ST说明书大全

该文件介绍了STP16NK65Z和STB16NK65Z-S两款N沟道650V MOSFET产品的特点和特性，包括低电阻、高dv/dt能力、100%雷电击穿测试、最小化栅极电荷、非常低的内在电容等。这些产品适用于高电流、高速开关和离线电源等应用。

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该文件介绍了STP16NK60Z、STB16NK60Z-S和STW16NK60Z三款N沟道600V超MESH MOSFET产品的特点和特性，包括极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、最小化的门电荷、非常低的固有电容和很好的制造重复性。

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STP16NF06L, STP16NF06LFP是STMicroelectronis生产的N-CHANNEL 60V - 0.07 Ω - 16A TO-220/TO-220FP STripFET™ II POWER MOSFET，具有低RDS(on)，卓越的dv/dt能力，低门极充电，低阈值驱动

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该文件介绍了STMicroelectronics公司生产的STP16NF06 STP16NF06FP N-CHANNEL 60V - 0.08 Ω - 16A TO-220/TO-220FP STripFET™ II POWER MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、高逆变特性、低栅极电荷等。

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STP16NE06L 是 STMicroelectronics 的一种 N 通道增强型单体特征尺寸 (Single Feature Size) 功率 MOSFET，其典型 RDS(on) 为 0.09 欧姆，具有 100% 的雪崩测试，最高工作温度为 175oC，具有高 dV/dt 能力。

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STP16NE06 STP16NE06FP N型60V-0.08Ω-16A-TO-220/TO-220FP STripFET功率MOSFET，具有低开通电阻、耐电击特性、高dV/dt能力等特点。适用于直流电机控制、直流-直流和直流-交流变换器、同步整流等应用。

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STP16N10L是一种N沟道功率MOS晶体管，具有100V的漏源电压，0.14Ω的典型导通电阻，16A的漏极电流，适用于高电流、高速开关、功率电机控制、DC-DC和DC-AC转换器、同步整流等应用。

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STP16CP596是STMicroelectronics生产的16位低电压低电流功率移位寄存器，主要用于LED显示屏的驱动。

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STP16CL596是ST公司的一款低压，低电流功率16位移位寄存器，可驱动LED面板显示器。其输出电流可调，可提供15-90mA的恒定电流，同时还支持16V的输出驱动能力，支持25MHz的高时钟频率。

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STP16C596是16位移位寄存器，可提供15-120mA恒定电流驱动LED。

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STP16C596是一款单片、中压、低电流的16位移位寄存器，适用于LED面板显示。它包含一个16位串行输入、并行输出的移位寄存器，进而驱动一个16位D型存储寄存器。在输出阶段，设计了16个稳定的电流源，可提供15-120mA的恒定电流来驱动LED。串行输出在时钟的下降沿改变状态，这个特殊的功能可以在时钟信号偏斜（由于串联长度过长）时提供更好的性能。通过外部电阻，用户可以调节STP16C596的输出电流，从而控制LED的光强度。STP16C596保证了16V的输出驱动能力，允许用户串联更多的LED。高时钟频率25MHz也满足系统对高速数据传输的需求。与标准的TSSOP封装相比，TSSOP裸露焊盘可以增加2.5倍的散热能力。

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STP15N06L STP15N06LFI 是STMicroelectronics生产的一款N沟道增强型功率MOS晶体管，其典型RDS(on)为0.115 欧姆。该晶体管适用于高电流、高速度开关、继电器驱动器、稳压器、DC-DC和DC-AC转换器、电机控制、音频放大器、汽车环境(喷射、ABS、气囊、灯驱动器等)。

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STP15N05L是一种N沟道增强型功率MOS管，具有低电阻、低门电荷、逻辑电平兼容输入等特点。可应用于高电流、高速开关、电机控制、音频放大器、汽车环境等领域。

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该数据表格是关于STMicroelectronis的STB150NF55 STP150NF55 STW150NF55 N-CHANNEL 55V - 0.005 Ω -120A D²PAK/TO-220/TO-247 STripFET™ II POWER MOSFET的特性介绍

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该文件介绍了一系列SuperMESH™ MOSFET产品的特点和特性，包括600V的工作电压、0.45Ω的RDS(on)、极高的dv/dt能力和100%经过雪崩测试等。这些产品适用于高电流、高速开关应用，特别适用于离线电源、适配器和功率因数校正器。

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该文件介绍了STP14NK50Z, STP14NK50ZFP, STB14NK50Z, STB14NK50Z-1, STW14NK50Z这几个型号的N沟道MOSFET产品的特点特性，包括极低的导通电阻，极高的dv/dt能力，100%的雪崩测试，最小化的门电荷，极低的内部电容，以及很好的制造重复性。

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STP14NF12和STP14NF12FP是N通道MOSFET功率晶体管，具有低门电荷和输入电容，适用于高效隔离的DC-DC转换器、UPS和电机控制等应用。

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STMicroelectronics STB14NF10 STP14NF10 STP14NF10FP N-CHANNEL 100V - 0.115 Ω - 15A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET，是STMicroelectronics公司推出的一款功率MOSFET，其特点是输入电容和栅极电荷极低，适合用作电信和计算机应用的高效率、高频隔离DC-DC转换器的主开关，也适用于对栅极驱动要求低的任何应用场合。

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STB140NF75 STP140NF75 STB140NF75-1是一种N-CHANNEL 75V - 0.0065Ω -120A D²PAK/I²PAK/TO-220 STripFET™ II POWER MOSFET。它具有低导通电阻、坚固的雪崩特性和制造可重复性高的特点。适用于高电流、高开关速度、电磁铁和继电器驱动以及汽车42V电池驱动等应用。

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