Numonyx说明书大全

NUMONYX M29W640FT/M29W640FB 说明书

M29W640FT M29W640FB 64 Mbit (8Mb x8 或 4Mb x16, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 特征摘要

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NUMONYX M29W320DT M29W320DB 说明书

该文档介绍了2008年3月发布的Rev 10版本的M29W320DT和M29W320DB型号的Flash存储器的特点和特性,包括供电电压范围、访问时间、编程时间、内存块数量、编程/擦除控制器、擦除暂停和恢复模式、快速编程和写保护、低功耗、程序/擦除循环次数、电子签名等。

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NUMONYX M25P10-A 1 Mbit, serial Flash memory, 50 MHz SPI bus interface 数据手册

M25P10-A是1Mbit的闪存存储器,具有2.3到3.6V单电源电压、50MHz时钟速率(最大)、深度电源下电模式1μA(典型)、JEDEC标准两字节签名(2011h)、RES指令、一字节签名(10h)、更多20多年的数据保留等特点

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NUMONYX M29W040B Low Voltage Single Supply Flash Memory 说明书

M29W040B 4 Mbit (512Kb x8, Uniform Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory 是一款单电源2.7-3.6V的Flash存储器,具有55ns的访问时间和10µs/Byte的编程时间,支持8个64K字节的存储块,以及内置的字节编程、多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位、擦除暂停和恢复模式、解锁旁路编程命令、低功耗、100,000次/块的编程/擦除周期和20年的数据保留。

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NUMONYX NAND01G-B2B NAND02G-B2C 说明书

本文档详细介绍了NAND01G-B2B和NAND02G-B2C的特点特性,包括高密度NAND flash存储器、NAND接口、电源电压、页大小、块大小、页读/程序、复制回程序模式、高速块擦除、状态寄存器、电子签名、芯片使能无关、序列号选项、数据保护、数据完整性、ECOPACK®包装、开发工具等。

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