ST说明书大全

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ST7291L 8 位微控制器具有 8/12/16/24/32K ROM、定时器、电源监视器和红外载波频率发生器

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ST24C08 , ST25C08 是 ST Microelectronics 生产的一种 8 Kbit 的 I2C 总线 EEPROM 产品。该产品具有 100 万次擦写 / 写入循环和 40 年的存储寿命。该产品提供标准版本和硬件写控制版本，标准版本的写控制由 MODE 引脚控制，硬件写控制版本的写控制由 WC 引脚控制。该产品采用 ST Microelectronics 的 Hi-Endurance Advanced CMOS 工艺制造，具有高耐久性和高性能。

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该文件介绍了KF00系列产品的特点特性，包括非常低的压差电压、非常低的静态电流、高达500mA的输出电流、逻辑控制的电子关闭功能、多种输出电压可选等。

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该文件介绍了M29W400BT和M29W400BB 4 Mbit闪存的特点和特性，包括单供电电压、存取时间、编程时间、存储块、编程/擦除控制器、擦除暂停和恢复模式、解锁旁路编程命令、临时块解锁模式、低功耗、数据保留时间、电子签名等。

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这份文件介绍了M27W512 512 Kbit (64K x8) 低压紫外线EPROM和OTP EPROM的特点和特性，包括供电电压、接入时间、低功耗、编程时间、高可靠性等。

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ST93CS46 ST93CS47 1K (64 x 16) 序列微线 EEPROM

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L7900系列三端负压调节器采用TO-220、TO-220FP、TO-3和D2PAK封装，提供多种固定输出电压，广泛应用于各种电路中。

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该文件介绍了一个用于PABX和键系统应用的高度集成的用户线路接口套件，实现了BORSCHT功能的所有关键元素，包括零交叉平衡振铃注入、消除外部继电器和集中振铃发生器、振铃序列期间零噪声注入相邻线路等特点。

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这份文档介绍了2002年12月1日发布的STP6NC80Z和STB6NC80Z系列N沟道800V功率MOSFET。这些MOSFET具有1.5Ω的典型导通电阻、5.4A的电流能力、极高的dv/dt能力和门源极间稳压二极管。此外，它们还通过100%的雪崩测试以及极低的门极输入电阻来提供额外的ESD能力和更高的耐久性性能。该文档还列举了该系列MOSFET的绝对最大额定值和适用的应用领域。

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该文件介绍了STLC2410B的产品特性，包括支持蓝牙V1.1规范、点对点连接、点对多点连接、异步连接和同步连接等

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该文件介绍了1.5KE系列TRANSILTM I峰值脉冲功率为1500W(10/1000µs)，具有6.8V至440V的击穿电压范围，具有低电压保护特性和快速响应时间。

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该文件介绍了2008年6月发布的Rev 10 1/17 17 TL082 TL082A TL082B通用JFET双运放器的特点，包括宽广的共模和差分电压范围、低输入偏置和偏移电流、输出短路保护、高输入阻抗JFET输入级、内部频率补偿、无锁定操作和高斜率等。

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BUF420M是一款高压快速开关NPN功率晶体管，具有高电压能力、非常高的开关速度和可靠操作的最小批次间差异。它适用于开关模式电源和电机控制等应用。

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M27V401是一种低电压4 Mbit EPROM，可提供UV和OTP两种擦除方式。它适用于需要大容量数据或程序存储的微处理器系统，以524,288 x 8位的方式组织。M27V401在3V的供电电压下以读模式运行。操作功率的降低可以减小电池尺寸或延长电池充电时间。

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M25Pxx是一种512Kbit到32Mbit（2M x 8）的串行闪存存储器，具有高速SPI兼容总线访问和先进的写保护机制。它可以通过页面编程指令以1到256字节的方式进行编程。存储器被组织为多个扇区，每个扇区包含256或128页，每页宽度为256字节。可以使用批量擦除指令擦除整个存储器，或者使用扇区擦除指令逐个擦除扇区。

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该文档介绍了L79L00系列负电压调节器的产品特性，包括输出电流、输出电压、温度范围、输入电压等。

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M95256和M95128是互换的256Kbit和128Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高时钟速率，高达10MHz时钟速率，5ms写入时间。该数据表提供了M95256和M95128的规格、封装、引脚图和逻辑图。

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M58LW032A 32 Mbit (2Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory 具有宽 x16 数据总线，可实现高带宽。供电电压为 VDD = 2.7 至 3.6V 的核心电源电压，用于程序、擦除和读取操作；VDDQ = 1.8V 至 VDD 用于 I/O 缓冲区。它支持同步/异步读取，即同步突发读取、异步随机读取、异步地址锁定控制读取和页读取。访问时间为同步突发读取高达 56MHz；异步页模式读取 90/25ns 和 110/25ns；随机读取 90ns，110ns。它具有 16 字写入缓冲区和 18µs 字有效编程时间。它具有 64 个均匀的 32 KWord 存储块、块保护/取消保护、程序和擦除暂停、128 位保护寄存器、公共闪存接口和 100,000 次程序/擦除周期/块。电子签名为制造商代码：0020h - 设备代码 M58LW032A：8816h。它有 TSOP56（N）14 x 20 毫米 TBGA64（ZA）10 x 13 毫米 TBGA 两种封装。

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M440T1MV 3.3V, 32 Mbit (1024 Kbit x 32) TIMEKEEPER® SRAM是超低功耗SRAM，集成了实时时钟、电源故障控制电路、电池和晶体，具有精密功率监视和电源切换电路，当VCC超出范围时，会自动写入保护。

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