三星说明书大全
三星 S3C2800 数据手册(1)(1)
S3C2800 32-BIT RISC MICROPROCESSOR DATA SHEET是三星发布的一款32位RISC微处理器的详细资料
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三星 S3C2510A 说明书(1)
S3C2510A是一款高性价比、高性能的微控制器解决方案，适用于以以太网为基础的系统，例如SOHO路由器、互联网网关、WLAN AP等。
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三星 S3C2510A 说明书(1)(1)
S3C2510A是三星公司一款16/32位RISC微控制器，它是一款高性价比的微控制器解决方案，适用于以太网系统，例如SOHO路由器、互联网网关、WLAN AP等。
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三星 S3C2501X 用户手册(1)
本手册介绍了S3C2501X的功能和特性，包括架构概述、寄存器和指令集、寻址模式、片内外存储器接口、中断控制器、串行口、定时器、I/O口、看门狗定时器、系统控制器和片上调试接口等。
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三星 S3C2500B 用户手册(1)(1)
本手册介绍了S3C2500B 32位RISC微处理器的功能和特性，包括引脚定义、时序信息、控制寄存器、中断系统、存储器管理、片上外设和软件接口。
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三星 S3C2440X RISC MICROPROCESSOR 说明书(1)
S3C2440X是三星公司开发的一款16/32位RISC微处理器，采用ARM920T内核，0.13um CMOS标准单元，完全静态设计，低功耗，适合成本和功耗敏感的应用
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三星 S3C2440X RISC MICROPROCESSOR 说明书(1)(1)
该文档介绍了三星S3C2440X 16/32位RISC微处理器，该处理器适用于手持设备和一般应用，具有低功耗和高性能的微控制器解决方案。
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三星 K4S64163LH - R(B)E/N/G/C/L/F 说明书
K4S64163LH-R(B)E/N/G/C/L/F是三星生产的一种移动内存，它采用了高性能的CMOS技术，具有2.5V的电源供应、4个银行操作、MRS周期和EMRS周期等特点。
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三星 K4S641633H - R(B)E/N/G/C/L/F 说明书(1)
K4S641633H是三星公司生产的一种带有动态随机存取内存（DRAM）的存储器，它具有3.0V和3.3V的供电电压，支持四个银行操作，支持1、2、3、4、8、Full Page等多种突发长度，还支持顺序和交错两种突发类型。该产品具有特殊功能支持，包括部分阵列自刷新（PASR）和内部温度补偿自刷新（TCSR），并且支持DQM掩码和自动刷新。该产品的商业温度范围为-25°C至70°C，扩展温度范围为-25°C至85°C。该产品采用54Balls FBGA封装，引脚间距为0.8mm，带有引线（-RXXX）和无铅（-BXXX）两种封装类型。
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三星 K4S641633H - R(B)E/N/G/C/L/F 说明书(1)(1)
该文件介绍了K4S641633H-R(B)E/N/G/C/L/F型号的移动SDRAM产品的特点和特性，包括3.0V和3.3V电源供应、LVCMOS兼容性、四个存储区域操作、MRS和EMRS循环等。
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三星 K4S56163LF - X(Z)E/N/G/C/L/F 说明书(1)
该文件介绍了鼎好公司的K4S56163LF型号移动SDRAM产品的特点。该产品采用2.5V电源供应，与多路复用地址兼容，具有四个存储区操作。该产品支持CAS延迟、突发长度和突发类型的设置，具有特殊功能支持，如部分阵列自刷新和温度补偿自刷新等。该产品适用于高带宽、高性能内存系统应用。
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三星 K4S56163LF - X(Z)E/N/G/C/L/F 说明书(1)(1)
该文档介绍了K4S56163LF型号的移动SDRAM产品的特点和特性，包括2.5V电源供应、LVCMOS兼容的多路复用地址、四个存储区操作、MRS循环和EMRS循环等功能。
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三星 K4S56163PF - R(B)G/F 说明书(1)
K4S56163PF为三星生产的268,435,456位同步高数据速率动态随机存储器，组织形式为4 x 4,196,304字节×16位，采用三星高性能CMOS技术制造。同步设计允许使用系统时钟精确控制周期，并且可以在每个时钟周期进行I/O事务。可编程的操作频率、可编程的突发长度和可编程的延迟允许同一设备在各种高带宽和高性能内存系统应用中使用。
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