IXYS说明书大全

该文件是IXYS公司生产的一种标准功率MOSFET产品的规格说明书。该产品是一种P通道增强型MOSFET，具有200V的耐压、24A的电流承受能力和0.15Ω的导通电阻。其特点包括国际标准封装、低导通电阻、耐压能力强、易于驱动和保护等。适用于高侧开关、推挽放大器、直流斩波器和自动测试设备等应用。

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该文件介绍了IXYS公司生产的N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt型号的功率MOSFET。产品具有低导通电阻、耐压能力强、可用于开关感应负载等特点。

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DSA 90 C 200HB 是一种高性能肖特基二极管，具有低损耗和软恢复功能。它具有非常低的Vf、极低的开关损耗、低的Irm值、改进的热性能、高可靠性的电路操作、低电压峰值以减少保护电路、低噪声开关和低损耗。

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DSA 20 C 150PN 是一款高性能肖特基二极管，具有低损耗和软恢复特性。它可以用于开关电源的整流器和低压转换器的自由轮动二极管中。

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ISOPLUS247TM G D HiPerFETTM 功率 MOSFET 是 IXYS 公司生产的一种功率 MOSFET，具有高功耗、低漏电流、高开关速度等特点。该产品适用于 DC-DC 转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、DC 斩波器、交流电机控制等领域。

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DSA 70 C 150 HB 是一款高性能肖特基二极管，具有极低的 Vf 和极低的开关损耗等特点

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IXFX PLUS 247TM 是 IXYS 推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低栅极电阻、高 dV/dt 和低 trr 等特点，适用于 DC-DC 转换器、开关模式和谐振模式电源、DC 斩波器和脉冲电源等应用。

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该数据表格介绍了IXFH/IXFT型号的N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt MOSFET产品的特性参数，包括额定电压、最大电流、导通电阻等。

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该文件介绍了DSA 30 C 45 HB高级肖特基二极管的符号定义、额定参数、特点和优势以及应用领域。该二极管具有非常低的Vf、极低的开关损耗、低的Irm值、改进的热行为、高可靠性电路操作、降低保护电路的低电压峰值和低噪音开关等特点。

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IXTH 50N20是IXYS公司生产的一款N沟道增强型MOSFET，其最大电压为200V，最大电流为50A，典型导通电阻为45mΩ，采用TO-247和TO-204封装。

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DHG 40 C 600 HB 是飞利浦半导体公司生产的一种快速恢复二极管，其特点是具有非常低的漏电流、非常短的恢复时间、改进的热行为、非常低的 Irm 值、非常软的恢复行为、雪崩电压额定可靠运行、软反向恢复以降低 EMI/RFI、低 Irm 可减少: - 二极管内的功耗 - 开关中转换损失

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该文件介绍了DHG 40 C 1200 HB advanced ns Sonic Fast Recovery Diode的符号定义、评级、特点和优势以及应用领域。

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该文件介绍了IXYS公司2004年生产的一款产品的测试条件和最大额定值，包括电压、电流、功耗等参数。该产品采用了硅芯片和直铜键合基板，具有高功率耗散和隔离安装表面等特点。此外，该产品还具有高阻挡能力、低导通电阻和溅流保护等特性，适用于开关电源、不间断电源、功率因数校正、焊接和感应加热等应用领域。

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