ST说明书大全

ST TPA SERIES DATA SHEET

TPA系列是TRISIL设备,专为保护敏感的电信设备免受雷电和由交流电源线引入的瞬态电压影响而设计。它们采用F126轴向封装。TRISIL设备通过crowbar动作提供双向保护。它们对瞬态过电压的特性响应使它们特别适合保护电压敏感的电信设备。

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ST STw4141 Single Coil Dual Output Step Down DC/DC Converter for Digital Base Band and Multimedia Processor Supply 数据手册

STw4141是STMicroelectonics推出的一款单线圈双输出同步降压DC/DC转换器,主要应用于数字基带和多媒体处理器电源供应。该产品采用固定频率PWM控制方式,具有高效率、低功耗、高精度和良好的线性性能。

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ST STPS80L60CY POWER SCHOTTKY RECTIFIER 数据手册

STPS80L60CY是一款功率肖特基整流器,具有非常小的导通损耗、可忽略的开关损耗、极快的开关速度、低正向电压降和低热阻。适用于CAD计算机和服务器,用于低压、高频开关电源、自由轮和极性保护应用。

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ST PeakSHDSL PeakSHDSL 8 CHANNEL CENTRAL OFFICE CHIPSET 数据手册

PeakSHDSL是STMicroelectronics提供的一种低功耗、低成本的8通道SHDSL芯片组,用于中央办公室(CO)SHDSL解决方案。该芯片组集成了从乌托邦接口到线路的所有SHDSL功能,分为三种设备:STLC80815:8通道SHDSL数据泵(SHDSL收发器),STLC60444:4通道SHDSL模拟前端,TS615:带高输出电流的双宽带运算放大器。该产品专为寻求构建成本效益高的中央办公室解决方案的客户而设计,包括数字用户线路接入多路复用器(DSLAM)和数字环路载体(DLC)。

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ST STD10NF06L N-CHANNEL 60V - 0.1Ω - 10A DPAK STripFET™ POWER MOSFET 数据手册

该数据表是STD10NF06L N-CHANNEL 60V - 0.1Ω - 10A DPAK STripFET™ POWER MOSFET 的数据表。该 MOSFET 采用 STMicroelectronics 独有的 STripFET™ 工艺,专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此,它非常适合用作电信和计算机应用的先进高效率、高频隔离 DC-DC 转换器的主开关。它还适用于对栅极驱动要求较低的任何应用。

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ST ST62T53C/T60C/T63C ST62E60C 8-BIT OTP/EPROM MCUs WITH A/D CONVERTER, SAFE RESET, AUTO-RELOAD TIMER, EEPROM AND SPI 数据手册

ST62T53C/T60C/T63C/T6E60C是ST公司生产的8位OTP/EPROM MCU,具有A/D转换器、安全复位、自动装填定时器、EEPROM和SPI等功能。

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ST ST5R00 SERIES MICROPOWER VFM STEP-UP DC/DC CONVERTER 数据手册

ST5R00系列是STMicroelectronics公司的一款低功耗升压DC/DC转换器,输入电压范围宽,输出电压可调,可用于电池供电设备中。

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ST SMP50-xxx 数据手册

SMP50-xxx系列是一种双向防护电流限制器,适用于保护电信设备免受由交流电源线引起的雷击和瞬态干扰。其特点包括电压范围从62V到270V,低电容从15pF到30pF(在50V时),低漏电流(最大IR = 2µA),保持电流(最小IH = 150mA)和重复峰值脉冲电流(IPP = 50A)。

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ST SMAJ5.0A-TR,CA-TR Data Sheet

该文件介绍了SMAJ系列TRANSILTM二极管的特点和特性,包括峰值脉冲功率、耐压范围、单向和双向类型、低压降系数、快速响应时间等。

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ST uPSD3234A, uPSD3234BV, uPSD3233B, uPSD3233BV 数据手册

uPSD3234A/B、uPSD3233B/BV是快闪可编程系统器件,内置8032微控制器核心和64 kbit SRAM。

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ST STP6NC80Z - STP6NC80ZFP STB6NC80Z - STB6NC80Z-1 N-CHANNEL 800V - 1.5Ω - 5.4A TO-220/FP/D²PAK/I²PAK Zener-Protected PowerMESH III MOSFET 数据手册

STP6NC80Z/FP是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道MOSFET。它具有800V的最大漏源电压、1.5Ω的典型漏源电阻和5.4A的最大连续漏源电流。该器件采用TO-220/FP/D²PAK/I²PAK封装。

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ST STP20NK50Z - STW20NK50Z STB20NK50Z - STB20NK50Z-S N-CHANNEL 500V -0.23Ω- 17A TO-220/D2 PAK/I 2 SPAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH MOSFET 数据手册

STB20NK50Z/STW20NK50Z是一款500V/17A的N通道MOSFET,具有极低的开关损耗和非常好的dv/dt能力,适用于各种高频开关电源应用。

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ST STV9432TAP 数据手册

该文件介绍了一款正在开发或评估中的新产品。该产品是一种多功能显示屏,包括屏幕大小和居中自动设置功能,可测量水平同步信号、垂直同步信号和视频定时信号,并具有高频率PLL以实现无抖动的显示。它还具有可编程ROM和RAM,用于显示自定义字符和文本。该产品还具有I2C总线MCU接口和PWM DAC输出等特性。

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ST STS8NF30L 数据手册

STS8NF30L是STMicroelectronics公司生产的一款低压大电流的N沟道功率MOS管,其最大电压为30V,最小导通电阻为0.018欧姆,封装形式为SO-8。

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ST STLC1511 数据手册

stlc1511是st公司推出的一款新型宽动态范围的模拟前端芯片,它采用14位nyquist速率da转换器和可编程增益放大器,支持0~-32db的传输增益和0~40db的接收增益,集成了锁相环和lc或晶体振荡器,功耗低,仅为300mw。

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ST AM83135-015 DATA SHEET

AM83135-015是安森美半导体推出的一款高功率S波段NPN射频晶体管,适用于脉冲输出和驱动应用。该晶体管具有100微秒脉宽和10%的占空比,但能够在各种脉宽、占空比和温度范围内工作,并且能够承受3:1输出VSWR和+1dB的输入过载。AM83135-015采用IMPAC™金属/陶瓷封装,内置输入/输出阻抗匹配电路,适用于军事和其他高可靠性应用。

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ST 74LX1G126 数据手册

74LX1G126是一款低压CMOS单总线缓冲器,采用亚微米硅栅极和双层金属互连C2MOS技术制造。3状态控制输入G必须设置为低电平,以将输出置于高阻状态。所有输入都具有掉电保护,并且可以从0到7V接收输入,而不管电源电压如何。此设备可用于接口5V到3V。所有输入和输出都配备了防静电保护电路。

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ST M68AW127B 数据手册

M68AW127B 1Mbit (128K x8), 3.0V Asynchronous SRAM 是 3.0V 的异步 SRAM,具有低功耗和低电压数据保持特性。它具有 128K x 8 位、低待机电流和等效周期和访问时间。

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ST M54/74HC292/7292, M54/74HC294/7294 数据手册

54/74HC292/7292 M54/74HC294/7294 是高速度 CMOS PROGRAMMABLE DIVIDER/TIMER ,采用 C2MOS 工艺制造,实现了高性能、低功耗。

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ST M28256 数据手册

M28256 256 Kbit (32Kb x8) Parallel EEPROM with Software Data Protection 是一款低功耗并行 EEPROM,具有 64 字节页写操作,支持 5V 和 3V 供电,使用 ST Microelectronics 专有的双多晶硅 CMOS 技术。

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