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RD45HMF1是Nexperia公司生产的一款MOSFET型晶体管，该晶体管专门设计用于900MHz频段的高功率放大器应用。它的特点是高功率和高增益，输出功率可达45W，增益可达4.7dB。它适用于800-900MHz频段移动收音机的高功率放大器的输出级。

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RD60HUF1是一种MOS FET型晶体管，专门设计用于UHF高功率放大器应用。其特点包括高功率和高增益，功率输出大于60W，增益大于7.7dB @ Vdd=12.5V，频率为520MHz。具有高效率，UHF频段上为55%typ。适用于UHF频段移动无线电集的高功率放大器输出级。

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RD70HHF1是罗氏化学(ROHM)公司生产的一款高功率MOSFET型晶体管，专门设计用于HF射频功率放大器应用。该晶体管具有高功率和高增益特性，输出功率可达70W，增益可达13dB。RD70HHF1还具有高效率特性，在HF频段上的效率可达60%。该晶体管适用于HF频段移动无线电机组的高功率放大器输出级。

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RD70HVF1是一种MOS FET型晶体管，专为VHF/UHF高功率放大器应用而设计。特点包括高功率和高增益，在VHF频段时，Pout>70W，Gp>10.6dB @Vdd=12.5V,f=175MHz，在UHF频段时，Pout>50W，Gp>7.0dB @Vdd=12.5V,f=520MHz；高效率，在VHF频段时，60%typ.，在UHF频段时，55%typ.。适用于VHF/UHF频段移动无线电设备中的高功率放大器的输出级。符合RoHS指令。

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该文件介绍了MITSUBISHI LASER DIODES ML7xx45系列产品的特点和特性。这些产品是InGaAsP激光二极管，提供稳定的单横模振荡，发射波长为1310nm，标准连续光输出为5mW。该系列产品适用于FTTH和1Gbps以太网/光纤通道系统等应用。

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ML9XX11系列是MITSUBISHI生产的DFB（分布反馈）激光二极管，发射波长约为1550nm，适用于1.25Gbps数字传输系统。该系列产品具有宽温范围工作（-40至85ºC）、低阈值电流（典型为8mA）、高响应速度（典型为0.1nsec）和φ5.6mm TO-CAN封装等特点。

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ML9XX45系列是InGaAsP FP激光二极管，提供稳定的单横模振荡，发射波长为1550nm，标准连续光输出为5mW。ML9XX45是密封设备，带有光输出监测的光电二极管。适用于FTTH（家到户）系统等应用。

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ML7XX19系列是InGaAsP激光二极管，提供稳定的单横向模式振荡，发射波长为1310nm，标准连续光输出为5mW。ML7XX19是密封的设备，具有光电二极管进行光输出监控。这适用于光通信系统的光源，最高可传输2.5Gbps。

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ML7XX34系列是光纤通讯中用于2.5Gbps传输的DFB（分布式反馈）激光二极管，发射波长为1310nm，不需冷却即可在-40oC到95oC的宽温范围内稳定工作。

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这份应用笔记介绍了RD01MUS2和RD07MUS2B在380到470MHz频段的RF宽带特性数据（频率、输出功率与输入功率、输出功率与Vgg特性）

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这是一份关于RD07MUS2B单级放大器在400-470MHz带宽下的效率匹配RF性能的应用说明

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该应用说明书显示了RD07MUS2B单级放大器在135至175 MHz频段的RF宽带特性数据（频率特性、Pout与Pin特性）。

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本文档介绍了RD01MUS2单级放大器在450-527 MHz频段的射频性能特点，包括输出功率和输入功率之间的关系。

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这是一篇关于RD01MUS1 RF特性的应用笔记，介绍了RD01MUS1 RF特性

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本应用说明书显示了RD00HVS1使用Broad-Band Fixture测得的RF特性（频率特性和Pin vs. Pout特性）数据，并提供了测试夹具的等效电路和原理图。

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本应用说明介绍了RD00HVS1和RD02MUS1B 2级放大器在f=135到175MHz时的电压增益、输出功率和输入输出失真等射频特性

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该文档是一份关于硅射频功率半导体器件的应用说明，介绍了RD02MUS1B单级放大器在400到470MHz频率范围内的射频性能。文档中包含了频率特性、Pin vs. Pout特性、Pout vs. Vdd特性和Pout vs. Idq特性等数据。

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这份应用笔记介绍了RD07和RD02系列的推荐安装方法和注意事项

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本应用说明书展示了RD系列的浪涌容限测试结果

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This is a technical document for the silicon RF power semiconductors RA45H8994M1 and RA45H7687M1. It includes AM-AM, AM-PM and Vgg2-PM measurement results.

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