ST说明书大全

STF817 STN817是PNP中功率晶体管，采用平面技术制造，是坚固耐用的高性能器件。

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STP7NK30Z是ST的一款N沟道300V-0.80Ω-5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET，具有非常低的寄生电容，非常好的制造可重复性，可用于高电流、高速度开关应用，如离线电源、适配器和PFC等。

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这份文件是关于STF724和STN724两款NPN中功率晶体管的，它们采用了平面技术制造，具有坚固耐用和高性能的特点。该文档详细介绍了产品的特点、特性、应用、封装形式、元件标记、极性、绝对最大额定值、温度特性、电气特性等信息。

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STF715 STN715是NPN型三极管，采用平面技术制造，具有坚固的高性能。

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STP6NK70Z是ST公司生产的一款N沟道700V - 1.5Ω - 5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™MOSFET，其特点是典型RDS(on) = 1.5 Ω，极高dv/dt能力，改进的ESD能力，100% Avalanche Rated，最小化Gate Charge，非常低的Intrinsic Capacitances，非常好的制造重复性。

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STP6NK50Z - STF6NK50Z STD6NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.93Ω - 5.6A TO-220/TO-220FP/DPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET是ST公司推出的一款高性能MOSFET器件，其典型RDS(on)为0.93Ω，非常适合于对开关速度要求较高的高电流应用，如开关电源、适配器和PFC等。

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该文件介绍了STP5NK90Z和STF5NK90Z N-CHANNEL 900V - 2Ω - 4.5A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™MOSFET的特点和特性，包括极高的dv/dt能力、改进的ESD能力、100%的雪崩额定和最小化的栅极电荷。

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STP5NK100Z - STF5NK100Z - STW5NK100Z 是 ST 公司的高压 MOSFET 产品，具有极低的 RDS(on) 和非常高的 dv/dt 能力。它适用于高电流、高速度开关应用，非常适合离线电源供应。

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STF42是一种小信号NPN晶体管，具有高电压特性和SOT-89封装，适用于视频放大器电路和电话有线接口等应用。

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该文件介绍了STF40NF06 N-CHANNEL MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、高dv/dt能力、低栅极电荷等。该产品适用于DC-DC和DC-AC转换器、电机控制、音频放大器、高电流高速开关以及电磁阀和继电器驱动等应用。

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该文件介绍了STP3NK80Z - STF3NK80Z STD3NK80Z - STD3NK80Z-1 N-CHANNEL 800V - 3.8Ω - 2.5A TO-220/FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET的特点特性。产品具有极高的dv/dt能力，100%经过雪崩测试，门电荷最小化，本征电容非常低，制造重复性非常好。

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STP3HNK90Z - STF3HNK90Z是一种N沟道超MESH™功率MOSFET，具有900V工作电压，3.5Ω的典型导通电阻，3A的额定电流。该产品具有极高的dv/dt能力，100%经过雪崩测试，门电荷最小化，固有电容非常低，制造重复性非常好。

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STF2NK60Z - STQ2NK60ZR-AP STP2NK60Z - STD2NK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 7.2Ω - 1.4A TO-220/TO-220FP/TO-92/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET 是ST公司生产的一款高性能MOSFET器件，其特点是RON典型值为7.2Ω，极高dv/dt能力，ESD改进能力，100%雪崩测试，新一代高压基准，栅极电荷最小化。适用于低功率电池充电器、开关模式低功率电源(SMPS)、低功率、镇流器、CFL(紧凑型荧光灯)等应用。

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这是ST发布的STQ2HNK60ZR-AP，STF2HNK60Z，STD2HNK60Z-1 N-CHANNEL 600V - 4.4Ω - 2.0A TO-92/TO-220FP/IPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET的数据手册。该系列产品具有极高的dv/dt能力，ESD改进能力，100%雪崩测试，新的高电压基准，门极电荷最小化等特点。

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STF2907A是一款小信号PNP晶体管，适用于便携设备，具有高增益和低饱和电压。

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STP25NM60N 是一款由第二代 MDmesh 技术制造的 N 沟道 600V 0.140 欧姆 - 20A TO-220 / FP / D² / I²PAK / TO-247 功率 MOSFET。它具有世界上最低的导通电阻和门极电荷。它非常适合最苛刻的高效转换器。

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STx25NM50N 是第二代 MDmesh 技术的产物，具有极低的导通电阻和栅极电容。适用于对效率要求最严苛的高压转换器

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STP22NM60是ST公司的一款N-CHANNEL 600V - 0.19 Ω - 22A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 MDmesh™Power MOSFET，具有低输入电容和门极电荷，100%防雪崩测试，非常适合提高高压转换器的功率密度，实现系统小型化和更高效率。

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