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该文件介绍了鼎好公司的现货库存、技术资料、百科信息、热点资讯等内容。其中，QFET产品具有高品质、高性能的特点。

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该文件是关于鼎好公司的产品信息，包括现货库存、技术资料、百科信息、热点资讯等内容。产品特点是使用了QFET技术，具有高性能和稳定性。

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这份文档介绍了FQPF140N03L型号的30V逻辑N沟道MOSFET产品的特点。该产品采用Fairchild的专有DMOS技术，具有低通态电阻、优异的开关性能以及能够承受高能量脉冲的特点。适用于低压应用，如DC/DC转换器、便携式和电池操作产品的高效能开关电源管理。

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FQPF140N03L是飞兆半导体推出的一款30V逻辑N沟道MOSFET，其特点包括低导通电阻、高效率开关、优良的浪涌电流承受能力，适用于低压应用场合如DC/DC转换器、便携式和电池供电产品中的功率管理等

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该文件介绍了FQP13N50CF / FQPF13N50CF型号的500V N-Channel MOSFET的特点，包括13A的额定电流、低门电荷、快速开关速度、100%的雪崩测试、改进的dv/dt能力等。

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FQP13N50C/FQPF13N50C是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种500V N通道MOSFET，具有低门极电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特点。

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该文档介绍了FQP13N50/FQPF13N50型号的500V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括最小导通电阻、优异的开关性能、高能量脉冲耐受能力等。适用于高效开关电源、功率因数校正和半桥电子灯镇流器等应用。

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这份文件介绍了Fairchild Semiconductor International于2000年12月发布的FQPF13N10L QFET产品。该产品是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用了Fairchild独有的平面条纹DMOS技术。该产品具有低通态电阻、优异的开关性能和高能脉冲下的耐受能力，非常适用于低电压应用，如高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制等。

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该文件介绍了FQPF13N10L型号的N沟道增强型功率场效应晶体管的特点和特性，包括低开态电阻、优越的开关性能、能够承受高能量脉冲以及改进的dv/dt能力。该器件适用于低电压应用，如高效率开关式DC/DC转换器和直流电机控制。

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FQPF13N10是100V N通道MOSFET，具有8.7A的连续电流、100V的漏源电压、0.18Ω的开关电阻，并且具备低门极电荷和低栅极电容，具有100%的雪崩测试和175°C的最大结温。

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FQPF12N60是一种高效的开关模式电源供应器，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。

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该数据手册提供了FQPF12N20L的数据信息，包括总览、特性、规格、参数等。

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FQPF12N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、电机控制等领域。

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该文件介绍了鼎好公司的现货库存、技术资料、百科信息和热点资讯。其中提到了QFET产品，QFET可能是产品的型号。

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本文介绍了Fairchild公司生产的FQPF11P06型60V P-Channel MOSFET的特点和特性。这款产品采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。适用于低压应用领域，如汽车、DC/DC转换器以及便携式和电池操作产品中的高效率开关电源管理。

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FQPF11P06是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种60V P通道MOSFET。该器件适用于汽车、DC/DC转换器等低压应用，具有低导通电阻、快速开关、100%雪崩测试等特点。

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FQP11N50CF/FQPF11N50CF是Fairchild生产的一款500V N-Channel MOSFET，具有11A电流、500V电压、0.55Ω导通电阻、43 nC栅极电荷、20pF跨导、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和90ns快恢复体二极管等特性。

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该产品是一款400V N-Channel MOSFET，其特点包括10.5A、400V、RDS(on)=0.5 Ω @VGS=10V、低门控电荷（典型值为28 nC）、低Crss（典型值为85pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等。

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