ATMEL说明书大全

AT27C512R是Atmel公司的一款524,288-bit one-time programma- ble read-only memory (OTP EPROM)，具有快速读取速度、低功耗、高可靠性等特点。

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AT27C516是一款低功耗、高性能的524,288位一次可编程只读存储器（OTP EPROM），组织为32K x 16位。它只需要一个5V电源在正常读取模式操作。任何字都可以在不到45ns内访问，消除了需要速度降低的WAIT状态。该by-16组织使该部分成为高性能16位和32位微处理器系统的理想选择。在读取模式下，AT27C516典型消耗15 mA。待机模式供电电流通常小于10μA。AT27C516可在行业标准的JEDEC批准的一次可编程（OTP）塑料PLCC和VSOP封装中使用。该设备具有两线控制（CE，OE）以消除高速系统中的总线争用。凭借32K字存储能力，AT27C516允许固件可靠地存储并由系统访问，而无需大量存储介质的延迟。Atmel的AT27C516具有其他功能，以确保高质量和高效的生产使用。快速编程算法减少了编程时间，而高可靠性和低电流消耗确保了可靠的程序存储和操作。

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AT27C4096是一种低功耗、高性能的4194304位一次性可编程只读存储器(OTP EPROM)，采用256Kx16位的组织方式。它需要单一的5V电源，在正常读模式下操作。任何字都可以在少于55 ns内访问，无需降低速度的等待状态。x16的组织方式使得该器件非常适用于高性能的16位和32位微处理器系统。在读模式下，AT27C4096通常消耗15 mA的电流。待机模式下的供电电流通常小于10 µA。AT27C4096可用于行业标准的JEDEC认证的一次性可编程(OTP)塑料PDIP、PLCC和VSOP封装。该器件采用两线控制(CE、OE)，以消除高速系统中的总线竞争。具备高密度的256K字存储能力，AT27C4096可以可靠地存储固件并进行访问。

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AT27LV020A是一款高性能、低功耗、低电压的2,097,152位一次可编程只读存储器（OTP EPROM），采用256K×8位组织。在正常读取模式操作中，它只需要一个在3.0至3.6V范围内的电源，使其非常适合使用电池电源的快速便携式系统。Atmel的创新设计技术提供与5V器件相媲美的高速度，同时保持3V供电的低功耗。在VCC = 3.0V时，任何字节都可以在120ns内访问。在5MHz和VCC = 3.3V时，典型功耗仅为18mW，AT27LV020A的功耗不到标准5V EPROM的五分之一。待机模式电源电流通常小于1µA，这使AT27LV020A成为电池供电应用的理想选择。

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AT27LV040A是一种高性能、低功耗、低电压的4,194,304位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），以512K x 8位的方式组织。它在正常读取模式下只需要3.0至3.6V范围内的一个供应电压，非常适合使用电池供电的快速便携式系统。Atmel的创新设计技术提供了与5V部件相媲美的快速速度，同时保持3V供电的低功耗。在VCC = 3.0V时，任何字节的访问时间都小于90 ns。在5 MHz和VCC = 3.3V时，典型功耗仅为18 mW，AT27LV040A的功耗不到标准5V EPROM的一半。待机模式下，3.3V的供电电流通常小于1 µA。

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AT27LV256A是一种高性能、低功耗、低电压的262,144位一次可编程只读存储器（OTP EPROM），由32K x 8位组成。它在正常读取模式下只需3.0V至3.6V范围内的一个供应电源，非常适用于使用电池供电的快速便携式系统。Atmel的创新设计技术提供了与5V部件相媲美的快速速度，同时保持了3.3V供电的低功耗。在VCC=3.0V时，任何字节的访问时间都不超过55纳秒。在5 MHz和VCC=3.3V的情况下，典型功耗仅为18毫瓦，AT27LV256A的功耗不到标准5V EPROM的五分之一。待机模式下，供电电流通常低于1微安（3.3V）。AT27LV256A可用于工业温度范围。

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AT27LV512A是一种高性能、低功耗、低电压的OTP EPROM，适用于快速、便携式使用电池电源的系统。它具有快速的读取速度和低功耗特性，支持多种电压范围操作，具备低功耗的待机模式和快速编程算法。

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AT27BV512是一款高性能、低功耗、低电压的524,288位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），以64K x 8位组织。在正常读模式操作中，它只需要一个在2.7到3.6V范围内的电源，非常适合使用受控或非受控电池电源的快速、便携式系统。Atmel的创新设计技术提供与5V元件相媲美的快速速度，同时保持3V电源的低功耗。在VCC = 2.7V时，任何字节都可以在70ns内访问。在5MHz和VCC = 3V时，AT27BV512的典型功耗仅为18mW，消耗的功率不到标准5V EPROM的五分之一。待机模式供电电流通常小于1µA。

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本文档介绍了ATV750B/BL PLD与ATF750C/CL PLD的区别，包括功能、封装、温度等方面

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TS80C52X2是一款高性能CMOS ROM、OTP、EPROM和ROMless版本的80C51 CMOS单片8位微控制器。它保留了80C51的所有特点，具有扩展的ROM/EPROM容量（8 Kbytes），256字节的内部RAM，一个6源、4级中断系统，一个片上振荡器和三个定时器/计数器。此外，TS80C52X2还具有双数据指针、更多用途的串行通道（EUART）以及X2速度改进机制。

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A/T89C51AC2是一款高性能闪存版本的80C51单片8位微控制器，具有256字节的内部RAM和32 KB的闪存内存。它具有多种特性，包括定时器/计数器、UART、PWM以及模拟到数字转换器等。

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该文档介绍了一种基于80C51核心架构的微控制器产品，具有256字节的片上RAM存储器、2048字节的片上ERAM存储器和64K字节的片上闪存存储器。此外，该产品还具有独立锁位的启动代码区、用于引导程序的2K字节片上闪存、通过片上UART引导程序和IAP功能进行在系统编程的能力以及2K字节的片上EEPROM存储器。该产品还具有集成的电源监视器、14个中断源、三个16位定时器/计数器、全双工UART、高速架构、五个端口、五通道16位PCA、双数据指针、21位看门狗定时器、10位分辨率的模拟数字转换器、SPI接口、片上仿真逻辑和省电模式等特性。

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TS87C51RB2/RC2是80C52兼容的高性能8位单片机

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这是一份关于高性能、低功耗的AVR® 8位微控制器的文档。该微控制器采用先进的RISC架构，具有强大的指令集和快速执行能力。它还拥有大容量的非易失性存储器、多个定时器/计数器、模拟比较器等外设功能。

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该文档详细介绍了ATmega16U4的特点特性，包括高性能、低功耗、高耐久性、非易失性存储等。

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ATtiny1616是基于AVR的8位微控制器，具有高性能和低功耗。它具有129条强大的指令，大部分单周期执行，32个8位通用工作寄存器，完全静态操作，每MHz的1MIPS吞吐量，以及片上2周期乘法器。ATtiny1616还具有8KB可在系统中编程的程序存储器，10,000次写/擦循环，可选的带有独立锁位引脚的引导代码段，片上引导程序进行在系统编程，真读写操作，512字节可在系统中编程的EEPROM，100,000次写/擦循环，512字节内部SRAM，以及用于Flash程序和EEPROM数据安全的编程锁。

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本文件介绍了AT91SAM9G20A系列高性能低功耗AVR ® 8位微控制器的特点特性。

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该文档介绍了ATmega4809AVR® 8位微控制器的特点特性。该微控制器具有高性能、低功耗、高达20 MIPS吞吐量、128K字节的可在系统中自我编程的Flash存储器、4K字节EEPROM存储器、16K字节内部SRAM存储器、JTAG接口、两路8位定时器/计数器、两路16位定时器/计数器、独立的振荡器、六路PWM通道、8通道、10位ADC差分模式、两路可编程串行USART、主/从SPI串行接口、可编程看门狗定时器、独立的片上振荡器、片上模拟比较器、中断和引脚变更唤醒功能等特性。

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该数据手册主要介绍AVR® ATmega128A 8位微控制器的特性和功能，包括131条强大的指令、32 x 8通用寄存器、20 MHz 时钟频率下的20 MIPS吞吐率、128K字节的In-System Self-Programmable Flash、4K字节的EEPROM、16K字节的Internal SRAM等。

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