ST说明书大全

ST EN60555 应用笔记

本文详细介绍了PFC电路的工作原理和设计方法,并针对PFC电路的输入滤波问题进行了分析和探讨。

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ST AN487 Application note 数据手册

本文介绍了开关模式技术导致高效电路的发展,提供了节省空间和成本的优势。通过MULTIPOWER-BCD技术,可以在同一芯片上集成隔离功率DMOS元件、双极晶体管和CMOS逻辑。该技术特别适用于开关模式领域中的问题,具有高效率、快速切换速度和功率DMOS元件无次级击穿的特点。MULTIPOWER-BCD使得实现L497X系列全集成开关调节器成为可能,适用于工作在Buck配置的DC-DC转换器。该系列包括五种设备,它们仅在输出电流值(2A、3.5A、5A、7A、10A)上有所不同。额定为2A和3.5A的设备采用Power Dip(16+2+2)封装,而其他设备采用Multiwatt15封装。每个设备集成了一个DMOS输出功率级、控制部分、限流电流和复位信号以及用于微处理器应用的电源故障信号。输出电压可以从内部参考电压进行调节。

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ST AN557 Application note 数据手册

本应用笔记介绍了L497XA系列大电流开关稳压器IC,该系列产品采用Multipower-BCD工艺,可实现高达10A的输出电流,同时具有低功耗特点

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ST AN458 Application note 数据手册

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ST USBLC6-4SC6 数据手册

USBLC6-4SC6是一种专用于保护高速接口的应用特定离散器件,如USB2.0、以太网连接和视频线。它的线路电容非常低,可以确保高水平的信号完整性,同时保护敏感芯片免受最严格的ESD打击。

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ST USBLC6-2 数据手册

USBLC6-2是一款非常低电容ESD保护器,可保护USB2.0、Ethernet链路和视频线等高带宽接口。其非常低的电线电容可确保高水平的信号完整性,而不会影响保护敏感芯片免受最严格的ESD击穿。

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ST USBDFxxW5 数据手册

USBDFxxW5是一种集成线路终端和ESD保护的低通滤波器,可用于USB下游端口。它满足USB 1.1标准,并在50%更小的SOT323-5L封装中提供最佳EMI和ESD性能。

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ST USB6Bx DATA LINES PROTECTION 数据手册

USB6Bx是一种用于保护敏感设备的瞬态过电压保护器,适用于通用串行总线端口、RS-423接口、RS-485接口、ISDN设备、T1/E1线卡和HDSL/ADSL接口等应用。该产品具有全整流桥和集成钳位保护、6V的击穿电压、500W的峰值脉冲功率耗散和非常低的电容等特点。

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ST DB-960-90W 数据手册

DB-960-90W是一种N-通道增强型侧向场效应射频功率放大器,用于GSM/GPRS/EDGE基站应用。它具有卓越的热稳定性,工作频率范围为925-960 MHz,最小输出功率为90 W,增益为13 dB。放大器尺寸为80 mm x 50 mm x 10 mm。

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ST DB-960-70W 数据手册

该文件介绍了DB-960-70W产品,它是一款用于GSM和E-GSM基站应用的N-通道增强型侧向场效应射频功率放大器。该产品具有出色的热稳定性、共源配置、925-960 MHz范围内的最小70W输出功率和13dB的增益,以及10:1的负载失配能力。

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ST DB-960-60W 数据手册

DB-960-60W是欧洲电信公司与ETSA合作设计的高增益宽带功率放大器,额定电压为26V,最大电流为8A,最大功耗为95W,最大工作温度为+85℃。

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ST DB-915-12W 数据手册

DB-915-12W是一款常用源N沟道增强型侧向场效应射频功率放大器,设计用于GSM-R应用。它具有高增益、宽带性能,可在12V下工作,并能承受多达10:1的负载失配,谐波低于30dBc。

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ST DB-900-80W 数据手册

该文件介绍了DB-900-80W RF功放器件的特性和性能。该器件采用N沟道增强型侧向MOSFET技术,适用于IS-54/-136和IS-95基站应用。它具有优异的热稳定性,工作频率范围为869-894 MHz,最大输出功率为80W,增益为13dB。该器件还具有10:1负载驻波比能力和低于30dBc的谐波水平。

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ST DB-900-60W 数据手册

DB-900-60W是一款N通道增强型侧向场效应射频功率放大器,设计用于IS-54/-136和IS-95基站应用。它具有高增益和宽频带性能,工作在26V的公共源模式下,能够承受10:1的负载失配,并且谐波低于30dBc。

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ST DB-900-100W 数据手册

DB-900-100W是一款常用源N沟道增强型侧向场效应射频功率放大器,设计用于IS-54/-136和IS-95基站应用。它具有高增益和宽带性能,在26V的常用源模式下工作,能够承受10:1的负载失配,并且谐波低于30dBc。

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ST DB-2933-54 数据手册

该文档介绍了一个使用2个SD2933 N-通道增强型侧面MOSFET的RF功率放大器。它具有出色的热稳定性,频率范围为1.6-54MHz,供电电压为48V,输出功率为400W,输入功率为10W。效率为57%-76%,在300WPEP时的IMD小于-26dBc,负载失配为3:1的所有相位。

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ST SMP75-8 数据手册

SMP75-8是低压瞬态电压抑制器,专为保护敏感的通信设备免受雷击和其他暂态影响而设计。它具有很高的重复冲击能力、很低的等待电压和很低的漏电流。

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ST SMP30-xxx Series 数据手册(1)

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ST A NEW APPROACH TO PARAMETER EXTRACTION FOR THE SPICE POWER MOSFET MODEL 应用笔记(1)

此文件为T9i Treadmill的操作手册,主要介绍了设备的功能及使用方法

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