ST说明书大全

ST STLC1510 数据手册

STLC1510是ST公司一款高性能调制解调器芯片,可以为ADSL提供数字部分的支持。它可以使用离散多音调(DMT)调制方式在ATM字节流和模拟前端芯片之间传输下行和上行数据。

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ST M27W801 8 Mbit (1Mb x8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM 数据手册

M27W801是8Mbit的低压UV EPROM和OTP EPROM,适用于需要大量数据或程序存储的微处理器系统,以1,048,576 8位组织。它在读模式下以2.7V至3.6V的供电电压运行,在-40至85°C的温度范围内。

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ST M27W402 4 Mbit (256Kb x16) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM 数据手册

M27W402是M27C4002的低功耗版本,工作电压范围为2.7V-3.6V,配有透明盖,可通过紫外线照射来擦除内容,支持256Kbx16的数据存储。

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ST LD1086 SERIES 数据手册

LD1086 系列是一款 1.5A 低压差正压电压调节器,可提供 1.5V 至 12V 的可调节或固定输出电压。该设备保证最大输出电流为 1.5A,输出容差为 25°C 时为 ±1%,在整个温度范围内为 ±2%。

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ST LD1084 SERIES 数据手册(2)

LD1084是低压降稳压器,能够提供高达5A的输出电流。

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ST BC547B BC547C SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS 数据手册

BC547B和BC547C是两款小信号NPN晶体管。它们是硅异质平面NPN晶体管。它们适合在通孔PCB装配中使用TO-92封装。BC547B是PNP互补型,型号为BC557B。它们适用于电视和家用电器设备。

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ST HCF4022B 数据手册

HCF4022B是4级约翰逊计数器,具有8个解码输出。输入包括时钟、复位和时钟禁止信号。时钟输入电路中的施密特触发器动作提供脉冲整形,允许无限的时钟输入脉冲上升和下降时间。如果时钟禁止信号为低,则此计数器在正时钟信号转换时将计数一次。当时钟禁止信号为高时,通过时钟线推进的计数器被禁止。高复位信号将计数器清除为其零计数。使用约翰逊十进制计数器配置允许高速操作、2输入十进制解码门控和无尖峰解码输出。提供反锁门控,从而确保正确的计数顺序。解码输出通常为低,仅在其各自的解码时间间隔内上升。每个解码输出在一个完整的时钟周期内保持高电平。一个进位输出完成一个周期。

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ST PSD834F2V 数据手册

这是一款 PSD834F2V Flash PSD,3.3V电源,可用于8位MCUs,具有2Mbit + 256Kbit双闪存存储器和64Kbit SRAM。

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ST M95256/M95128 数据手册

该文档介绍了M95256和M95128这两款256Kbit和128Kbit串行SPI总线EEPROM。这些产品具有高速时钟、单电源电压、状态寄存器、硬件保护、字节和页面写入、自定时编程周期等特点。

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ST M54HCT240/241/244 M74HCT240/241/244 数据手册

M54HCT240/241/244 是高性能 CMOS OCTAL BUS BUFFERs,由硅栅 C2MOS 工艺制造,具有 LSTTL 的高性能和真正 CMOS 低功耗。

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ST M54/M74HC192 M54/M74HC 193 数据手册

M54/M74HC192是同步上升/下降二进制计数器,M54/M74HC193是同步上升/下降十进制计数器,具有高速度、低功耗、高抗干扰能力、输出驱动能力强、输出阻抗对称、传播延迟平衡、工作电压范围宽等特点。

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ST M48Z02/M48Z12 DATA SHEET

M48Z02 M48Z12是一种16 Kbit (2Kb x 8) 零功耗静态RAM,具有自动电源故障切换和写保护功能,可无限次写入。它采用CAPHAT DIP封装,内置自给自足的电池,与JEDEC标准的2K x 8 SRAM兼容。

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ST M48T212A 3.3V TIMEKEEPER ® CONTROLLER

该文件介绍了一款新产品M48T212A,它是一个3.3V的时间控制器,可以将低功耗SRAM转换为NVRAM。该产品具有年份为2000年的兼容性,可使用超级电容器或锂电池供电。它还具有电池低电量标志、集成的实时时钟和电源故障控制电路、自动电源故障芯片去选和写保护、看门狗定时器、可编程的报警输出等特点。

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ST M34C02 数据手册

M34C02是一款2K位串行EEPROM存储器,能够永久锁定其前半部分(从00h到7Fh位置)的数据。该产品专为具有串行存在检测(Serial Presence Detect)的DRAM DIMM(双行内存模块)设计,可将有关DRAM模块配置的所有信息(如访问速度、大小、组织方式等)保持写保护在存储器的前半部分。可以使用专门设计的软件写保护机制对存储器的下半部分进行写保护。

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ST M29W040 数据手册

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ST M29W004BT M29W004BB 数据手册

该数据表格介绍了M29W004BT和M29W004BB的特点特性,包括供应商、型号、封装、供电电压、读写时间、擦除时间、存储时间、编程/擦除次数、数据保留能力等

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ST M29F100BT M29F100BB 数据手册

该数据表提供了M29F100BT和M29F100BB的基本信息,包括型号、封装、引脚定义、供电电压、工作温度范围、存储容量、读写时间等。

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ST VND05B / VND05B (011Y) / VND05B (012Y) 数据手册(1)

VND05B是一种双通道高侧智能功率固态继电器,设计用于驱动电阻性或感性负载,具有热关断、欠压保护、开路诊断输出等特点。

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ST UM0087 USER MANUAL 数据手册

本手册介绍了Turbo uPSD DK3300设计套件的内容,包括套件中包含的物品、开始使用的步骤、示例应用程序、工具的安装和使用、以及Flash和JTAG编程信息。

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