FAIRCHILD FQD2N60C / FQU2N60C 说明书 这是一份产品手册，介绍了FQD2N60C/FQU2N60C的特性，包括RDS(on) = 4.7Ω @VGS = 10 V、低门极电荷（典型值为8.5 nC）、低Crss（典型值为4.3 pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt功能等。
FAIRCHILD FQD20N06/FQU20N06 说明书 FQD20N06 / FQU20N06 60V N-Channel MOSFET是Fairchild公司的一种高性能功率场效应晶体管，具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力等特点，适用于汽车、DC/DC转换器等低压应用
FAIRCHILD FQD1N80 / FQU1N80 说明书 这份文档介绍了FQD1N80 / FQU1N80型号的800V N-沟道MOSFET产品，采用Fairchild公司的专有技术生产。产品具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力等特点，非常适用于高效开关电源。
FAIRCHILD FQP17P06 说明书 FQP17P06 是一款具有 60V 耐压能力的 P 沟道 MOSFET，采用 Fairchild 专有的平面条纹 DMOS 技术，具有低导通电阻、快速开关和高能脉冲承受能力的特点，非常适合汽车、DC/DC 转换器等低压应用
FAIRCHILD FQP19N20C/FQPF19N20C 说明书 本文介绍了FQP19N20C/FQPF19N20C QFET® 200V N-Channel MOSFET产品的特点和特性。该产品采用了Fairchild的专有DMOS技术，具有低通态电阻、优良的开关性能和高能量脉冲承受能力等特点，适用于高效率开关DC/DC变换器、开关电源、DC-AC变换器和电机控制等应用。
FAIRCHILD FQP20N06 说明书 这份文档介绍了FQP20N06型号的60V N-通道MOSFET，该产品采用了Fairchild的专有DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力的特点。适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器和便携式电池操作产品的高效开关电源管理。
FAIRCHILD FQP20N06L 说明书 这份文件介绍了FQP20N06L型号的60V逻辑N沟道MOSFET产品。该产品采用Fairchild公司的专有技术制造，具有低通态电阻、优异的开关性能和高能脉冲下的耐久性。适用于低电压应用，如汽车、DC/DC转换器以及便携和电池操作产品的高效开关电源管理。
FAIRCHILD FQP24N08 80V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP24N08是一款80V N通道MOSFET，采用Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器的高效率开关和DC电机控制。
FAIRCHILD FQP27P06 60V P-Channel MOSFET 说明书 这份文件介绍了FQP27P06型号的60V P-Channel MOSFET产品的特点和特性，采用了Fairchild公司的DMOS技术，具有低电阻、快速开关和高能量脉冲耐受能力等特点，适用于低压应用领域。
FAIRCHILD FQP2N60C/FQPF2N60C 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQP2N60C/FQPF2N60C是Fairchild生产的2.0A,600V N-Channel MOSFET。具有低RDS(on)、低门控电荷和低Crss等特点，适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
