ST说明书大全

STP60NS04ZB N-channel clamped - 10mΩ - 60A - TO-220 Fully protected Mesh Overlay™ Power MOSFET是ST公司最新研发的一款功率MOS管，具有100% 雪崩测试、低电容和栅极电荷、175℃最大结温等特点。该产品适用于汽车等恶劣环境。

文件类型: PDF 大小:245 KB

该文件介绍了2002年11月1/8的STP60NS04ZB N-CHANNEL CLAMPED 10mΩ - 60A TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY™ MOSFET的技术特点。该产品采用先进的Mesh Overlay工艺，具有额外的夹紧能力，适用于汽车等恶劣环境中的应用。

文件类型: PDF 大小:304 KB

该文件介绍了STP60NS04Z N型沟道夹紧MOSFET的特点和特性，包括低电阻、100%的雪崩测试、低电容和栅电荷以及175℃的最高结温。该产品采用最新的Mesh Overlay工艺生产，适用于汽车环境和需要额外坚固性的其他应用。

文件类型: PDF 大小:120 KB

这份文件是关于STP60NS04Z N - CHANNEL CLAMPED 10mΩ - 60A - TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET的初步数据。该产品具有低电阻、高耐压、低电容和门电荷等特点，适用于ABS、SOLENOID DRIVERS、MOTOR CONTROL和DC-DC CONVERTERS等应用。

文件类型: PDF 大小:106 KB

STP60NH2LL是一种N沟道功率MOSFET，采用ST的STripFET™技术，具有低导通和开关损耗，适用于要求高效率的DC-DC转换器应用。

文件类型: PDF 大小:278 KB

该文档介绍了一款N沟道功率MOSFET产品，具有极高的dv/dt能力和低输入电容和门电荷。适用于高效率DC/DC转换器、工业和照明设备以及电机控制等应用。

文件类型: PDF 大小:237 KB

该文件介绍了STB60NF06L、STP60NF06L和STP60NF06LFP三款产品的特点和特性，包括其在高效隔离式DC-DC转换器和其他低门电荷驱动需求应用中的适用性。

文件类型: PDF 大小:498 KB

该文件介绍了STB60NF06L、STP60NF06L和STP60NF06LFP三个型号的N沟道60V功率MOSFET的特点和特性。该系列产品采用STMicroelectronics独特的STripFET工艺，具有出色的dv/dt能力，经过100%雪崩测试，适用于高效隔离DC-DC转换器和低门电荷驱动需求的应用。

文件类型: PDF 大小:498 KB

该文件介绍了STB60NF06L, STP60NF06L和STP60NF06LFP系列的N-CHANNEL 60V - 0.012Ω - 60A MOSFET。这些产品具有低输入电容和栅电荷，适用于高效率、高频率隔离的DC-DC转换器和低门极驱动要求的应用。

文件类型: PDF 大小:498 KB

STP16NF06是STMicroelectronics生产的一款N沟道MOSFET，其特点是RDS（on）典型值为0.08Ω，具有出色的dv/dt能力和低门极电荷（100°C），适用于电机控制、音频放大器、高电流、高开关速度、继电器驱动器、DC-DC和DC-AC转换器、汽车等应用场景。

文件类型: PDF 大小:864 KB

该型号是ST公司的一款N沟道功率MOSFET器件，其特点是导通电阻低、dv/dt能力强、封装类型为TO-220/TO-220FP。

文件类型: PDF 大小:864 KB

STP60NF06是STMicroelectronics生产的一款N沟道MOSFET，其最大导通电阻为0.014Ω，最大电流为60A。该产品采用STripFET工艺，具有输入电容和栅极电荷小、开关速度快等特点，适用于高效率DC-DC转换器、UPS和电机控制等应用。

文件类型: PDF 大小:763 KB

该文档介绍了STP60NF06型号N沟道60V功率MOSFET的特点和特性。该MOSFET具有出色的dv/dt能力和低输入电容和栅极电荷，适用于高效隔离DC-DC转换器等应用。

文件类型: PDF 大小:266 KB

这份文件介绍了一款N沟道功率MOSFET产品的特点和特性，包括采用了第二代MDmesh™技术、低输入电容和栅极电荷、低栅极输入电阻等。该产品适用于高效率转换器的开关应用。

文件类型: PDF 大小:413 KB

STD7NM50N-1,STF7NM50N和STP7NM50N是第二代MDmesh™PowerMOSFET，具有100%的雪崩测试、低输入电容和栅极电荷、低栅极输入电阻等特点，适用于最苛刻的高效率转换器应用。

文件类型: PDF 大小:413 KB

STP7NK80Z - STP7NK80ZFP STB7NK80Z - STB7NK80Z-1 是ST公司的N-CHANNEL800V-1.5Ω - 5.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK/D2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET, 具有非常好的dv/dt能力，可用于高电流、高速度切换、SMPS等应用。

文件类型: PDF 大小:1162 KB

STP7NK40Z - STP7NK40ZFP STD7NK40Z - STD7NK40Z-1 N-CHANNEL 400V-0.85Ω-5.4A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET I TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω I EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY I 100% AVALANCHE TESTED I GATE CHARGE MINIMIZED I VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES I VERY GOOD MANUFACTURING REPEATIBILITY

文件类型: PDF 大小:1170 KB

STP7NK40Z-STP7NK40ZFP-STD7NK40Z-STD7NK40Z-1是ST公司生产的一款N沟道400V-0.85Ω-5.4A的MOSFET，其特点包括典型RDS(on)=0.85Ω、极高dv/dt能力、100%雪崩测试、最小化栅极电荷、非常低的固有电容和非常好的制造重复性。该系列产品可用于高电流、高速开关、离线电源供应、适配器和PFC等应用。

文件类型: PDF 大小:612 KB

STP7NK30Z是一款由ST公司生产的高性能MOSFET器件，其额定电压为300V，导通电阻为0.80欧姆，最大电流为5A。该器件具有极高的dv/dt能力和100%的雪崩测试，非常适合于高要求的应用场合。

文件类型: PDF 大小:282 KB

1

文件类型: PDF 大小:89 KB