ST说明书大全

LDRxxyy是一种非常低的压降双电压稳压器，适用于低噪声和低功耗应用，如PDA、MICRODRIVE和其他数据存储应用以及监视器和机顶盒等消费类应用。它具有非常低的压降电压、非常低的供电电流和逻辑控制的电子关断功能。

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L4974A是一款3.5A开关型稳压器，具有5.1V至40V的输出电压范围，0至90%的占空比范围，内部前馈线路调节，内部电流限制，精确的5.1V ± 2%芯片上参考电压，复位和电源故障功能，输入/输出同步引脚，欠压锁定和滞后开启，单脉冲每周期的PWM锁存器，非常高的效率，高达200KHz的开关频率，热关断，连续模式操作。

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HCF4009UB是一种单片集成电路，采用MOS技术制造，可用于CMOS到TTL或DTL逻辑电平转换，也可作为电流“沉”或“源”驱动器，或作为多路复用器（1到6）。它是HCF4049UB在缓冲应用中的首选替代品。

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GS-R24P系列是一款高效的降压开关电压调节器，设计用于取代线性调节器。它具有1,000,000小时的平均故障间隔时间（在Tamb=25°C下），最大输出电流为1.5A，最大输入电压为35V，最大压降为1.5V，具有远程逻辑禁止/使能功能，非锁定过载和短路保护，热关断功能，固定或可调输出，不需要散热器。

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该文档介绍了一个仍在生产中但不推荐新设计的产品，名为QST108电容触摸传感器设备，具有8个按键和独立按键状态输出或I2C接口。该产品具有多项特点和特性，包括专利的电荷转移设计、支持最多8个独立的QTouch™按键、独立按键状态输出或I2C接口、完全“去抖动”的结果、专利的AKS™相邻键抑制、自校准和自动漂移补偿、扩频脉冲以减少电磁干扰、最多5个通用输出等。该产品适用于人机界面和前面板等广泛应用领域，如PC外设、家庭娱乐系统、游戏设备、照明和家电控制、遥控器等。使用QST设备可以替代机械开关/控制设备，减少维修和制造成本，提高产品寿命。

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本文件是M58BW016BT, M58BW016BB, M58BW016DT, M58BW016DB 16 Mbit (512Kb x32, Boot Block, Burst) 3V Supply Flash Memories的特性摘要

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M54/74HCT373 和 M54/74HCT533 是高速度 CMOS OCTAL LATCH WITH 3-STATE OUTPUTS，采用硅门 C2MOS 技术制造。这些 IC 在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效 LSTTL 相似的高速度操作。这些 8 位 D 型锁存器由锁存使能输入 (LE) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 LE 输入保持高电平时，Q 输出将精确或反向跟随数据输入。当 LE 被拉低时，Q 输出将精确或反向地锁定在 D 输入数据的逻辑电平。当 OE 输入处于低电平时，八个输出将处于正常逻辑状态 (高或低逻辑电平)，并且当高电平时，输出将处于高阻态。应用设计人员可以选择组合非反相和反相。

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M28W320ECT、M28W320ECB为3V供电的32Mbit（2Mb x16、Boot块）Flash存储器。主要特点包括：供应电压为VDD = 2.7V至3.6V核心电源、VDDQ= 1.65V至3.6V的输入/输出、VPP = 12V用于快速编程（可选）、访问时间为70、85、90、100ns、编程时间为10µs（典型值）、双字编程选项、四字编程选项、公共Flash接口、参数块（顶部或底部位置）、主块、所有块在开机时都锁定、可以锁定任意组合的块、WP用于块锁定、128位用户可编程OTP单元、64位唯一设备标识符、自动待机模式、编程和擦除暂停、100,000次编程/擦除周期/块、电子签名（制造商代码：20h、顶部设备代码，M28W320ECT：88BAh、底部设备代码，M28W320ECB：88BBh）等。

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M29F040B是一款4Mbit(512Kb x 8, Uniform Block)单供电闪存芯片，它的特点是单一5V±10%电源电压，读写操作时间快，有8个统一的64 Kbytes存储块，支持编程/擦除控制器，支持擦除暂停/恢复模式，并具有低功耗和100,000次擦写/擦除周期。

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M29F400BT M29F400BB是一款4Mbit的单电源闪存，可在5V±10%的电压下进行编程、擦除和读取。

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M29F032D 32 Mbit 5V Supply Flash Memory 的特点包括供电电压为 VCC = 5V ±10%，读写时间为 70 ns，编程时间为 10µs 每字节，有 64 个 64Kbyte 的存储块，支持擦除暂停和恢复模式、解锁绕过编程命令、临时块解保护模式、通用闪存接口、64 位安全码、低功耗、自动待机以及 100,000 次编程/擦除周期

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该文件是M29W400T/B的规格书，介绍了该产品的特点特性，包括电源电压、访问时间、编程时间、存储块等。

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M35102是一款13.56MHz，2048位高耐久性EEPROM的无线记忆芯片，符合ISO 14443-2 Type-B标准。它具有1792位EEPROM、256位ROM、64位唯一序列号，支持BYTE和PAGE读写，并具有自定时编程周期、自动擦除功能，可实现100,000次擦除/写入，数据可保留40年。

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该文件介绍了M28C64型号的64K位(8K x 8)并行EEPROM存储器的特点和特性，包括快速访问时间、单一供电电压、低功耗、快速写入功能、增强的写入检测和监控、软件数据保护等。

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M27W201 2 Mbit (256Kb x 8) Low Voltage UV EPROM and OTP EPROM是飞利浦公司推出的一款低电压EPROM，适用于需要大数据或程序存储的微处理器系统。它以262,144 x 8位组织，工作电压为2.7V，工作温度范围为-40至85°C。

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M24C16, M24C08 M24C04, M24C02, M24C01 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I²C Bus EEPROM 具有两个线的I2C串行接口，支持400 kHz协议，单电源电压：4.5V至5.5V，M24Cxx；2.5V至5.5V，M24Cxx-W；2.2V至5.5V，M24Cxx-L；1.8V至5.5V，M24Cxx-R；写控制输入；字节和页面写入（最多16字节）；随机和顺序读取模式；自定时编程周期；自动地址递增；增强的ESD/Latch-Up行为；超过100万次擦除/写入周期；超过40年的存储数据。

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L4931系列是非常低的dropout电压调节器，可用于TO-220、SO-8、DPAK、PPAK和TO-92封装，并提供广泛的输出电压。极低的dropout电压(0.4V)和极低的静态电流使它们特别适用于低噪音、低功耗应用，尤其是在电池供电系统中。在PPAK和SO-8封装中，提供了TTL兼容的禁用逻辑控制功能。这意味着当设备用作本地调节器时，可以使电路板的一部分处于待机状态，从而降低总功耗。它只需要2.2µF电容来保证稳定性，从而节省空间和成本。

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M27C160 是16Mbit的EPROM，具有UV和OTP两种擦除方式，适用于需要大量数据或程序存储的微处理器系统。

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这个文档介绍了一款具有低功耗、可向地电压摆动、优秀的相位裕度、稳定和低失调电压的双运放产品。产品具有三种不同的功耗选择，适用于低功耗应用。

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