ST说明书大全

该文件是关于VN750高侧驱动器的产品信息，介绍了该产品的特点和特性，包括CMOS兼容输入、开启状态开路负载检测、关闭状态开路负载检测、短路负载保护、欠压和过压关断、保护接地丢失、极低待机电流和反电池保护等。

文件类型: PDF 大小:705 KB

本文件是关于VNP35N07FI VNB35N07/VNV35N07 ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET的资料，主要介绍了产品的技术特点，包括线性电流限制、热关断、短路保护、集成钳位、低电流从输入引脚、诊断反馈通过输入引脚、ESD保护、直接访问电源MOSFET的栅极（模拟驱动）、兼容标准功率MOSFET等

文件类型: PDF 大小:148 KB

The VNB49N04, VNV49N04 are monolithic devices designed in STMicroelectronics™ VIPower™ M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

文件类型: PDF 大小:501 KB

该数据手册详细介绍了 OMNIFET VNB14N04, VNK14N04FM 和 VNV14N04 的技术特性，包括封装形式、引脚排列、电气参数、封装尺寸、应用电路等。

文件类型: PDF 大小:517 KB

该产品是一款由STMicroelectronics生产的MOSFET，具有低电阻和低电流限制，适用于DC到50KHz的应用。

文件类型: PDF 大小:487 KB

VNV28N04 是STMicroelectronics公司生产的一种功率MOS管，它具有内置的热保护、线性电流限制和过压钳位保护功能，并且可以直接控制功率MOS管的栅极。

文件类型: PDF 大小:143 KB

L9637是ST公司生产的一种带有ISO 9141接口的集成电路，具有供电电压范围广、输入和输出电压范围广、输出电流限制、低EMI等特性

文件类型: PDF 大小:176 KB

1

文件类型: PDF 大小:0 KB

L4925是ST公司生产的一款5V低压差稳压器，具有极低的静态电流、高精度的输出电压、可编程的复位脉冲延迟时间、热关断和短路保护等功能。

文件类型: PDF 大小:71 KB

TDA7454是一种新的BCD技术QUAD BRIDGE型汽车收音机放大器，适用于汽车收音机应用。它具有高效率、高输出功率能力和低辐射等特点。

文件类型: PDF 大小:351 KB

该文件介绍了TDA7386 4 x 45 W四桥汽车收音机放大器的特点和特性。

文件类型: PDF 大小:324 KB

TDA7384A 是一款 AB 类音频功率放大器，采用 Flexiwatt 25 封装，专为高端车载收音机应用而设计。基于完全互补的 PNP/NPN 配置，TDA7384A 无需引脚电容即可实现满电压摆幅输出。极其减少的边界元件使设置非常紧凑。

文件类型: PDF 大小:303 KB

L9820是Littelfuse的高侧驱动器，具有多种功能，包括诊断和保护功能、µP兼容的使能输入和待机模式

文件类型: PDF 大小:729 KB

本文件是关于VND5N07的技术手册，介绍了该产品的特点特性，包括线性电流限制、热关断、短路保护、集成夹紧、低电流从输入引脚、诊断反馈通过输入引脚、ESD保护、直接访问功率MOSFET的栅极（模拟驱动）等。

文件类型: PDF 大小:499 KB

该文件介绍了2009年3月发布的Rev 1 1/17 17 VND7N04, VND7N04-1 VNK7N04FM 'OMNIFET'全自保护功率MOSFET的特点和特性，包括线性电流限制、热关断、短路保护、集成夹紧器、低输入引脚电流、诊断反馈、ESD保护和直接访问功率MOSFET的门极（模拟驱动）。它们适用于直流到50 KHz的应用，并具有内置的热关断、线性电流限制和过压保护功能。

文件类型: PDF 大小:504 KB

该文件介绍了L9386这款具有双通道智能功率低侧开关的产品。它采用了多功率BCD技术，具有低导通电阻、内部输出钳位二极管、低电磁干扰等特点。该产品适用于汽车环境，输入与微处理器兼容，具有实时诊断和设备保护功能。

文件类型: PDF 大小:160 KB

VND10N06 / VND10N06-1 fully autoprotected Power MOSFET是STMicroelectronics 公司生产的一款MOSFET，具有线性电流限制、热关断、短路保护、集成钳位、低电流输入引脚、逻辑电平输入阈值、ESD保护、施密特触发器在输入和高噪声免疫等特点。

文件类型: PDF 大小:501 KB

VNP7N04 是一款全自动保护的功率 MOSFET。它采用 STMicroelectronics VIPower M0 技术制造，旨在替代标准的功率 MOSFET，适用于 DC 到 50 KHz 应用。该芯片内置了热关断、线性电流限制和过压钳位保护，可在恶劣的环境中保护芯片。通过监控输入引脚的电压，可以检测到故障反馈。

文件类型: PDF 大小:283 KB

VNP5N07 OMNIFET 是一种全自动保护功率 MOSFET。它具有以下特点：线性电流限制、热关断、短路保护、集成钳位、低输入电流、诊断反馈、ESD 保护、直接访问功率 MOSFET 的栅极（模拟驱动）、兼容标准功率 MOSFET 和标准 TO-220 封装。

文件类型: PDF 大小:285 KB

VNP49N04是一款全自动保护功率MOSFET，采用STMicroelectronics VIPower技术，用于替代标准功率MOSFET，适用于DC到50KHz的应用。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位保护芯片在恶劣环境中。可以通过监测输入引脚上的电压来检测故障反馈。

文件类型: PDF 大小:129 KB