Fairchild 说明书 - 说明书库

FAIRCHILD FQPF22N30 说明书

本手册介绍了QFET的功能和使用方法。

FQPF20N06L是一种60V逻辑N沟道MOSFET。它具有15.7A的最大电流、0.055Ω的RDS(on)和低门控电荷，非常适合低压应用。

FQPF20N06是一款60V N通道MOSFET，采用Fairchild的DMOS技术生产，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。适用于汽车、DC/DC转换器等低电压应用，以及便携式和电池供电产品的高效率电源管理。

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FQPF19N10是一款100V N沟道MOSFET，它采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关性能和高能脉冲承受能力。适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用。

本文件为产品手册，介绍了QFET产品的特点特性。

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FQP15P12/FQPF15P12是Fairchild公司生产的具有120V电压等级的P型MOSFET，其具有低导通电阻、高开关速度、耐高能脉冲等特点，适用于低电压应用场景，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。

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FQPF11P06是Fairchild生产的一种60V P型MOSFET，具有低门控电荷、低反向漏电、快速开关、高dv/dt能力等特点。

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该文档介绍了BC337/338 NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。该晶体管适用于AF驱动级和低功率输出级，并与BC327/BC328互补。

NDS352AP P通道逻辑电平增强型功率场效应晶体管产品特性

NDS351N是Fairchild的N通道逻辑级增强模式功率场效应晶体管,采用铜引脚框架的专利封装设计,具有优异的热和电气性能。高密度单元设计,具有极低的RDS(ON)。出色的阻抗和最大直流电流能力。紧凑的行业标准SOT-23表面贴装封装。