ST说明书大全

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74V2G03 是一个高性能 CMOS 双 2 输入开漏 NAND 门，采用亚微米硅栅双层金属布线 C2MOS 技术制造。内部电路由 3 个阶段组成，包括缓冲输出，可提供高噪声免疫性和稳定输出。借助外部上拉电阻，器件可用于有线 AND 配置。该器件还可用作需要电流下拉的任何其他应用中的 LED 驱动器。所有输入均提供掉电保护，并且 0 至 7 V 可被输入，而无视电源电压。该器件可用于 5V 到 3V 的接口。

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74V2G02是74系列的双二输入NOR门，采用了C2MOS技术，具有高速度、低功耗、高噪声免疫、对输入电压范围宽等特点，可以用来实现逻辑运算

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74V2G00是74系列的双输入Nand门，具有高速度、低功耗、高噪声免疫、稳输出、上下电源关断保护、对0-7V输入电压无要求、可用于5V-3V电压转换等特点。

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74V1T86是CMOS工艺制作的单一独占或门，具有低功耗、高速度、输入电压范围宽、输出电压摆幅宽、输出电流大、输入输出抗干扰能力强等特点，可用于5V和3V之间接口。

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该文档介绍了74V1T80型号的高速CMOS正沿触发的D型触发器，具有反向输出。该产品具有高速、低功耗、与TTL输出兼容等特点，适用于便携式应用。

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该文件介绍了一种高速CMOS单正边沿触发的D型触发器。该触发器采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造，适用于4.5V至5.5V的工作电压范围。它具有高速、低功耗、与TTL输出兼容等特点，可用于接口5V至3V系统。

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该文件介绍了一款高速CMOS单D型锁存器的特点和特性，包括高速传输速率、低功耗、与TTL输出兼容等。该产品适用于4.5V至5.5V的工作电压范围，适用于便携式应用。

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74V1T70是采用C2MOS工艺制成的高性能高速CMOS单缓冲器，具有高噪声免疫性和稳定的输出。提供输入电源下拉保护，输入电压范围为0-7V，无需考虑电源电压。该器件可用于5V到3V的接口。

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74V1T66 是CMOS工艺制造的单向双向开关，具有高速度和低功耗特性，可在电源电压范围内进行信号转换。

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74V1T384是硅栅C2MOS技术制造的高性能CMOS单高速总线开关。

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74V1T32是74系列的单二输入OR门芯片，采用先进的C2MOS技术，高噪声免疫和稳定的输出。电压范围为0-7V，可用于5V到3V的电平接口。

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该文档介绍了74V1T14单施密特反相器的特点和特性，包括高速、低功耗、典型滞后电压、输入的掉电保护、对称输出阻抗等。

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74V1T126是一款高速CMOS单总线缓冲器，具有低功耗、与TTL输出兼容等特点。

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74V1T125单总线缓冲器（3状态）是一款高性能、低功耗、兼容TTL输出、具有电源下拉保护的CMOS器件。

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74V1T08是高性能CMOS单2输入与门，集成度高，速度快，功耗低，具有良好的抗干扰能力，可用于5V到3V电压接口

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74V1T07是CMOS逻辑门，具有高速、低功耗、兼容TTL输出、电源下拉保护、广泛的供电范围、改进的锁存免疫等特点

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74V1T05是高性能CMOS开漏单元，具有低功耗和高噪声免疫性。

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74V1T04是一种高速CMOS单反相器，具有高速、低功耗、与TTL输出兼容等特点。

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该文件介绍了74V1T03单一2输入开漏非与门的特点和特性。该产品具有高速、低功耗、兼容TTL输出、输入的电源保护、工作电压范围广等特点。

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