ST说明书大全
ST BZW04-5V8/376 BZW04-5V8B/376B Data Sheet
BZW04-5V8/376B 双向瞬态抑制二极管，最大峰值功率 400W，最大箝位电压 5.8V 到 376V。
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ST L4987 SERIES 数据手册
L4987系列是ST提供的一款非常低压降稳压器，具有关断逻辑控制功能，输出电压可选3V、3.3V、5V、8.7V、12V，输出电流可达200mA，非常适合低噪声、低功耗应用以及电池供电系统。
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ST PD55015 - PD55015S 数据手册
PD55015是一款高增益、宽带商用和工业应用的N通道增强型侧向场效应射频功率晶体管。它在12V的常用源模式下工作，工作频率高达1GHz。PD55015采用ST最新的LDMOS技术，具有优良的增益、线性度和可靠性，并且安装在首款真正的SMD塑料射频功率封装PowerSO-10RF中。PD55015的优异线性度性能使其成为汽车移动收音机的理想解决方案。PowerSO-10塑料封装旨在提供高可靠性，是ST第一款JEDEC认证的高功率SMD封装。它专为射频需求进行了优化，具有出色的射频性能和易于组装。
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ST M24C16, M24C08 M24C04, M24C02, M24C01 Data Sheet
MAX4194是一款可变增益的精密仪器放大器，具有单供电电压范围广、精确度高、增益带宽大等特点。同时还提供了三种固定增益版本：MAX4195（G = +1V/V）、MAX4196（G = +10V/V）和MAX4197（G = +100V/V）。该放大器采用传统的三个运算放大器配置，以实现最大的直流精度。MAX4194-MAX4197具有铁路对铁路输出和输入，输出可以摆动到负电源的200mV以内，摆动到正电源的1.1V以内。所有型号的功耗仅为93µA，可以从单个+2.7V至+7.5V电源或双±1.35V至±3.75V电源工作。这些放大器采用8引脚SO封装，并且规定了扩展温度范围（-40°C至+85°C）。详见MAX4198/MAX4199数据手册，了解单电源、精密差分放大器。
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ST M36W108AT M36W108AB Data Sheet
M36W108AT和M36W108AB是8Mbit(1Mb x8, Boot Block)Flash Memory和1Mbit(128Kb x8)SRAM Low Voltage Multi-Memory Product.
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ST M36L0R7050T0 M36L0R7050B0 数据手册
M36L0R7050T0/B0是128 Mbit（Multiple Bank，Multi-Level，Burst）Flash Memory和32 Mbit（2M x16）PSRAM，1.8V Supply Multi-Chip Package，支持Synchronous Burst Read mode，54MHz，Asynchronous Page Read mode，Random Access: 85ns，10µs typical Word program time using Buffer Program，Multiple Bank Memory Array: 8 Mbit Banks，Parameter Blocks（Top or Bottom location），All blocks locked at power-up，Any combination of blocks can be locked with zero latency，WPF for Block Lock-Down，Absolute Write Protection with VPPF = VSS，100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per BLOCK。
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ST M36D0R6040T0 M36D0R6040B0 数据手册
M36D0R6040T0 M36D0R6040B0 64 Mbit（4Mb x16、多重存储器、页面）Flash存储器和16 Mbit（1Mb x16）PSRAM，多芯片封装
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ST M29F800DB Data Sheet
该文档介绍了M29F800DT和M29F800DB型号的8 Mbit闪存的特点和特性，包括供电电压、访问时间、编程时间、内存块数量、编程/擦除控制器、解锁旁路编程命令等。
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ST M29F040 Data Sheet
本文档介绍了M29F040 4 Mbit单供电闪存产品的特点和特性，包括供电电压、访问时间、编程和擦除时间、块擦除、低功耗、数据保留时间等。
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ST M29F100T M29F100B DATA SHEET
M29F100T M29F100B 1 Mbit (128Kb x8 or 64Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory with fast access time, fast programming time, and low power consumption
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ST VB027ASP Data Sheet
The VB027ASP is a high voltage power integrated circuits made using STMicroelectronics Vertical Intelligent Power Technology, with vertical current flow power darlington and logic level compatible driving circuits.
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ST TSA1002 数据手册
TSA1002是一种10位的A/D转换器，采用CMOS技术制造，具有高性能和低功耗的特点。它在50Msps的采样频率下提供了9.4有效位，并具有最高72dB的SFDR。该转换器内置了参考电压，并可外部偏置。它适用于高速低功耗应用，仅在50Msps时消耗50mW。
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ST STW80NE06-10 N - CHANNEL 60V - 0.0085Ω - 80A - TO-247 STripFET ” POWER MOSFET 数据手册
这是一款STMicroelectronics公司的STW80NE06-10型号的N-CHANNEL 60V - 0.0085Ω - 80A - TO-247 STripFET ” POWER MOSFET，它具有非常低的导通电阻RDS(on)，可以用于电磁阀和继电器驱动、电机控制、音频放大器、DC-DC转换器等场合。
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ST STM6321/6322 STM6821/6822/6823/6824/6825 5-Pin Supervisor with Watchdog Timer and Push-button Reset 数据手册
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