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STMicroelectronis的STB140NF55 STP140NF55 N-CHANNEL 55V - 0.0065 Ω - 80A TO-220/D²PAK STripFET™ II POWER MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(on)），具有广泛的应用场景，包括电机控制、高电流、开关应用和汽车环境。

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该文件介绍了ST公司生产的一系列超级MESH功率MOSFET产品的特点和特性。这些产品具有极低的导通电阻、极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、最小化的门电荷和非常低的固有电容。适用于高电流、高速开关、离线电源、适配器和PFC以及照明等应用。

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这份文档介绍了STMicroelectronics公司开发的一种新产品的初步信息。该产品是一种N沟道功率MOSFET，具有低电阻、低门电荷和反向恢复电荷。适用于汽车、消费品、电信和工业等广泛领域的开关应用。

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STP130NS04ZB是ST公司生产的一款N沟道MOSFET，其特点是RDS(on)典型值为7mΩ，100%Avalanche测试，低电容和栅极电荷，最大结温为175°C。

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STP12PF06 是STMicroelectronics 生产的一款N沟道电源MOS管，其最大特点是RDS(on) 低至0.18 欧姆，具有优异的dv/dt 能力，100% 雪崩测试，低栅极电荷，可应用于电机控制、DC-DC 和DC-AC 转换器等

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该文件介绍了一种N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻、快速开关和内置快速恢复二极管等特点。适用于桥式拓扑结构和零电压开关相位移转换器等应用。

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STP12NM50 - STP12NM50FP STB12NM50 - STB12NM50-1 N-CHANNEL 550V @ Tjmax-0.30Ω - 12A TO-220/FP/D²/I²PAK Zener-Protected SuperMESH™MOSFET 是一款高性能的MOSFET，具有出色的低阻抗、高dv/dt和优异的雪崩特性。该产品非常适合提高高压转换器的功率密度，从而实现系统小型化和更高效率。

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该文件介绍了ST的STB12NK80Z、STP12NK80Z和STW12NK80Z N沟道800V - 0.65Ω - 10.5A - TO220-D²PAK-TO247 Zener保护 SuperMESH™ MOSFET的特点和特性。产品具有极高的dv/dt能力、改进的ESD能力、100%的雪崩测试、最小化的栅极电荷、非常低的固有电容和非常好的制造重复性。

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STP16CP596是一种单片、低压、低电流的16位移位寄存器，适用于LED面板显示。它包含一个16位串行输入、并行输出的移位寄存器，以及一个16位D型存储寄存器。在输出阶段，设计了16个稳定的电流源，提供3-50mA的恒定电流驱动LED。通过外部电阻，用户可以调整STP16CP596的输出电流，从而控制LED的光强度。STP16CP596保证了16V的输出驱动能力，允许用户连接更多的串联LED。高达25 MHz的时钟频率也满足了高速数据传输的系统要求。3.3V的电压供应非常适用于与任何3.3V的微控制器接口的应用。TSSOP外露焊盘相比标准TSSOP封装，具有2.5倍的散热能力。

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STP12NK30Z是ST公司的N-CHANNEL 300V - 0.36Ω - 9A - TO-220 Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET，具有非常好的dv/dt能力，极低的寄生电容，优良的制造一致性。适用于开关电源、适配器和PFC等应用。

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STB120NF10/STP120NF10是STMicroelectronics生产的一款N-MOSFET，其特点是RDS(on)低至0.009 Ω，适合用作电源开关，可应用于电信和计算机领域。

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STB11NM60FD-1 是 ST 公司的 600V N 沟道 MOSFET ，RDS(on) 典型值为 0.45 欧姆，具有高 dv/dt 和雪崩能力，100% 雪崩测试，低输入电容和栅极充电，低栅极输入电阻，紧密的工艺控制和高制造良率。

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STP11NM60A/STP11NM60AFP/STB11NM60A-1是ST公司生产的一款N-CHANNEL 600V - 0.4Ω - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh™Power MOSFET，具有低RDS(on)、高dv/dt、低输入电容和栅极电荷、低门极输入电阻等特点。

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该文件介绍了ST公司的MDmesh™功率MOSFET产品系列，包括STP11NM60、STP11NM60FP、STB11NM60和STB11NM60-1型号。这些产品具有低导通电阻、高dv/dt和优异的雪崩特性，适用于提高高压转换器的功率密度，实现系统小型化和更高的效率。

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该文件介绍了STP11NK50Z - STP11NK50ZFP STB11NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.48Ω - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET的特点和特性，包括极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、最小化的门电荷、非常低的固有电容、非常好的制造重复性等。

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该文件介绍了STP11NK40Z、STP11NK40ZFP和STB11NK40Z三种N沟道400V功率MOSFET的特点和特性，包括极低的导通电阻、极高的dv/dt能力、100%的电流雪崩测试以及最小化的门电荷和固有电容。

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该文件介绍了一种N沟道400V - 0.44Ω - 9.5A TO-220/TO-220FP PowerMESH™II功率MOSFET的特点和特性。它具有极高的dv/dt能力，100%的雪崩测试，并且采用了新的高压基准。该产品适用于高电流、高速开关、开关模式电源、直流-交流转换器、焊接设备和不间断电源以及电机驱动器等应用。

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STP11NB40和STP11NB40FP是N沟道400V功率MOSFET，具有0.48Ω的RDS(on)，极高的dV/dt能力，100%的雪崩测试，非常低的固有电容和最小化的栅极电荷。适用于高电流、高速开关、开关模式电源、直流-交流转换器、焊接设备、不间断电源和电动驱动。

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该文件介绍了STP10NK80Z系列N沟道800V MOSFET的特点和特性，包括极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、最小化的门电荷、极低的内在电容、很好的制造重复性等。

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