容输入、开漏状态输出、开路检测、短路保护等特点。

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ST VNB14NV04, VND14NV04 VND14NV04-1, VNS14NV04 数据手册

该数据手册详细介绍了 VNB14NV04, VND14NV04, VND14NV04-1 和 VNS14NV04 这四款 Power MOSFET 的特性,包括线性电流限制、热关断、短路保护、集成钳位、低电流输入引脚、诊断反馈引脚、ESD 保护、直接访问 Power MOSFET 栅极(模拟驱动)和兼容标准 Power MOSFET 等

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ST VNS1NV04D 数据手册

VNS1NV04D是一种全自保护功率MOSFET器件,具有线性电流限制、热关断、短路保护、集成夹紧器、低输入引脚电流、通过输入引脚进行故障反馈等特点。它适用于DC至50KHz的应用,可替代标准功率MOSFET。

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ST VNS3NV04D 数据手册

VNS3NV04D是一款全自我保护功率MOSFET,具有线性电流限制、热关断、短路保护、集成夹持器等特点。

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ST L9616 数据手册

L9616是高性能的CAN总线收发器,符合ISO/DIS 11898标准,最大传输速率为1Mbit/s。该器件具有短路保护、斜坡控制以及高抗干扰性等特性。

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ST VNQ660SP 数据手册

VQN660SP 是一款四通道高侧固态继电器,具有 CMOS 兼容输入、断开负载检测、欠压和过压关断、过压钳位、热关断、电流限制、极低待机功耗、防掉地和防掉电保护等特点。

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ST L5951 数据手册

L5951是三端电源芯片,集成了J1850总线收发器,适用于汽车和工业应用。

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ST L9348 数据手册

L9348是一款单片集成的四路低侧驱动器,采用先进的多功率-BCD技术实现。它适用于驱动汽车和工业应用中的感性负载(继电器、电磁阀)。它具有广泛的输入和输出电压范围、输出电压高达40V、输出电流能力2 x 5A和2 x 3A等特点,并且具有低功耗、输出短路电流保护、实时诊断功能、过温停机、信号和电源接地损失停机等功能。

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ST L9333 数据手册

L9333 是一款单片集成的四路低侧驱动器,旨在驱动汽车或工业应用中的线路、灯或继电器。

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ST L9903 数据手册

L9903是ST公司生产的一款功率MOS驱动器,支持ISO 9141接口,具有过电压、欠电压、短路和热保护等功能,可以用于汽车电子等领域。

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ST L9826 数据手册

L9826是一款具有诊断和串行/并行输入控制功能的八通道受保护低侧驱动器。它具有450mA的输出电流能力,典型的RDSON为1.5Ω,具有输出1和2的并行控制,所有输出都可以通过SPI控制,具有复位功能。该器件还具有诊断功能,能够通过8位SPI进行诊断。它具有内在输出电压限制功能,可以保护在感性负载驱动操作时的L9826。输出1和2具有短路电流限制和热关断保护,输出3到8具有过流和短路关断保护。该器件采用SO20封装。

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ST VN750SM 数据手册

VN750SM 是一款高侧驱动器,具有 CMOS 兼容输入、开启状态开路负载检测、关闭状态开路负载检测、短路负载保护、欠压和过压关断、保护地线丢失和极低的待机电流

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ST VN820 数据手册

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ST VN920 数据手册

VN920是一款单通道高侧固态继电器。它具有CMOS兼容输入、比例负载电流检测、短路负载保护、欠压和过压关断、过压钳位、热关断、电流限制、保护接地和VCC丢失、非常低的待机功耗和反向电池保护等特点。

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ST VN920SP 数据手册

VN920SP是一款高侧单通道固态继电器,具有以下特点:CMOS兼容输入、比例负载电流检测、短路负载保护、欠压和过压关断、过压钳位、热关断、电流限制、保护电源和VCC接地丢失、待机功耗极低、反向电池保护。

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ST VNB35NV04 / VNP35NV04 / VNV35NV04 / VNW35NV04 数据手册

OMNIFET II 是 STMicroelectronics 设计的具有完全自动保护功能的功率 MOSFET。该器件采用 VIPower M0-3 技术制造,可用于替换标准功率 MOSFET,满足 DC 至 25KHz 的应用需求。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可保护芯片在恶劣环境中正常工作。通过监测输入引脚上的电压,可以检测到故障反馈。

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