FAIRCHILD FQPF70N10 说明书(2) FQPF70N10 是 Fairchild 生产的一款 100V N 通道 MOSFET,它采用 Fairchild 的专有平面条纹 DMOS 技术,具有低导通电阻、卓越的开关性能和高能脉冲承受能力。该器件适用于低压应用,如音频放大器、高效率切换 DC/DC 转换器和 DC 电机控制。
FAIRCHILD FQPF5N40 说明书 QFET是安森美半导体公司推出的一种新型电源开关器件,它具有体积小、功率大、开关速度快、开关损耗低等优点。QFET适用于各种电源应用,如开关电源、电机驱动、LED驱动等。
FAIRCHILD FQPF47P06 说明书 该数据表为FQPF47P06的绝对最大额定值、热特性、漏源电压、漏源电流、门源电压、单脉冲雪崩能量、雪崩电流、重复雪崩能量、峰值二极管恢复dv/dt、功耗、工作和存储温度等参数。
FAIRCHILD FQPF33N10L 说明书 FQPF33N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款产品,它采用了Fairchild自有的planar stripe DMOS技术,具有低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力等特点。该产品适用于低压应用,如高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制。
FAIRCHILD FQPF33N10 说明书 FQPF33N10是Fairchild生产的N通道增强型功率场效应晶体管,采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术,具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用。
FAIRCHILD FQPF30N06L 说明书 FQPF30N06L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款60V逻辑N通道MOSFET,其特点包括低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力以及低门控电荷和低Crss。该器件适用于低压应用,如汽车、DC/DC转换器和便携式和电池供电产品中的高效率电源管理开关。
FAIRCHILD FQPF2N80 说明书 FQPF2N80是Fairchild生产的一款800V N通道MOSFET,其特点是:1.5A,800V,RDS(on)= 6.3Ω @VGS = 10 V,低栅极电荷(典型值为12 nC),低Crss(典型值为5.5 pF),快速开关,100%雪崩测试,改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQPF2N70 说明书 这份文件介绍了FQPF2N70 QFET TM FQPF2N70 700V N-Channel MOSFET的特点特性,包括低导通电阻、优异的开关性能、高能量脉冲下的抗击穿和换向能力等。适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF27P06 说明书 FQPF27P06 是一款 60V P 通道 MOSFET,它具有低门极电荷、低 Crss 和快速开关特性。它适用于低电压应用,如汽车、DC/DC 转换器和便携式电池供电产品中的功率管理的高效率开关。
FAIRCHILD FQPF22P10 说明书 FQPF22P10是Fairchild制造的一种100V P通道MOSFET,具有低导通电阻、高开关性能、高能量脉冲承受能力、低栅极电荷、低Crss、快速开关、100% 雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温等特点。