ST说明书大全

本文介绍了一种用于预测LDMOS直流、小信号和大信号行为的创新verilog模型。该模型简单易懂，可以较好地描述直流、小信号S参数和大信号行为，可供设计人员在开发新应用时使用。

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PM6680 双降压控制器的应用笔记，介绍了该芯片的特点特性和应用实例

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该文档介绍了一种基于ESBT™ STC03DE220HV和L6565 PWM控制器的15W宽范围开关电源应用。该应用是一种通用的、经济实惠的反激式变换器，用于计量应用，具有优秀的宽电压输入范围，从125VDC到1250VDC，使用ESBT作为主开关和准谐振PWM驱动器。

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SMP100LC-xxx系列是一种低电容瞬态浪涌抑制器，专为保护高速率通信设备而设计。其低电容可以避免信号失真，并且与数字线卡(xDSL、T1/E1、ISDN)兼容。

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本应用笔记介绍了如何在高功率应用中并联使用STGW35HF60WD 35 A、600 V超快PT IGBT，并介绍了这种器件的特性。

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本应用笔记主要介绍了STAC® boltdown封装的STAC244B和STAC265B（带法兰）封装和STAC244F和STAC265F（无法兰）封装的封装技术，以及这些封装在放大器或应用电路板（PCB）中的安装方法。

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本应用笔记介绍了功率MOSFET栅极驱动电压对单相同步降压转换器电源管理和开关行为的影响，并通过OrCAD®仿真和台架测试结果对不同功率MOSFET栅极-源极电压对转换器效率和主电路节点波形的影响进行了详细分析。

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本文档是AN3400应用说明书，介绍了CFL照明应用中BJT互补对在自激谐振驱动系统中的作用

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该文档介绍了使用STD3N62K3功率MOSFET和STD845DN40 BJT器件的电子镇流器的应用。该电子镇流器具有主动功率因数校正（PFC），谐波失真（THD）和电效率方面的优化。

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本文介绍了STMicroelectronics的MDmesh™ V系列超结技术，该技术在给定封装中提供了极低的RDS(on)值，无法在标准HV MOSFET中获得。此外，超结MOSFET在瞬态方面非常快速，当更高性能的技术替换旧版本时，可能会出现一些问题。本文对ST超结MOSFET系列的两个主要组成部分（MDmesh™ II和MDmesh™ V）进行了分析和比较，包括能量损耗、电压和电流率。同时还专门讨论了布局寄生效应及其对MOSFET行为的影响。最后得出结论，布局在管理非常快速的瞬态时至关重要，必须仔细规划，以帮助MOSFET发挥其最佳潜力。

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本应用笔记介绍了一种2 kW-100 V、123 MHz类AB峰值功率放大器（PPA）的设计，该放大器用于3 Tesla MRI应用。它几乎是以前使用标准陶瓷封装的MOSFET晶体管的放大器的输出功率的两倍。设计技术和构造实践进行了详细描述，以允许放大器的复制。

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该文档介绍了液晶显示屏的一般原理和闪烁的原因，并提出了使用STVM100（LCD VCOM校准器）自动最小化闪烁的解决方案。

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本应用笔记简要介绍了电子纸（e-paper）的基本原理，以便用户了解精确设定VCOM电压的必要性以及如何使用STMV100 VCOM校准器完成这一目标。

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本文档介绍了使用微控制器(MCU)和晶闸管控制器(TRIAC)构建的两种不同的应用:通用电机驱动和灯光调光器。

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介绍了如何测量thyristors和triacs的holding current

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该应用笔记介绍了晶闸管 (SCR) 和晶闸管 (TRIAC) 的门控电流 (IG) 和保持电流 (IL) 的概念。还提供有关测量 IG 和 IL 的步骤，以及有关 IL 与工作条件和设备灵敏度变化的说明。

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本文主要介绍了使用晶闸管控制交流电源时，电路中可能会发生的现象，以及如何通过控制晶闸管的触发方式来避免这些现象，从而保证电路正常工作。

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AN308是ST发布的Application Note，介绍了如何使用TRIAC控制电感性负载，包括了不同控制方式的介绍和分析，最后给出了一种简单的可靠的控制电路

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本文介绍了逻辑电平和无钳位TRIAC的特点特性，以及在关断时的电流关断能力

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该文件介绍了一种使用正电源的系统中实现对第二和第三象限TRIAC触发的触发电路。通过添加电容器和二极管，新的系列TRIAC可以取代传统的TRIAC。

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