ATMEL说明书大全

介绍了Atmel AT29系列Flash的设计优势，以及如何使用设备ID功能来调整不同的密度和电源电压。

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Atmel的Flash存储器具有可编程可擦除只读存储器的特点，采用先进的亚微米工艺和高效的存储单元来存储数据。它使用Fowler-Nordheim隧道效应进行擦除和编程，需要较低的编程电流，并且支持扇区编程。与第一代Flash存储器相比，它具有更简单的硬件实现和更灵活简单的编程命令。

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该文档介绍了AT29系列闪存的软件芯片擦除方法，包括方法的原理和步骤，并给出了示例代码。

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该文件为AT29C020可编程只读存储器（PEROM）的可靠性数据报告，包括动态工作寿命测试、高温保持烘烤、循环测试等。该产品具有高可靠性和稳定性。

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AT29C010A是一种5V供电的系统内可编程和可擦除的只读存储器（PEROM）。它具有快速的读取访问时间、扇区编程操作、内部程序控制和定时器、硬件和软件数据保护等特点。

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AT29C040A是一款5伏特的系统内闪存可编程和可擦除只读存储器（PEROM）。其4兆字节的存储器组织为524,288个字节，每个字节8位。制造商采用Atmel的先进非易失性CMOS EEPROM技术，该器件提供高达90ns的访问时间和低220 mW的功耗。当器件未被选中时，CMOS待机电流小于100µA。该器件的耐久性是这样的，任何扇区通常可以写入超过10,000次。编程算法与Atmel的5伏特只有Flash系列中的其他设备兼容。为了允许简单的系统内重编程，AT29C040A不需要高输入电压进行编程。五伏特命令确定器件的操作。从设备中读取数据类似于从EPROM中读取数据。重新编程AT29C040A是由内部地址和数据锁存器控制的单周期重编程（擦除和编程）。

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AT49F1024A是一种5伏特的系统内Flash存储器，由Atmel的先进非易失性CMOS技术制造，具有45纳秒的访问时间和275毫瓦的功耗。它具有单电压操作、快速擦除周期时间、硬件数据保护等特点，适用于简单的系统内可重编程。

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AT27BV010是Atmel公司生产的一款低功耗、低压、一次可编程只读存储器（OTP EPROM）。该器件的工作电压范围为2.7V-3.6V，仅需要一个电源，是理想的快速、便携式系统之选择，可使用有源或无源电池供电。该器件采用Atmel创新的设计技术，在3V供电的情况下保持低功耗，且速度快，可与5V器件相媲美。在2.7V供电时，任何字节都能在90ns内访问。该器件在5MHz频率下工作时，功耗仅为18mW，在3V供电时，待机模式供电电流仅为1µA。

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Atmel AT27BV020 是一款高性能、低功耗、低电压、2,097,152 位、一次可编程只读存储器 (OTP EPROM)，容量为 256K 字节 x 8 位。

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AT27BV040芯片是一种高性能、低功耗、低电压、4,194,304位的一次性可编程只读存储器(EPROM)，以512K×8位的形式组织。它在正常读取模式下只需要在2.7至3.6V范围内的一个供电，非常适合使用受控或不受控的电池电源的快速便携式系统。Atmel的创新设计技术提供了与5V部件相媲美的快速速度，同时保持3V电源的低功耗。在VCC = 2.7V时，任何字节的访问时间都不到100 ns。在5 MHz和VCC = 3V时的典型功耗仅为18 mW，AT27BV040的功耗不到标准5V EPROM的五分之一。待机模式的供电电流通常小于1 µA。

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AT27BV1024是一款高性能、低功耗、低电压1,048,576位一次可编程只读存储器（OTP EPROM），具有64K*16位组织结构。它在正常读取模式操作中只需要2.7V至3.6V范围内的单一电源。by-16组织使这部分成为使用受控或不受控电池电源的便携式和手持式16位和32位微处理器系统的理想选择。Atmel的创新设计技术提供与5V零件相媲美的快速速度，同时保持3V电源的低功耗。在VCC = 2.7V时，任何字都可以在120ns内访问。在5MHz和VCC = 3V时，AT27BV1024仅消耗18mW的典型功率，消耗量不到标准5V EPROM功耗的五分之一。待机模式供电电流不到1µA。

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AT27BV256是一种高性能、低功耗、低电压的262,144位一次可编程只读存储器(OTP EPROM)，采用32K×8位的组织形式。它在正常读取模式下只需要2.7V至3.6V范围内的一个供电，非常适合使用有规则或无规则电池电源的快速便携式系统。Atmel的创新设计技术提供了与5V器件相媲美的快速速度，同时保持了3V供电的低功耗。在VCC=2.7V时，任何单词的访问时间都不超过70 ns。在5 MHz和VCC=3V的情况下，典型功耗仅为18 mW，AT27BV256的功耗不到标准5V EPROM的五分之一。待机模式的供电电流通常小于1

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该文档详细介绍了AT27C010的特性，它是一款低功耗、高性能的1,048,576-bit一 次可编程只读存储器(OTP EPROM)，具有快速读取访问时间、低功耗、高可靠性等特点

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AT27C020是一款低功耗，高性能，2,097,152位，一次可编程只读存储器（OTP EPROM），组织为256K×8位。它仅需要一个5V电源在正常读取模式操作。任何字节都可以在55ns内访问，从而消除了在高性能微处理器系统上需要减速等待状态的需求。在读取模式下，AT27C020通常消耗8mA。待机模式电源电流通常小于10µA。AT27C020可在行业标准JEDEC认可的一次可编程（OTP）塑料PDIP、PLCC和TSOP封装中进行选择。所有器件都具有两线控制（CE、OE），以便设计人员有灵活性来防止总线争用。凭借256K字节的存储能力，AT27C020允许固件可靠地存储并由系统访问，而无需大容量存储介质的延迟。Atmel的AT27C020具有其他功能，以确保高质量和高效生产。

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AT27C040是一款低功耗、高性能、4,194,304位一次性可编程只读存储器(OTP EPROM)，组织为512K×8位。

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该文件介绍了Atmel AT27C080芯片的特点特性，包括快速读取访问时间、低功耗CMOS操作、JEDEC标准封装、5V ± 10%供电、高可靠性CMOS技术、快速编程算法、CMOS和TTL兼容输入输出、集成产品识别码、工业温度范围、绿色（铅/卤素免）包装选项等。

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AT27C1024是一款低功耗、高性能的1,048,576位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），组织为64K*16位。在正常读取模式操作中，只需要一个5V电源。任何单词都可以在不到45ns的时间内访问，消除了需要速度降低的WAIT状态。

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AT27C2048是Atmel公司的一款2,097,152位一次性可编程只读存储器(OTP EPROM)，具有快速读取访问时间(55ns)、低功耗CMOS操作(100µA最大待机，35mA最大活动)、JEDEC标准封装(40引脚PDIP、44引脚PLCC、40引脚VSOP)、直接升级512-Kbit和1-Mbit(AT27C516和AT27C1024)EPROMs、5V±10%电源供应、高可靠性CMOS技术(2,000V ESD保护，200 mA Latchup免疫)、快速编程算法(50µs/Word(典型))、CMOS和TTL兼容输入和输出、集成的生产标识码和工业温度范围。

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AT27C256R是一种低功耗、高性能的262,144位一次性可编程只读存储器(OTP EPROM)，采用32K x 8位的组织方式。它只需要一个5V电源，在正常读取模式下操作。任何字节都可以在45 ns内访问，无需在高性能微处理器系统上降低速度的等待状态。Atmel的缩放CMOS技术提供低功耗和快速编程。在主动模式下，功耗通常仅为8 mA，在待机模式下小于10 µA。AT27C256R有多种行业标准的JEDEC认证的一次性可编程(OTP)塑料DIP、PLCC、SOIC和TSOP封装可供选择。所有设备都具有双线控制(CE, OE)，给设计者提供了防止总线争用的灵活性。AT27C256R具有32K字节的存储能力，可以可靠地存储固件，并在系统中访问，无需等待大容量存储介质。Atmel的AT27C

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