FAIRCHILD AN-9747 Assembly Guidelines for MicroFET 1.6x1.6mm Dual Packaging 数据手册 该应用笔记介绍了微FET 1.6x1.6毫米的组装指南
FAIRCHILD AN-9725 Robust Body Diode Characteristics of the Latest Power MOSFETs, UniFET II for Resonant Converters 数据手册 本应用笔记介绍了UniFET™ II 新型功率MOSFET, 其专为谐振转换器设计，具备优异的体二极管特性，可在谐振转换器中确保更高的可靠性及效率
FAIRCHILD AN-7514 Single-Pulse Unclamped Inductive Switching: A Rating System 数据手册 本应用笔记介绍了Fairchild的单脉冲无钳位感性开关（UIS）额定曲线。这些曲线用于评估功率MOSFET在单脉冲UIS条件下对瞬态电压浪涌的耐受性。这些曲线可以帮助设计人员在设计应用时选择最适合其应用的MOSFET。
FAIRCHILD AN-7515 Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System 数据手册 该文件介绍了PowerMOS晶体管的UIS评级系统,用于评估晶体管是否能够承受UIS应力水平
FAIRCHILD UniFET Optimized Switch for Discontinuous Current Mode Power Factor Correction 数据手册 本文介绍了在间断电流模式功率因数校正应用中，平面技术功率MOSFET相较于超结技术装置在成本上具有竞争力，并提供了性能优势。通过数学模拟和系统级实验验证了这些优点。Fairchild的一款新型平面技术功率MOSFET显示出更快的开关特性，有助于提高效率和降低器件温度。
FAIRCHILD Gate Resistor Design Guidelines for SupreMOS 数据手册 本文介绍了SupreMOS® MOSFETs的门极电阻设计指南。讨论了门极电阻的最小和最大值，以实现在硬开关应用中的最佳性能。
FAIRCHILD AN-9068 Gate Resistor Design Guidelines for SupreMOS (Chinese Translation) 数据手册 本文介绍了SupreMOS®产品在硬开关应用中门极电阻（Rg）的设计指南。通过优化门极驱动，可以实现更高的功率转换效率。文章还说明了Rg的最小和最大推荐值，并提供了根据不同条件选择Rg的表格。同时，还介绍了使用SupreMOS产品替代其他功率型MOSFET时需要考虑的开关损耗问题。
FAIRCHILD AN-9732 LED Application Design Guide Using BCM Power Factor Correction (PFC) Controller for 200W Lighting System 数据手册 本文介绍了使用BCM功率因数校正(PFC)控制器的LED应用设计指南，适用于200W照明系统。通过实验验证了设计程序和200W原型转换器。
FAIRCHILD LED Application Design Guide Using BCM Power Factor Correction (PFC) Controller for 100W Lighting System 数据手册 本文介绍了使用FL7930 BCM功率因数校正(PFC)控制器的LED应用设计指南，包括设计感应器和零电流检测电路、选择组件以及闭环控制的步骤。FL7930具有过压保护和PFC准备功能，可用于触发其他功率级或与PFC电压条件同步操作。
FAIRCHILD Design Guideline on 150W Power Supply for LED Street Lighting Design Using FL7930B and FAN7621S 数据手册 本文档介绍了150W LED路灯设计的设计准则，包括CRM PFC和LLC SRC，使用FL7930B和FAN7621S实现高功率因数和高功率转换效率。
FAIRCHILD Design Consideration for Interleaved Boundary Conduction Mode PFC Using FAN9611 / FAN9612 数据手册 本文介绍了使用FAN9611/12的交错边界导通模式PFC的设计注意事项，包括设计电感器和零电流检测电路，选择元件以及闭环控制。该设计程序通过一个实验性的400W原型转换器进行了验证。FAN9611/12交错双BCM PFC控制器将两个并联的升压电源级180º相位差运行，将该控制技术的最大实际功率水平从200-300W扩展到800W以上。与通常在这个功率水平上使用的连续导通模式（CCM）技术不同，BCM提供了升压二极管的固有零电流开关（无反向恢复损失），这使得可以使用更便宜的二极管而不会降低效率。此外，由于功率级和有效的倍频器之间的波动抵消，输入和输出滤波器可以变小。具有峰值检测电路的先进的线路前馈可以在线路暂变期间最小化输出电压变化。为了保证在轻负载下稳定运行并减少开关损耗
FAIRCHILD AN7525 PCB Land Pattern Design and Surface Mount Guidelines for MicroFET Packages 数据手册 本文档介绍了Fairchild MicroFET™封装的特点特性，包括小尺寸、低重量、薄底座和良好的热电性能。
FAIRCHILD Semiconductor AN-7516 应用手册 本应用笔记介绍了一种用于测试无热沉功率MOS晶体管的安全工作区域的方法。该方法不使用热沉，而是依赖于器件封装的热电容（CT），以便在SOA测试期间预测器件外壳的温度。
