ST说明书大全

M29F400BT，M29F400BB为4Mbit（512Kb x 8或256Kb x 16，Boot块）单供电闪存，支持5V±10%电压，读取、编程、擦除时间分别为45ns、8µs、20年数据保留时间，产品特点包括11个存储块、嵌入式字节/字编程算法、嵌入式多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位、就绪/忙输出引脚、擦除暂停和恢复模式、解锁旁路编程命令、临时块解保护模式、低功耗

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M29DW324DT M29DW324DB 32 Mbit (4Mb x8或2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 是M29DW324DB产品的详细信息手册

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M29F102BB是单供电闪存，支持1Mbit（64Kb x16，启动块），具有以下特点：单5V±10%供电电压，用于编程、擦除和读取操作；35ns的访问时间；8µs的编程时间，每个字典典型；5个存储块，1个启动块（底部位置），2个参数块和2个主块；嵌入式字编程算法、嵌入式多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位；擦除暂停和恢复模式，可在擦除暂停期间读取和编程另一个块；解锁旁路编程命令，加快生产/批量编程；临时块保护模式；待机和自动待机，每个块支持100,000次编程/擦除周期；与M28F102兼容，引脚排列和读取模式；20年的存储保留，缺陷率低于1ppm/年；电子签名，制造商代码为0020h，底部设备代码M29F102BB为0097h；兼容无铅焊接工艺，提供无铅版本。

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X02系列是施耐德电气公司生产的一款高灵敏度的1.25A SCR，适用于所有可用栅极电流有限的应用，例如接地故障电路断路器、低功率电源的过压防护、电容起动电路等。该系列产品具有优异的正向压降和浪涌电流能力，可在恶劣环境下实现功耗降低和高可靠性。

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VS6552是一款VGA分辨率SmOP传感器模块，具有小尺寸、超低功耗待机模式、集成镜头、卓越的低光性能、高帧率、低电磁干扰等特点。

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TL084是德州仪器公司的一款高性能、高增益、低噪声的J-FET输入四运算放大器，具有宽的共模电压范围、低输入偏置电流和输出短路保护功能。

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该文件介绍了一款具有嵌套中断、EEPROM、ADC、16位定时器、8位PWM ART、SPI、SCI、CAN接口等功能的8位微控制器。它具有16K到60K字节的程序存储器，256字节的E2PROM数据存储器，1024到2048字节的RAM，以及多种时钟、复位和供电管理功能。此外，它还包括中断管理、48个I/O端口、5个定时器、3个通信接口和1个模拟外设。指令集包括8位数据操作和63个基本指令。

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ST72774/ST72754/ST72734 8位USB MCU,内置60K OTP，1K RAM，ADC，TIMER，SYNC，TMU，PWM/BRM，H/W DDC&I2C

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ST3232E是一款3V供电的EIA/TIA-232和V.28/V.24通信接口，具有低功耗、高数据速率和增强的静电放电(ESD)保护，可使用IEC1000-4-2接触放电和±15kV的人体模型进行保护。ST3232E具有专有的低压降发射器输出级，可提供从3到5V电源的真正的RS-232性能，并带有一个双电荷泵。该电荷泵仅需四个小型0.1µF标准外部电容即可在3V电源下运行。ST3232E具有两个接收器和两个驱动器。该器件保证以250Kbps的数据速率运行，同时保持RS-232输出电平。典型应用包括笔记本电脑、子笔记本电脑和掌上电脑、电池供电设备、手持设备、外围设备和打印机。

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ST2L05是ST公司的一款低功耗双电压调节器，输出电压可选1.5V、1.8V、2.5V、2.8V、3.0V、3.3V，第一电压调节器输出电流为1A，第二电压调节器输出电流为1A，第二电压调节器输出电压可调。

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该文件介绍了SMAJ系列TRANSILTM二极管的特点和特性，包括峰值脉冲功率、耐压范围、单向和双向类型、低夹持因子、快速响应时间等。

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M27C1024是一款1 Mbit的EPROM，适用于需要大容量数据或程序存储的微处理器系统。它具有快速访问时间、低功耗和12.75V的编程电压。它可以通过紫外线擦除或一次性编程。适用于多种封装方式。

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该文档提供了关于M29W160DT和M29W160DB两款16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V供电闪存产品的初步信息。产品具有单一2.7到3.6V供电电压，70ns访问时间，10微秒每字节/字编程时间等特点。

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M27W512是一种低压512 Kbit EPROM，可用于微处理器系统，供电电压范围为2.7V至3.6V，具有低功耗、高可靠性等特点。

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M27C2001 2 Mbit (256Kb x 8) UV EPROM and OTP EPROM是M27C系列高性能EPROM，工作电压为5V±10%，读取时访问时间为55ns，工作电流为30mA，待机电流为100µA。编程电压为12.75V±0.25V，编程时间为100µs/word。M27C2001提供了UV和OTP两种类型，UV类型可以通过紫外线擦除，OTP类型只能擦除一次。M27C2001的逻辑图如图1所示，封装形式包括FDIP32W、PDIP32、PLCC32和TSOP32等。

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M54/74HCT157/158是高速度CMOS QUAD 2-CHANNEL MULTI- PLEXERs，采用硅栅C2MOS技术制造。它们实现与等效LSTTL相似的高速度操作，同时保持CMOS低功耗。这些器件由四个2输入数字多路复用器和公共选择和存储器输入组成。HCT158是反相多路复用器，而HCT157是非反相多路复用器。当存储器输入保持高电平时，数据选择被禁止，所有输出在M74HCT157中变为低电平，在M74HCT158中变为高电平。选择解码确定A或B输入是否被路由到相应的Y输出。所有输入都配备了防止静电放电和瞬态过电压的保护电路。

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这份文件介绍了ST93C46系列1K位串行EEPROM产品的特点和特性，包括1百万次擦写/写入循环、40年数据保留、双重组织、自计时编程周期等。

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ST62T08C/T09C/ST62T10C/T20C/E20C 8位 OTP/EPROM MCUs 具有 A/D 转换器、振荡器保护、安全复位和 20 个引脚

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KF00系列非常低压差电压调节器，具有抑制功能，可在SO-8和DPAK封装中提供各种输出电压。非常低的压降电压（0.4 V）和非常低的静态电流使它们特别适用于低噪声、低功耗应用，特别是在电池供电系统中。它仅需要2.2 µF电容器来保证稳定性，从而节省空间和成本。

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ST24LC21B, ST24LW21, ST24FC21, ST24FC21B, ST24FW21 1 Kbit (x8) Dual Mode Serial EEPROM for VESA PLUG & PLAY is a 1K bit electrically erasable programmable memory (EEPROM), or- ganized in 128x8 bits. It features 1 million erase/write cycles, 40 years data retention, 3.6V to 5.5V or 2.5V to 5.5V single supply voltage, hardware write control (ST24LW21 and ST24FW21), TTL SCHMITT-TRIGGER on VCLK input, 100k / 400k Hz compatibility with the I2C BUS BIT TRANSFER RANGE, two wire serial interface I2C BUS COMPATIBLE, I2C PAGE WRITE (up to 8 Bytes), I2C BYTE, RANDOM and SEQUENTIAL READ MODES, SELF TIMED PROGRAMMING CYCLE, AUTOMATIC ADDRESS INCREMENTING, ENHANCED ESD/LATCH UP PERFORMANCES, ERROR RECOVERY MECHANISM (ST24FC21 and ST24FW21), VESA 2 COMPATIBLE.

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