ST说明书大全

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L2726是一款低压双电源运放，输出电流可达1A，适用于低压工作，可使用单电源或分割电源，具有大的共模和差模范围，低输入偏移电压，适用于驱动感性负载，如电机，并广泛应用于CD、VCR、汽车等领域。该产品具有高增益和高输出功率能力，无论在何种运放/功率放大器组合中，都能提供卓越的性能。

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介绍了M24C16, M24C08, M24C04, M24C02, M24C01 16Kbit, 8Kbit, 4Kbit, 2Kbit和1Kbit Serial I²C Bus EEPROM的特点特性，包括两线I²C串行接口、支持400kHz协议、单电源电压、写控制输入、字节和页写（最多16字节）、随机和顺序读模式、自定时编程周期、自动地址递增、增强的ESD/Latch-Up保护、超过100万次擦写/写次数、超过40年的存储数据保持时间等

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M68AF127B 是一款 128K x 8 位 SRAM，具有 OUTPUT ENABLE，供电电压为 4.5 至 5.5V，时钟周期和访问时间均为 55ns，待机电流低，VCC 数据保留电压为 2V，I/O 为 TRI-STATE COMMON，工作电流和待机电流低。

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M29W160ET M29W160EB 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory提供了16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block)的3V供电Flash Memory。它具有2.7V到3.6V的供电电压，70，90ns的访问时间，10µs每字节/字的典型编程时间，35个存储块，1个引导块（顶部或底部位置），2个参数和32个主块，嵌入式字节/字编程算法的编程/擦除控制器，擦除挂起和恢复模式（读取并编程另一个块期间擦除挂起），解锁绕过编程命令（更快的生产/批量编程），临时块非保护模式，64位安全码的常用闪存接口，待机和自动待机，100,000个编程/擦除周期/块，电子签名制造商代码：0020h，顶部设备代码M29W160ET：22C4h，底部设备代码M29W160EB：2249h。

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M29DW128F 128 Mbit 闪存

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L6571A/B是意法半导体推出的一款高压半桥驱动器，支持浮动电源电压高达600V，GND参考电源电压高达18V，驱动电流能力为270mA和170mA，非常低的启动电流为150µA和非常低的操作电流低于2mA，具有欠压锁定功能，可编程的振荡器频率，具有dV/dt免疫功能高达±50V/ns。

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L6571A和L6571B是意法半导体推出的高压半桥驱动器，内置振荡器，可使用外部电阻和电容对振荡器频率进行编程。内部电路还允许通过外部逻辑信号驱动该器件。输出驱动器专为驱动外部N沟道功率MOSFET和IGBT而设计。内部逻辑保证了死区时间，以避免功率器件的交叉导通。两种版本可供选择：L6571A和L6571B。它们在内部死区方面有所不同：1.25µs和0.72µs（典型）。

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M54/74HC279是CMOS工艺制造的高速四路S-R锁存器，具有LSTTL的高速度性能和CMOS的低功耗特性。

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ST70134 - ST70135A ASCOT ADSL MODEM CHIP SET FOR CPE是STMicroelectronics公司生产的一款ADSL调制解调器芯片组，支持ANSI T1.413 ISSUE 1 & ISSUE 2、G.992.1 (FULL RATE) & G.992.2 (G. LITE)等协议，数据速率最高可达8Mbps，支持255/128个载波，具有低功耗技术，单供电电压为3.3V，工作温度范围为0至+70°C。

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ST92195C/D是STMicroelectronics公司生产的一款48-96Kbyte ROM的HCMOS MCU，具有ON-SCREEN DISPLAY和TELETEXT DATA SLICER功能。该芯片采用8/16位寄存器文件架构，支持RUN、WFI、SLOW和HALT模式，工作温度范围为0°C至+70°C，最大工作频率为24MHz，最小指令周期时间为165ns。ST92195C/D具有48、56、64、84或96Kbyte的ROM，256字节的寄存器文件RAM（累加器或索引寄存器），256至512字节的片上静态RAM，2或8Kbytes的TDSRAM（Teletext和Display Storage RAM），28个完全可编程的I/O引脚，串行外设接口和灵活的时钟控制器。

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该文件内容为查询2N918供应商的信息，涉及到产品的版权信息。

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Z01系列适用于一般性交流开关应用，可以在家电（电磁阀、泵、门锁、小灯控制）、风扇调速器等应用中找到。可提供不同的门极电流敏感性，可在直接由微控制器控制时实现优化性能。

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TL431是可编程的稳压器，输出电压范围为2.5V至36V，输出电流范围为1至100mA，动态阻抗为0.22欧姆。

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该文档介绍了ST72E311和ST72T311型号的8位MCU，具有8至16K字节的OTP/EPROM用户程序存储器和384至512字节的数据RAM。它还提供了多个功能的双向I/O线路、复位选项、运行和省电模式、定时器、串行接口、ADC等功能。

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该文件介绍了STMicroelectronics的一款联系式智能卡阅读器芯片组的特点和特性。

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M29F002BT, M29F002BNT 2 Mbit (256Kb x8, Boot Block) Single Supply Flash Memory 提供单一 5V ± 10% 电源电压进行程序、擦除和读取操作，具有 45 纳秒的访问时间，8 微秒的字节编程时间，以及 7 个存储块。包括 1 个引导块 (顶部或底部位置)、2 个参数块和 4 个主块。该存储器具有嵌入式字节编程算法、嵌入式多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位、擦除暂停和恢复模式、读取和编程另一个块期间的擦除暂停模式、解锁旁路编程命令、快速生产/批量编程、临时块取消保护模式、低功耗 (待机和自动待机)、100,000 次编程/擦除循环/块和 20 年的存储保留 (缺陷率低于 1 ppm/年)。电子签名包括制造商代码 (20h)、顶部设备代码 M29F002BT (B0h)、顶部设备代码 M29F002BNT (B0h)、底部设备代码 M29F002BB (34h) 和底部设备代码 M29F002BNB (34h)。

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该文件介绍了一系列高密度NAND闪存产品的特点和特性，包括存储容量、供电电压、页面大小、块大小、读写速度等。

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BZW06-5V8/376是TRANSILTM，具有600W的峰值脉冲功率和5.8V到376V的防浪涌电压范围。它具有双向和单向类型，低钳位系数和快速响应时间。

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M54HC137是M74HC137是具有高速度、低功耗特点的3至8线解码器/锁存器，可与54/74LS137兼容。

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