TEXAS说明书大全
TEXAS INSTRUMENTS TPS2041, TPS2051 POWER-DISTRIBUTION SWITCHES 数据手册
TPS2041, TPS2051 是 135-mΩ N-通道 MOSFET 高侧功率开关,具有 500mA 的连续电流、短路和热保护以及过电流逻辑输出。它们适用于可能遇到重负载和短路的应用。
文件类型: PDF 大小:416 KB
TEXAS INSTRUMENTS TPS2041B TPS2042B TPS2043B, TPS2044B, TPS2051B TPS2052B, TPS2053B, TPS2054B 数据手册
该文件介绍了TI公司的TPS2xx系列产品,包括其特点和特性。该系列产品在应用中具有广泛的用途。
文件类型: PDF 大小:1014 KB
TEXAS INSTRUMENTS TPS2042, TPS2052 DUAL POWER-DISTRIBUTION SWITCHES 数据手册
TPS2042和TPS2052双电源分配开关是用于需要多个电源开关的电源分配系统的,它们具有135-mΩ N通道MOSFET高侧电源开关,并且在单个封装中集成两个开关。每个开关由逻辑使能控制,该使能与5伏逻辑和3伏逻辑兼容。门驱动由内部充电泵提供,该充电泵旨在控制电源开关的上升时间和下降时间,以最大程度地减少开关期间的电流冲击。充电泵不需要外部组件,并且允许从低至2.7 V的电源供电。当输出负载超过限流阈值或发生短路时,TPS2042和TPS2052会将输出电流限制为500 mA。
文件类型: PDF 大小:448 KB
TEXAS INSTRUMENTS TPS2043, TPS2053 TRIPLE POWER-DISTRIBUTION SWITCHES 数据手册
TPS2043和TPS2053三重功率分布开关专为可能出现重载电容负载和短路的应用而设计。TPS2043和TPS2053集成在单个封装中,具有三个135-mΩN通道MOSFET高侧功率开关,用于需要多个功率开关的电源分布系统。每种开关都由与5 V逻辑和3 V逻辑兼容的逻辑使能来控制。由内部充电泵提供门驱动,该充电泵控制功率开关上升时间和下降时间,以最小化开关期间的电流浪涌。该充电泵不需要外部组件,可从低至2.7 V的电源供电。当输出负载超过电流限制阈值或存在短路时,TPS2043和TPS2053会将输出电流限制到安全水平,方法是切换到低导通状态。
文件类型: PDF 大小:437 KB
TEXAS INSTRUMENTS TPS2041A, TPS2042A, TPS2043A, TPS2044A TPS2051A, TPS2052A, TPS2053A, TPS2054A CURRENT-LIMITED POWER-DISTRIBUTION SWITCHES 数据手册
TPS2041A, TPS2042A, TPS2043A, TPS2044A TPS2051A, TPS2052A, TPS2053A, TPS2054A 是德州仪器公司生产的80-mΩ 高侧 MOSFET 开关,这些开关适用于需要多个开关的功率分配系统。每通道能够承受 500 mA 的连续电流,并且还具有过电流逻辑输出、热保护和短路保护功能。
文件类型: PDF 大小:488 KB
TEXAS INSTRUMENTS TPS2030, TPS2031, TPS2032, TPS2033, TPS2034 POWER-DISTRIBUTION SWITCHES 数据手册
slvs190b是ti公司推出的一款高侧mosfet开关。它具有33-mΩ的低导通电阻,能够在2.7v至5.5v的范围内正常工作。该开关还具有短路保护、过流逻辑输出、逻辑电平使能输入等功能。
文件类型: PDF 大小:464 KB
TEXAS INSTRUMENTS TPS2030/TPS2031/TPS2032/TPS2033/TPS2034 POWER-DIS TRIBUTION SWITCHES 数据手册
SLVS190B是TI公司生产的一款高侧MOSFET开关,该开关具有33mΩ的低导通电阻,5-V的逻辑电源,短路保护和过流逻辑输出等特性
文件类型: PDF 大小:462 KB
TEXAS INSTRUMENTS TPS2020, TPS2021, TPS2022, TPS2023, TPS2024 POWER-DISTRIBUTION SWITCHES 数据手册
TPS202x系列是一种用于重载电容负载和短路的应用的电源分配开关。该系列产品采用50mΩ N通道MOSFET高侧功率开关,具有短路和过热保护、过电流逻辑输出等特点。它适用于2.7V至5.5V的工作范围,具有5V和3V逻辑兼容的逻辑使能输入。
文件类型: PDF 大小:377 KB
TEXAS INSTRUMENTS TPS2010, TPS2011, TPS2012, TPS2013 POWER-DISTRIBUTION 数据手册
TPS201xA系列是一种用于重型电容负载和短路场景的电源分配开关。该系列产品采用50-mΩ N沟道MOSFET高侧功率开关,可通过5V逻辑和3V逻辑进行控制。内部电荷泵提供门极驱动,控制开关的上升时间和下降时间,以最小化切换过程中的电流浪涌。过载和短路时,TPS201xA将输出电流限制在安全水平,并切换到恒流模式。当连续大负载和短路增加开关的功耗,导致结温上升时,该开关具有短路和热保护功能。
文件类型: PDF 大小:356 KB
TEXAS INSTRUMENTS TPS2010, TPS2011, TPS2012, TPS2013 数据手册
TPS201x系列是一种用于重载电容负载和短路的应用的电源分配开关。高侧开关是一个95mΩ N通道MOSFET。内部驱动器和电荷泵设计用于控制电源开关的上升时间和下降时间,以最小化开关期间的电流浪涌。电荷泵在100kHz工作,不需要外部元件,并允许从2.7V的电源进行操作。当输出负载超过电流限制阈值或存在短路时,TPS201x通过切换到恒流模式将输出电流限制在安全水平。连续的大过载...
文件类型: PDF 大小:366 KB
TEXAS INSTRUMENTS TPS1101, TPS1101Y 数据手册(1)
TPS1101是一种单通道低rDS(on)增强型P沟道MOSFET。该器件通过Texas Instruments LinBiCMOS处理器进行优化,可在3V或5V电源分配中提供电池供电系统。TPS1101具有最大-1.5V的VGS(th)和仅0.5µA的IDSS,是低电压便携式电池管理系统中理想的高侧开关,最大限度地延长电池寿命。TPS1101的低rDS(on)和优异的交流特性(上升时间为5.5ns,典型值)使其成为低电压开关应用的合理选择,例如用于脉宽调制(PWM)控制器或电机/桥驱动器的电源开关。超薄的TSSOP(PW)封装版本适用于高度受限的位置,其他P沟道MOSFET无法适应这些位置。该尺寸优势在不允许小外形集成电路(SOIC)封装的板高度限制的应用中尤为重要。这些应用包括笔记本电脑、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话和PCMCIA卡。
文件类型: PDF 大小:143 KB
TEXAS INSTRUMENTS TPS1120, TPS1120Y 数据手册(1)
TPS1120是一款双P通道增强模式MOSFET,采用了低rDS(on)技术,适用于3V或5V电源分配,主要用于电池供电系统中的高侧开关。具有最大VGS(th)为-1.5V和IDSS仅为0.5µA的特点,非常适合低压便携式电池管理系统,能够最大程度地延长电池寿命。具备内置的2kV ESD保护电路,可应对静电放电(ESD)风险。适用于笔记本电脑、个人数字助理(PDA)、手机、条形码扫描仪和PCMCIA卡等终端设备。
文件类型: PDF 大小:163 KB
TEXAS INSTRUMENTS TPS1100, TPS1100Y 数据手册(3)
tps1100是ti公司生产的一款单p通道增强型mosfet,该器件采用了ti公司的linbicmos工艺,适用于3v或5v电源管理系统,具有低rDS(on)、低电压和高开关速度等特点
文件类型: PDF 大小:189 KB
TEXAS INSTRUMENTS TPS1100, TPS1100Y 数据手册(1)
TPS1100, TPS1100Y是德州仪器的单P通道增强型MOSFET,该器件经过优化,可在电池供电系统中进行3V或5V电源分配。该器件具有最大VGS(th)为-1.5V和IDS为0.5µA的特点,是低压便携式电池管理系统的理想高侧开关,在该系统中,最大化电池寿命是主要关注点。TPS1100还具有低RDS(on)和出色的交流特性(典型上升时间为10ns),使其成为低压开关应用(如脉冲宽度调制(PWM)控制器或电机/桥驱动器的电源开关)的理想选择。TSSOP(PW)版本具有小尺寸和低高度,并且可以在其他P通道MOSFET无法安装的位置进行安装。这种尺寸优势在板空间紧张且高度限制不允许使用小外形集成电路(SOIC)封装的情况下尤为重要。
文件类型: PDF 大小:192 KB