FAIRCHILD RFD14N05L, RFD14N05LSM, RFP14N05L 说明书 RFD14N05L, RFD14N05LSM, RFP14N05L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的14A，50V，0.100 Ohm，逻辑级，N通道功率MOSFET。它们经过设计用于应用于开关稳压器，开关转换器，电机驱动器和继电器驱动器等应用中。这项性能是通过特殊的栅极氧化物设计实现的，该设计在3V-5V范围内的栅极偏置下提供全额额定导通电流，从而便于从逻辑级（5V）集成电路直接进行真正的开关电源控制。
FAIRCHILD RFD12N06RLE, RFD12N06RLESM, RFP12N06RLE 说明书 RFD12N06RLE, RFD12N06RLESM, RFP12N06RLE 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET。该产品具有超低导通电阻、温度补偿的PSPICE®和SABER©电气模型、Spice和SABER©热阻模型等特点。
FAIRCHILD NDT456P 说明书 该文件介绍了1998年12月制造的NDT456P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor的特点和特性。该晶体管具有-30V的漏源电压、±20V的栅极源电压和最大-7.5A的漏电流。它采用高密度单元设计，具有极低的导通电阻和高功率、电流处理能力。适用于低电压应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和直流电机控制。
FAIRCHILD NDT454P 说明书 这份文件介绍了1996年6月发布的NDT454P P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor的特点和特性。该产品是一种功率型场效应晶体管，采用了高密度DMOS技术，具有低开通电阻和优异的开关性能。适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路等，需要快速开关、低功耗和抗过去电的特点。
FAIRCHILD NDT452AP 说明书 NDT452AP P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor是一款功率场效应晶体管，使用Fairchild's独家高密度DMOS技术，具有极低的RDS(ON)和出色的开关性能。
FAIRCHILD NDT451AN 说明书 NDT451AN N型增强型MOSFET器件，具有高密度单元设计，超低RDS(ON)。适用于需要快速切换、低线路功耗和瞬态抑制能力的低压应用，如直流电机控制和DC/DC转换。
FAIRCHILD NDT3055L 说明书 这份文档是关于ND3055L产品的介绍。ND3055L是一款N通道逻辑电平增强型场效应晶体管，具有4A的最大电流和60V的最大电压。该产品采用Fairchild专有的高密度DMOS技术，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。它非常适合低压应用，如直流电机控制和电源转换。
FAIRCHILD NDT3055 说明书 NDT3055是一款N通道增强型场效应晶体管，具有4 A的最大电流和60 V的最大电压。它具有极低的RDS（ON）和高功率和电流处理能力。该设备非常适合需要快速开关、低串联功耗和瞬态抗性的低压应用，如直流电机控制和直流/直流转换。
FAIRCHILD NDT014 说明书(1) NDT014 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor是一款功率场效应晶体管，使用Fairchild专有的高密度DMOS技术生产，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。该器件特别适用于需要快速开关、低线损和抗瞬变的低压应用，如DC马达控制和DC/DC转换。
FAIRCHILD NDS9952A 说明书 该文件介绍了1996年2月发布的NDS9952A双N&P通道增强模式场效应晶体管的绝对最大额定值和热特性。该产品采用高密度DMOS技术生产，具有低开通电阻、优异的开关性能和抗高能脉冲的特点。适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
FAIRCHILD NDS9948 说明书 NDS9948 是 Fairchild Semiconductor 推出的一款 P-Channel MOSFET，具有 60V 的耐压能力和 2.3A 的最大电流。RDS(ON) 为 250mΩ，并且具有低栅极电荷和快速开关速度。
FAIRCHILD NDS9945 说明书 NDS9945 是Fairchild生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，采用高密度单元设计，具有极低的RDS(ON)，高功率和电流处理能力，广泛应用于低压应用，如磁盘驱动器电机控制、电池供电电路等。
