ST说明书大全

ST 74V1T02 数据手册

74V1T02是一个高速度CMOS SINGLE 2-INPUT NOR GATE,具有以下特点:高速度、低功耗、与TTL兼容、输入电压范围宽、输出电流对称、延时平衡和改进的锁存免疫。

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ST 74V1T00 数据手册

74V1T00是一种高速CMOS单2输入NAND门,具有高速、低功耗、兼容TTL输出、功率保护等特点。

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ST 74V1GU04 数据手册(1)

74V1GU04是一种高速CMOS单反相器,具有高速、低功耗、高噪声抗干扰、输入电源保护等特点。

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ST 74V1GU04 数据手册

74V1GU04是一种高速CMOS单反相器,采用亚微米硅栅和双层金属布线C2MOS技术制造。具有高速、低功耗、高噪声抗干扰、输入断电保护等特点,适用于模拟应用如晶体振荡器。

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ST 74V1G86 数据手册

该文件介绍了74V1G86单独的异或门的特点和特性,包括高速、低功耗、高抗噪声干扰、输入保护、对称输出阻抗、平衡传播延迟等。

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ST 74V1G80 数据手册

74V1G80是ST公司的一款高性能CMOS单正沿触发D型翻转存储器,工作电压范围为2V-5.5V,可应用于便携式设备。该器件采用SOI工艺,具有高速度、低功耗、高噪声免疫、低功耗下掉电保护、输出对称阻抗和平衡延迟等特点。

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ST 74V1G79 数据手册(1)

74V1G79是高性能CMOS单正沿触发D触发器,由亚微米硅栅极和双层金属互连C2MOS技术制造,设计工作电压范围为2V至5.5V,适用于便携式应用

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ST 74V1G79 数据手册

74V1G79是CMOS单正沿触发D触发器,工作电压为2V-5.5V,具备极高抗噪性和ESD和过压保护功能,适用于便携式应用.

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ST 74V1G77 数据手册

74V1G77是74系列的单D型锁存器,工作电压范围为2V至5.5V,可以接口5V至3V,具有ESD免疫性和瞬态过电压保护。

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ST 74V1G70 数据手册

74V1G70是CMOS SINGLE BUFFER,具有高速度、低功耗、高噪声免疫、对输入提供电源下保护等特点,可用于5V到3V接口

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ST 74V1G66 数据手册(1)

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ST 74V1G66 数据手册

74V1G66是CMOS单边开关器件,具有高速度和低电流消耗特性,可以用于电池供电设备、音频信号路由、通信系统、测试设备等应用场合。

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ST 74V1G384 数据手册

74V1G384是一款高性能CMOS单高压总线开关,工作电压范围为3V-5.5V,具有低电阻和低功耗特性。

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ST 74V1G32 数据手册

74V1G32是采用C2MOS技术制造的先进高性能CMOS单2输入或门,具有高噪声免疫性和稳定输出。所有输入均提供掉电保护,并且0至7V可以接受输入,而无需考虑电源电压。该器件可用于接口5V到3V。

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ST 74V1G14 数据手册(1)

该文档介绍了74V1G14 SINGLE SCHMITT INVERTER的特点,包括高速、低功耗、典型滞后电压、输入的掉电保护、对称输出阻抗、平衡传播延迟等。

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ST 74V1G14 数据手册

该文件介绍了74V1G14 SINGLE SCHMITT INVERTER的特性和特点,包括高速、低功耗、典型滞后电压、输入的断电保护、对称输出阻抗、平衡传播延迟等。

文件类型: PDF 大小:51 KB

ST 74V1G126 数据手册

该文档介绍了74V1G126 SINGLE BUS BUFFER(3-STATE)的特点和特性,包括高速、低功耗、高抗干扰能力、输入保护、对称输出阻抗、平衡传播延迟等。

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ST 74V1G125 数据手册

74V1G125是一种高速CMOS SINGLE BUS BUFFER,具有高速、低功耗、高噪声抗干扰、输入保护、对称输出阻抗、平衡传播延迟等特点。可用于5V到3V的接口。

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ST 74V1G08 数据手册(1)

74V1G08是高性能CMOS SINGLE 2-INPUT AND GATE,具有高速度、低功耗、高噪声免疫、上下电压范围宽等特性。

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ST 74V1G08 数据手册

74V1G08是CMOS制造的具有高噪声免疫性和稳定输出的高性能双输入AND门

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