ST说明书大全

该文档介绍了一系列N沟道600V MOSFET产品的特点和特性，包括极高的dv/dt能力、ESD改进能力、100%雪崩测试等。这些产品适用于低功率电池充电器、开关模式低功率电源和低功率CFL(紧凑型荧光灯)等应用。

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STTH5L06D/B/FP是ST公司生产的一款高压整流二极管，适用于不连续或关键模式功率因数校正的升压二极管，也可用作电源和其他功率开关应用中的自由轮转二极管。

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BUT30V是NPN型号的功率晶体管，具有极低的Rth结温和结壳温度，额定电流高达100A，并且具有低的内部寄生电感。主要应用于电机控制、SMPS和UPS等领域。

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M48T512Y/V TIMEKEEPER RAM 是一款512Kb x 8的非易失性静态RAM和实时时钟，组织为524,288个字8位。特殊的DIP封装提供了一个完全集成的备用电池存储器和实时时钟解决方案。

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L5973D是一种降压单片式开关电源稳压器，具有最低2.5A的开关电流限制，因此能够根据应用条件向负载提供超过2A的直流电流。输出电压可从1.235V调节到35V。

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该文件介绍了Rev 1 January 2006 1/15 15 PD54008L-E RF Power Transistors的特点和特性，包括优秀的热稳定性、常见源配置、宽带性能、新型无引线塑料封装、EDS保护等。适用于高增益、宽频商业和工业应用。在1 GHz频率下以7V的共源模式工作。具有卓越的增益、线性度和可靠性，适用于便携式无线电。

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M74HC163是CMOS同步4位二进制可预置计数器，由硅栅C2MOS工艺制造，工作频率高达62 MHz，输入电流低至4µA，静态电压范围宽(2V至6V)，具有高噪声免疫性和对称输出阻抗。

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该文件介绍了STMicroelectronics的USB6B1产品，该产品是一种用于保护敏感设备中的瞬态过电压的保护器。它适用于各种接口和线路，具有集成的钳位保护和高ESD保护级别。

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TS922是一款双通道的铁路对铁路双BiCMOS运算放大器，优化和完全规定为3V和5V操作。该器件具有高输出电流，可驱动低负载阻抗。非常低的噪声、低失真、低偏置和高输出电流能力使得该器件成为高质量、低电压或电池操作音频系统的理想选择。该器件对于最大500pF的电容负载是稳定的。

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STB21NM50N 是 ST 公司生产的一款 N 沟道 500V 低阻开关功率 MOSFET，其特点是 100% 雪崩测试、低输入电容和栅极电荷、低栅极输入电阻，适用于最苛刻的高效率转换器应用

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The LD1117 series is a low drop positive voltage regulator, available in fixed and adjustable version. The device can provide up to 800mA of output current and is supplied in different packages.

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STPS41H100CG/CT/CR是3A低压降功率肖特基二极管，适用于开关电源和高频DC/DC转换器。该二极管采用D2PAK、I2PAK和TO-220AB封装，适用于高频逆变器。

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BAT54系列是ST公司的40V肖特基二极管，封装有SOD-23、SOD-323、SOD-523、SOT-23、SOT-323、SOT-666等多种类型，主要特点是导通电阻和反向损耗低、开关损耗可以忽略、正向和反向恢复时间短、切换速度极快，适合于各种开关电路。

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M74HC4075是一种高速CMOS三输入或门，采用硅门C2MOS技术制造。内部电路由4级组成，包括缓冲输出，可实现高抗干扰性和稳定输出。所有输入均配备了静电放电和瞬态过电压保护电路。

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Z01系列适用于一般用途的交流开关应用，如家用电器、风扇调速控制等。具有不同的门极电流灵敏度，可以在直接由微控制器控制时实现优化性能。

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LM193/LM293是一款低电压比较器，工作电压范围宽，可以从单电源或双电源供电，输入偏置电流低，输出饱和电压低，输出兼容TTL、DTL、ECL、MOS、CMOS电平。

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该文件是关于TL062的特性介绍，其特点包括低功耗、高输入阻抗、高开关速度、低输入偏置电流、低输入偏置电压、温度补偿、短路保护等

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VIPer53是Viper系列的第三代产品，它是集成了高压MDMesh功率MOSFET的电流模式PWM控制器，具有以下特点：高达300kHz的开关频率，可调整的限流，软启动和关机控制，自动突发模式，高压启动电流源，过温保护，过载和短路控制。

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L6730和L6730B是可调降压控制器，具有同步整流功能。输入电压范围为1.8V至14V，供电电压范围为4.5V至14V。可调输出电压可降至0.6V，精度为±0.8%，适用于线路电压和温度范围为0°C至125°C。具有固定频率电压模式控制，tON低于100ns，0%至100%的占空比。可选择0.6V或1.2V的内部电压参考或外部输入电压参考。带有软启动和抑制功能，具有高电流嵌入式驱动器和预测性反交叉导电控制。可选择的uvlo阈值（5V或12V总线），可编程的高侧和低侧RDS(on)感应过流保护，可编程的开关频率（100kHz至1MHz），带有180°相移的主/从同步功能。L6730具有预偏启动功能，软启动后可选择源/汇或仅源能力。L6730B具有软启动后可选择常数电流或呃咳模式过流保护的能力。带有可编程延迟的电源好输出，可选择锁存/非锁存模式的过压保护，热关断保护。适用于高性能/高密度DC-DC模块、低电压分布式DC-DC、niPOL转换器、DDR内存供应、DDR内存总线终端供应。

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