ST说明书大全

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BTB04-600SL 4A TRIAC 是意法半导体的一种四象限晶闸管，额定电流为4A，耐压600V。该晶闸管具有高浪涌电流能力，适用于照明、有线电动工具、工业等领域。

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STW26NM60是一款600V-0.125Ω-30A的N沟道MOSFET，具有典型RDS(on)=0.125Ω、高dv/dt和雪崩能力、改进的ESD能力、低输入电容和栅极电荷以及低栅极输入阻抗等特点。适用于提高高压转换器的功率密度，实现系统小型化和更高效率。

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该文件介绍了STP11NM80、STF11NM80、STB11NM80、STW11NM80等产品的特点和特性，包括低电阻、低输入电容和门电荷、适用于单开关应用等。

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MC33174-MC35174 系列是四路双极性运算放大器，提供低功耗 (200µA) 和良好的速度 (2.1MHz, 2V/µs)。此外，输入公共模式范围向下延伸到较低的电源轨，允许单电源操作从 +4V 到 +44V。

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STTH2003CT/CG/CF/CR/CFP 是ST公司推出的双中心抽头快速恢复外延二极管，适用于开关电源和高频DC/DC转换器。该器件封装有TO-220AB、ISOWATT220AB、TO-220FPAB、I2PAK或D2PAK，特别适用于二次整流。

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本文档介绍了M74HCT138型号的特点和特性，包括高速、低功耗、与TTL输出兼容等。

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HCF4007UB是双极性对称输出开关，可用于各种电路中。

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M27C512 512 Kbit (64K x8) UV EPROM and OTP EPROM 产品特点：5V ± 10% 电源电压，读操作时的访问时间为 45ns，低功耗“CMOS”消耗功率，活动电流 30mA，待机电流 100µA，编程电压为 12.75V ± 0.25V，编程时间约为 6 秒，电子签名制造商代码为 20h，设备代码为 3Dh，封装为 FDIP28W (F)、PDIP28 (B)、PLCC32 (C)、TSOP28 (N) 四种。

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STP16CP05是ST公司生产的一款低压16位恒流LED驱动芯片，具有低电压供电、16路恒流输出、外部可调节输出电流、可由3.3V微控制器驱动、输出电流范围5-100mA、最大时钟频率30MHz、ESD保护2.5kV HBM、200V MM等特点。

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L78M00AB系列是三端正极稳压器，可提供局部卡片调节，消除单点调节所产生的分配问题。该系列采用内部电流限制、热关断和安全区保护，使其本质上坚不可摧。虽然主要设计为固定电压稳压器，但这些器件可以与外部组件一起使用以获得可调电压和电流。

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介绍了M29W320ET、M29W320EB 32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory的特点特性，包括供电电压、访问时间、编程时间、存储块、擦除暂停和恢复模式、解锁绕过编程命令、VPP/WP引脚、临时块非保护模式、公共闪存接口、扩展存储块、低功耗消耗、编程/擦除周期和电子签名等。

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STD5NM50是MDmesh™系列产品，具有优异的低导通电阻、高dv/dt和卓越的雪崩特性。该产品适用于提高高压转换器的功率密度，从而实现系统小型化和更高的效率。

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该文件为ULQ2801A-ULQ2805A系列数据手册，包含了该系列产品的特点、特性、引脚图等信息。

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该文档介绍了T405Q-600系列4象限可控硅的参数值和特性，主要用于灌溉系统等需求高浪涌电流能力的通用应用。

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ST STP7NK40Z系列高压MOSFET，额定电压400V，额定电流5.4A，最小导通电阻0.85Ω，工作频率高，适用于开关电源、适配器、PFC等应用。

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STMicroelectronis 的 STB30NF10 是一款 N 通道 100V - 0.038 Ω - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK 低栅极电荷 STripFET™ II 功率 MOSFET，具有典型 RDS(on) = 0.038 Ω、出色的 dv/dt 能力、100% 雪崩测试和应用导向的特性。它适用于高效率 DC-DC 转换器和 UPS 和电机控制应用。

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该文件是M74HC367的datasheet

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该文件介绍了M28W640FCT和M28W640FCB两种型号的64 Mbit闪存产品的特点和特性。

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STC03DE220HV是一种高压三相应用的ESBT 开关二极管，具有低等效导通电阻、极快的开关速度和低CISS特性。

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