ST说明书大全
ST L6561 POWER FACTOR CORRECTOR 说明书(1)
L6561 是 L6560 标准功率因数校正器的改进版。与标准版本完全兼容，它具有优异的乘法器，使器件能够在宽输入电压范围应用中工作（从 85 V 到 265 V），具有出色的 THD。此外，启动电流已降低到几十 mA，并在 ZCD 引脚上实现了禁用功能，保证了待机模式下较低的电流消耗。采用混合 BCD 工艺制造的芯片具有以下优点：– 微功率启动电流– 1% 精度内部参考电压（Tj = 25°C）– 软输出过电压保护– 不需要在电流检测上使用外部低通滤波器– 非常低的操作静态电流可最小化功耗。该 totem 极输出级能够驱动具有源和漏电流为 ±400mA 的功率 MOS 或 IGBT。该器件在过渡模式下工作，并且针对电子灯泡镇流器应用、交流-直流适配器和开关电源进行了优化。
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ST BTA 12 B/C,BTB 12 B/C 说明书
该文件介绍了BTA12 B/C BTB12 B/C三极管的技术参数和特性，包括最大工作温度、最大电流、绝缘电压等。
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ST BTA12/BTB12/T12xx 说明书
该文档介绍了BTA12、BTB12和T12xx系列三极管的特点和特性，包括中等电流、低热阻、高通断能力和绝缘陶瓷等。这些三极管适用于静态继电器、灯光调光器和电器马达速度控制器等应用。
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ST LM124W/LM224W/LM324W Low Power Quad Operational Amplifiers 说明书
该文档介绍了LM124W-LM224W-LM324W低功耗四运算放大器的特点和特性，包括宽增益带宽、输入共模电压范围、大电压增益、低功耗以及宽电源范围等。
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ST STP6NB90/STP6NB90FP 说明书
STP6NB90/STP6NB90FP 是 STMicroelectronics 公司设计的一款高性能 N 沟道 900V 功率 MOSFET，具有典型 RDS(on) = 1.7 欧姆、极高 dv/dt 能力、 100% 雪崩测试、极低固有电容和最小化栅极电荷等特点。该器件可用于高电流、高速度开关、开关模式电源 (SMPS)、焊接设备的 DC-AC 转换器、不间断电源和电机驱动等应用。
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ST STP6NB80/STP6NB80FP 说明书(1)
STP6NB80是STMicroelectronics生产的一款N沟道功率MOSFET，其最大导通电阻为1.6欧姆，最大电压为800V，最大电流为5.7A，应用于高频高压开关、SMPS、DC-AC变换器、焊接设备和UPS等。
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ST STP6NB50/STP6NB50FP 说明书(1)
STP6NB50/STP6NB50FP是SGS-Thomson公司推出的N沟道增强型MOSFET，采用Mesh Overlay工艺，具有极低的导通电阻、极高的dv/dt能力、极低的内阻和开关特性，适用于高电流、高开关速度的应用场合，如开关电源、焊接设备等
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ST STP6NB50/STP6NB50FP 说明书(1)(1)
该文件介绍了STP6NB50和STP6NB50FP N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET的特点特性，包括低RDS(on)，极高的dv/dt能力，100%的雪崩测试，极低的内在电容和最小化的栅极电荷。
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ST STP6NB25/STP6NB25FP 说明书(1)
该文档介绍了STMicroelectronics生产的STP6NB25和STP6NB25FP型号的功率MOSFET产品的特点和性能。这些产品采用最新的高压MESH OVERLAY工艺，具有极高的dv/dt能力，100%的雪崩测试，非常低的内在电容和最小化的门电荷。适用于高电流、高速开关、UPS、电信、工业和消费电子等领域。
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ST STP6NB25/STP6NB25FP 说明书
STP6NB25是STMicroelectronics生产的一款N沟道MOSFET，其特点是RDS(on)只有0.9欧姆，dv/dt能力极高，可用于高电流、高频率开关应用，如UPS电源、DC-DC&DC-AC转换器等。
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ST STP6NA80/STP6NA80FI 说明书
该文件介绍了STP6NA80和STP6NA80FI型号的N沟道增强模式快速功率MOS晶体管的特点和特性，包括低RDS(on)和栅极电荷、卓越的耐用性和优异的开关性能。
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ST STP6LNC60 STP6LNC60FP 说明书
STP6LNC60/STP6LNC60FP是一款600V-1Ω-5.8A的N沟道MOSFET，应用于高电流、高速度开关、开关电源（SMPS）、DC-AC转换器、焊接设备和不间断电源、电机驱动等领域。
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ST STD65NF06 STP65NF06 说明书
STD65NF06 STP65NF06 N-channel 60V - 11.5mΩ - 60A - DPAK/TO-220 STripFET™ II Power MOSFET是STMicroelectronics公司推出的一款新型功率MOSFET，该产品具有标准水平门驱动、100%雪崩测试等特点，可应用于开关应用中。
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ST STP62NS04Z 说明书(1)
STP62NS04Z是凌通科技生产的一款N沟道CLAMPED MOSFET，具有低RDS(on)、100%防雪崩和175°C最大结温等特点，适用于汽车电子等恶劣环境
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ST STP62NS04Z 说明书(1)(1)
该文件是STP62NS04Z N-channel clamped 12.5mΩ - 62A - TO-220 Fully protected MESH OVERLAY™ Power MOSFET 的数据手册
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