ST说明书大全

STW7NA90/STH7NA90FI N-Channel 900V 1.05Ω 7A TO-247/ISOWATT218 Fast Power MOSFET 是 ST 公司推出的一款高性能功率开关器件，其典型导通电阻为 1.05 欧姆，工作电压可达 900V，电流可达 7A，适用于高频开关、电源转换、照明等应用领域。

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STLC2410B是STMicroelectronics公司生产的一款蓝牙模块，该模块支持蓝牙V1.1规范，支持点对点、点对多点（最多7个从节点）和分散网络功能。

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STV9937是STC公司生产的一款可用于显示器的120MHz屏幕显示器，它具有图像增强技术、4个独立窗口显示功能，还支持I²C接口和三通道模拟视频输入，可以为用户提供高质量的视频显示效果。

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VND810是一种双通道高侧驱动器，具有CMOS兼容输入、开漏状态输出、开启状态开路检测、关闭状态开路检测、短路保护、欠压和过压关断、防止接地丢失、非常低的待机电流和反向电池保护等特点。

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TSH690 是凌力尔特公司生产的一款射频功率放大器，工作频率范围为40MHz到1GHz，工作电压范围为1.5V到5V，具有28dB增益和+13.5dBm输出功率。

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TDA7850是ST公司生产的一款高功率汽车收音机音频功率放大器，具有输出功率大、开关速度快、失真小等特点

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BUL381和BUL382是高压快速开关NPN功率晶体管，使用高压多晶外延梅萨技术制造，具有高电压能力和可靠运行的最小批次差异，具有非常高的开关速度，适用于电子镇流器和开关模式电源。

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这份文档介绍了74LCX05低压CMOS开漏六反相器的特点和特性。该产品具有5V兼容输入、高速传输、电源保护、对称输出阻抗、可靠的PCI总线电平、广泛的工作电压范围、与74系列05兼容、超过500mA的锁定性能以及强大的静电保护和过电压保护能力。

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该文档介绍了M95640和M95320两种型号的串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟和多种特性。它们兼容SPI总线串行接口，支持单一供电电压，具有可调节的读写保护、字节和页写入功能，以及自定时编程周期等特点。此外，它们还具有增强的ESD保护能力、超过100,000或1,000,000次的擦除/写入循环寿命以及超过40年的数据保留能力。

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该文件介绍了ST公司的M88系列产品，这是一款可在系统中编程的多存储器和逻辑FLASH+PSD系统。它具有单一供电电压，主闪存内存为1或2 Mbit，第二个非易失性存储器为256 Kbit的EEPROM或闪存，以及16 Kbit或64 Kbit的静态随机访问存储器。它还具有超过3000个门的可编程逻辑器件，27个可重配置的输入/输出端口，增强型JTAG串行端口，可编程电源管理以及高耐久性等特点。

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M50FW040 4 Mbit (512Kb x8, Uniform Block) 3V Supply Firmware Hub Flash Memory 是东芝公司的产品，其特点是供电电压为VCC = 3V to 3.6V，支持程序、擦除和读取操作，支持12V的快速擦除，具有两个接口，分别是Firmware Hub (FWH) Interface和Address/Address Multiplexed (A/A Mux) Interface，支持读写操作，支持硬件写保护和基于寄存器的读写保护，同时有5个额外的通用输入，以便在平台设计中更加灵活，并且与33MHz PCI 时钟同步，编程时间为10µs，具有8个统一的64 Kbyte 内存块，支持嵌入式字节编程和块擦除算法，同时还有状态寄存器位。

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M48Z58/58Y ZEROPOWER® RAM是一款8K x 8非易失性静态RAM，它在单个晶片上集成了电源故障选择电路和电池控制逻辑。该单片芯片采用两种特殊封装，可提供高度集成的备有电池的存储器解决方案。

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M36W832TE, M36W832BE是32 Mbit (2 Mb x16, Boot Block) Flash Memory和8 Mbit (512Kb x16) SRAM的组合产品。

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该文档介绍了M29W320DT/DB产品的特点特性，包括供电电压、访问时间、编程时间、存储块、编程/擦除控制器、擦除暂停和恢复模式、解锁绕过编程命令、VPP/WP引脚、临时块解保护模式、通用闪存接口、低功耗、100,000次编程/擦除周期等

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该文档介绍了M29F016B 16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory的特点和特性，包括单一供电电压、访问时间、编程时间、内存块、程序/擦除控制器、擦除暂停和恢复模式、临时块解锁模式、解锁旁路编程命令、低功耗、寿命、电子签名等。

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M29F002BT, M29F002BNT M29F002BB, M29F002BNB 2 Mbit (256Kb x8, Boot Block) Single Supply Flash Memory I SINGLE 5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS I ACCESS TIME: 45 ns I PROGRAMMING TIME – 8 µs by Byte typical I 7 MEMORY BLOCKS – 1 Boot Block (Top or Bottom Location) – 2 Parameter and 4 Main Blocks I PROGRAM/ERASE CONTROLLER – Embedded Byte Program algorithm – Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm – Status Register Polling and Toggle Bits I ERASE SUSPEND and RESUME MODES – Read and Program another Block during Erase Suspend I UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND – Faster Production/Batch Programming I TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION MODE I LOW POWER CONSUMPTION – Standby and Automatic Standby I 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per BLOCK I 20 YEARS DATA RETENTION – Defectivity below 1 ppm/year I ELECTRONIC SIGNATURE – Manufacturer Code: 20h – Top Device Code M29F002BT: B0h – Top Device Code M29F002BNT: B0h – Bottom Device Code M29F002BB: 34h – Bottom Device Code M29F002BNB: 34h

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M29F160BT和M29F160BB是两款单电源闪存，可在5V±10%电压下进行编程、擦除和读取操作。它们具有55ns的访问时间，8微秒的字节/字编程时间，35个存储块（1个引导块（顶部或底部位置）和2个参数和32个主块），内置的字节/字编程算法、内置的多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位、就绪/忙输出引脚、擦除暂停和恢复模式、读取和编程另一个块期间的擦除暂停、解锁旁路编程命令、更快的生产/批量编程、临时块解保护模式、待机和自动待机、100,000个块编程/擦除周期、20年数据保留（缺陷率低于1 ppm/年）和电子签名（制造商代码：0020h，顶部设备代码M29F160BT：22CCh，底部设备代码M29F160BB：224Bh）。

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M27C801是一款8 Mbit UV EPROM和OTP EPROM，供电电压为5V ± 10%，读取操作时的访问时间为45ns。它具有低功耗、编程电压为12.75V ± 0.25V、编程时间为50µs/word等特点。

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M27C4001是一款4Mbit EPROM，提供UV（紫外线擦除）和OTP（一次可编程）两种范围，非常适合需要大程序的微处理器系统。

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LM224W是一款高增益、低电流、内部频率补偿的运算放大器。它工作于单电源供电，工作电压范围广。LM224W还可以使用分立电源供电，并且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。LM224W的所有引脚都具有高达2000V的静电放电保护。

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