ST说明书大全

ST M54HC42/M74HC42 说明书

M54HC42/M74HC42是高性能CMOS BCD-TO-DECIMAL DECODER,具有LSTTL的高速性能和CMOS低功耗的特点。

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ST M27C800 说明书

M27C800是8Mbit的EPROM,提供UV(紫外线擦除)和OTP(一次性可编程)两种类型。它非常适合需要大量数据或程序存储的微处理器系统。它可以组织为1 Mwords的8位或512 Kwords的16位。引脚兼容最常见的8Mbit Mask ROM。FDIP42W(带窗口陶瓷烧结封装)有一个透明盖,允许用户通过暴露芯片于紫外线来擦除位模式。然后可以通过遵循编程过程将新的模式快速写入设备。对于内容仅编程一次且不需要擦除的应用,M27C800提供PDIP42、PLCC44和SO44封装。

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ST L2720D 说明书

L2720D是低压双电源运算放大器,输出电流可达1A,工作在单电源或分立电源,能满足广泛的应用场合,如伺服放大器和电源等。其特点是输入偏置电压低,输入范围大,输出电压低,具有热关断和钳位二极管。

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ST ETC9410/ETC9411/ETC9310/ETC9311 说明书

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ST M29F400T/M29F400B 说明书

M29F400T/M29F400B是东芝公司的一款4Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Single Supply Flash Memory,主要特性包括5V±10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READOPERATIONS、FAST ACCESS TIME: 55ns、FAST PROGRAMMING TIME – 10µs by Byte / 16µs by Word typical等。

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ST M54HC7245/7640/7643/7645, M74HC7245/7640/7643/7645 数据手册

该文件介绍了 M54HC7245/7640/7643/7645 和 M74HC7245/7640/7643/7645 这些型号的特点和特性。它们是高速、低功耗、具有高噪声免疫性的八位总线收发器。这些器件适用于数据总线之间的双向异步通信,并且数据传输的方向由 DIR 输入确定。HC7245/640/7643/7645 与 HC245/640/643 具有相同的引脚配置和功能,同时具有每个输入的滞后特性,因此可以用作线路接收器等。

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ST M28F201 使用说明书

M28F201 2 Mb (256K x 8, Chip Erase) FLASH MEMORY 是可编程的存储器,可以通过芯片电路在 1 秒内擦除,并以字节为单位编程。它具有 70ns 的快速存取时间,适用于高速度微处理器系统。

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ST LF00 SERIES Data Sheet

LF00系列是低压降调节器,具有0.45V的低压降和50µA的静态电流,非常适用于低噪声、低功耗应用,尤其是电池供电系统。该系列有PENTAWATT、TO-220、TO-220FP、DPAK和PPAK封装,可提供多种输出电压。

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ST L7900AC SERIES Data Sheet

L7900AC系列是一种三端负压稳压器,具有输出电流高达1.5A,输出电压可选为-5、-5.2、-6、-8、-12、-15、-18、-20、-22、-24V。该系列稳压器具有热过载保护、短路保护和输出过渡SOA保护等特点,适用于本地板上调节和分离电源。

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ST NAND128-A, NAND256-A NAND512-A, NAND01G-A 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories数据手册

NAND128-A, NAND256-A NAND512-A, NAND01G-A 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories是高密度NAND闪存存储器,具有高达1 Gbit的存储阵列,高达32 Mbit的备用区,是成本效益高的大容量存储应用解决方案。

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ST M24C16, M24C08 M24C04, M24C02, M24C01 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit and 1Kbit Serial I²C Bus EEPROM 数据手册

该数据手册详细介绍了 M24C16, M24C08 M24C04, M24C02, M24C01 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit 和 1Kbit 的 Serial I²C Bus EEPROM 产品的特性。

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ST L293B L293E PUSH-PULL FOUR CHANNEL DRIVERS 数据手册

L293B和L293E是四通道推挽驱动器,能够输出1A的电流。每通道由一个TTL兼容的逻辑输入控制,每对驱动器(一个全桥)配备一个使能输入,使能输入可以关闭四个晶体管。逻辑部分有一个独立的供电输入,以便能够使用较低的电压运行,从而降低功耗。另外,L293E具有外部感应电阻连接,用于开关模式控制。L293B和L293E分别采用16和20针的塑料DIP封装,并且都使用四个中心引脚将热量传导到印刷电路板。

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ST L293D L293DD PUSH-PULL FOUR CHANNEL DRIVER WITH DIODES 数据手册

L293D是一种四通道推挽驱动器,具有600mA输出电流和1.2A峰值输出电流的能力。它具有使能功能、过温保护、高噪声免疫等特点。该驱动器适用于驱动电感负载和开关功率晶体管,适用于频率高达5kHz的开关应用。

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ST L9925 DMOS DUAL FULL BRIDGE DRIVER 数据手册

L9925是用于步进电机应用的双全桥驱动器。该器件采用BCD (双极性、CMOS和DOS)技术,逻辑电路、精确线性块和功率晶体管相结合,以优化电路性能并最大限度地减少芯片外部元件。Schmitt触发器用于所有输入级,并且完全兼容5V CMOS逻辑电平。当两个使能信号都为低时,IC被命令进入低静态电流状态,并且会从电池中抽取不到200µA。温度保护和ESD保护到所有引脚,可确保可靠性并减少系统集成故障。

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ST L298 DUAL FULL-BRIDGE DRIVER 数据手册

L298 是意法半导体公司生产的一款全桥驱动芯片,适用于电压高、电流大、低饱和电压的继电器、电磁铁、直流电机和步进电机等感性负载。

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ST L6204 DMOS DUAL FULL BRIDGE DRIVER 数据手册

L6204是一款双全桥驱动器,适用于电机控制应用。它采用了BCD技术,将隔离的DMOS功率晶体管与CMOS和双极器件集成在同一芯片上。逻辑输入兼容TTL/CMOS。每个通道由独立的使能引脚控制。每个桥路都有一个感应电阻来控制电流水平。L6204安装在20引脚Powerdip和SO 24+2+2封装中,并且四个中心引脚用于将热量传导到PCB。在正常操作温度下不需要外部散热器。

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ST L6206 DMOS DUAL FULL BRIDGE DRIVER 数据手册

L6206是意大利公司STMicroelectronics生产的DMOS双全桥驱动器,适用于双极步进电机和双或四相直流电机等应用。该器件采用了MultiPower-BCD技术,将DMOS功率晶体管与CMOS和双极电路集成在同一芯片上。L6206具有热关断功能和高侧功率MOSFET的非消散型过流检测功能,并提供诊断输出,可用于实现过流保护。

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ST L6201 L6202 - L6203 DMOS FULL BRIDGE DRIVER数据手册

L6201、L6202和L6203是一种DMOS全桥驱动器,供电电压高达48V,最大峰值电流为5A(L6201最大为2A)。总有效值电流为L6201:1A;L6202:1.5A;L6203/L6201PS:4A。具有0.3Ω的导通电阻(在25°C时的典型值),具有交叉导电保护、TTL兼容驱动、最高工作频率可达100kHz和热关断等特点。

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ST L6205 DMOS DUAL FULL BRIDGE DRIVER 数据手册

L6205是DMOS双全桥,用于电机控制应用,采用MultiPower-BCD技术,该技术将分立的DMOS功率晶体管与CMOS和双极性电路结合在同一芯片上。该产品提供PowerDIP20(16+2+2)、PowerSO20和SO20(16+2+2)封装,采用非耗散型保护高侧PowerMOSFET和热关断。

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ST STPS10H100CT/CG/CR/CFP DATA SHEET

STPS10H100CT/CG/CR/CFP 是一种高电压功率肖特基二极管,最大正向电流为 2 x 5 A,反向峰值电压为 100 V,最大工作温度为 175°C。该二极管具有高结温能力、低漏电流、低静态和动态损耗以及雪崩能力。

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