ATMEL说明书大全

T89C51RB2/RC2 是一款高性能 FLASH 版本的 80C51 8 位微控制器。它包含一个 16K 或 32K 字节的 Flash 存储器块，用于程序和数据。16 K 字节或 32 K 字节的 FLASH 存储器可以以并行模式或串行模式进行编程，具有 ISP 功能或通过软件进行编程。编程电压是从标准 VCC 引脚内部生成的。T89C51RB2/RC2 保留了 80C52 的所有功能，具有 256 字节的内部 RAM、7 个源 4 级中断控制器和三个定时器/计数器。此外，T89C51RB2/RC2 还具有可编程计数器阵列、1024 字节的 XRAM、硬件看门狗定时器、键盘接口、SPI 接口、用于多处理器通信的更通用的串行通道 (EUART) 和速度改进机制 (X2 模式)。引脚布局是 C52 的标准 40/44 引脚。T89C51RB2/RC2 的完全静态设计可以通过将时钟频率降低到任何值，甚至 DC，来降低系统功耗，而不会丢失数据。T89C51RB2/RC2 具有 2 种软件可选的活动减少模式和 8 位时钟预分频器，以进一步降低功耗。在空闲模式下，CPU 被冻结，而外围设备和中断系统仍然在运行。在掉电模式下，保存了 RAM，所有其他功能都不可用。T89C51RB2/RC2 增加的功能包括：

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该文件介绍了AT24C32A/64A产品的特点和特性，包括低压和标准电压操作、低功率设备、内部组织4096 x 8，8192 x 8、双线串行接口、施密特触发器、双向数据传输协议等。

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AT24C01A/02/04/08A/16A系列是1024/2048/4096/8192/16384位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，其内部组织为128/256/512/1024/2048字，每字8位。该器件经过优化，可用于许多工业和商业应用，在这些应用中，低功耗和低电压操作至关重要。AT24C01A/02/04/08A/16A采用节省空间的8引脚PDIP、8引脚JEDEC SOIC、8引脚MAP、5引脚SOT23(AT24C01A/AT24C02/AT24C04)、8引脚TSSOP和8引脚dBGA2封装，并通过双线串行接口进行访问。此外，该系列产品均提供2.7V(VCC=2.7V至5.5V)和1.8V(VCC=1.8V至5.5V)两种供电电压。

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AT29BV020是一款2.7伏特系统内闪存可编程和可擦除只读存储器(PEROM)

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介绍了ATAVRRZ502 Accessory Kit（RZ502）的硬件特性，包括评估应用程序、IEEE 802.15.4库和建立点对点连接的示例。支持IAR和GCC编译器。

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该文档是关于AT89C2051的介绍，AT89C2051是一款低压、高性能的CMOS 8位微控制器，具有2KB的Flash可编程和可擦除只读存储器（PEROM）。

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这是一个关于 AT17F 系列的 In-System Programmable Configuration PROM 的文件。这款产品是一种易于使用、成本效益高的配置存储器，用于 Field Programmable Gate Arrays。

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该文件介绍了AT24C16B产品的特点和特性，该产品为序列电可擦可编程只读存储器，具有低功耗和低电压操作的优势，适用于工业和商业应用。

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AT49BV001A(N)(T)是一种2.7伏特的系统内可重编程闪存存储器，具有快速的读取访问时间、扇区架构、快速擦除周期时间、硬件数据保护等特点。

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AT45DB161D是一款2.5伏或2.7伏的串行接口顺序访问Flash存储器，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB161D支持RapidS串行接口，适用于需要非常高的数据传输速率的应用。

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Atmel 8 位集成 USB 控制器系列微控制器支持多种 USB 应用程序，如高端键盘、鼠标、手机配件、玩具、串行适配器和工业设备。

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该文档是AT90USBKey硬件用户指南，介绍了AT90USBKey开发板的特点和功能。

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AT91SAM7X-EK和AT91SAM7XC-EK评估套件提供了评估能力和代码开发的功能。

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AT45DB081D是2.5V或2.7V、串行接口闪存，非常适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB081D支持RapidS串行接口，适用于需要非常高速度操作的应用。

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AT89S2051/S4051是Atmel公司的一款低电压高性能CMOS 8位微控制器，具有2K/4K字节的In-System Programmable（ISP）Flash程序存储器。该器件采用Atmel的高密度非易失性存储器技术制造，并与行业标准MCS-51指令集兼容。通过在单片芯片上将多功能8位CPU与Flash结合，Atmel AT89S2051/S4051是一款功能强大的微控制器，可提供高度灵活且成本效益高的解决方案。

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AT45DB011B是1MB的2.7伏特只有数据闪存，专为各种数字语音，图像，程序代码和数据存储应用而设计。它的1081,344位内存组织为512页，每页264字节。除了主存储器之外，AT45DB011B还包含一个264字节的SRAM数据缓冲区。缓冲器允许在主存储器中的页面正在重新编程时接收数据。EEPROM模拟（位或字节可变性）可通过内置的三步读 - 修改 - 写操作轻松处理。不同于使用多个地址线和并行接口随机访问的传统闪存，数据闪存使用串行接口，该接口仅使用一个地址线。AT45DB011B支持单个页面和块擦除操作。

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AT24C32A/64A是32,768/65,536位串行电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，以4096/8192个8位单词组织，是低功耗和低电压操作必不可少的许多工业和商业应用的理想选择。

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AT49BV320D(T)是一款2.7伏32兆字节的Flash存储器，组织为2,097,152个各16位单词。存储器被分为71个扇区用于擦除操作。该设备提供48引脚TSOP封装和47球CBGA封装。该设备具有CE和OE控制信号，以避免任何总线争用。该设备可以使用单个电源进行读取或重新编程，因此非常适合系统编程。设备在读模式下启动。命令序列用于将设备置于其他操作模式。

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