FAIRCHILD FQL40N50F 500V N-Channel MOSFET 数据手册 FQL40N50F是Fairchild制造的一种N沟道MOSFET，该器件采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和高dv/dt能力。
FAIRCHILD FQL40N50 500V N-Channel MOSFET 数据手册 FQL40N50是一款500V N通道MOSFET，由Fairchild制造，具有40A的持续电流和0.11欧姆的导通电阻。
FAIRCHILD FQB4N90/FQI4N90 900V N-Channel MOSFET 数据手册 该数据表格提供了FQB4N90 / FQI4N90的产品规格信息，包括引脚定义、封装形式、最大工作电压、最大工作电流、开关速度、门极漏电等参数。
FAIRCHILD FQB13N50C/FQI13N50C 500V N-Channel MOSFET 数据手册 这份文件介绍了FQB13N50C/FQI13N50C 500V N-Channel MOSFET的特点和特性，采用了Fairchild的专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲抗击穿和换相模式的能力。
FAIRCHILD FQH8N100C 1000V N-Channel MOSFET 数据手册 FQH8N100C是Fairchild生产的一款1000V N通道MOSFET，具有8A电流、1.45欧姆的导通电阻、低栅极电荷和Crss，以及快速开关、100%的雪崩测试和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQH44N10_F133 100V N-Channel MOSFET 数据手册 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FQH44N10_F133型号的N沟道MOSFET晶体管的特点和特性。该晶体管采用了先进的DMOS技术，具有低开态电阻、优异的开关性能和高能脉冲抗击穿和换向模式能力。适用于低电压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。
FAIRCHILD FQD9N25/FQU9N25 250V N-Channel MOSFET 数据手册 QFET是一种新型的射频功率器件，具有高频率、高功率、高效率、高可靠性和低成本等特点。QFET在射频通信、雷达、电子对抗、卫星通信、微波加热等领域具有广泛的应用。
FAIRCHILD FQD8P10/FQU8P10 100V P-Channel MOSFET 数据手册 这份文件介绍了FQD8P10 / FQU8P10 100V P-Channel MOSFET的特点和特性。该产品采用了Fairchild的专有的平面条纹DMOS技术，具有很低的导通电阻、出色的开关性能和耐高能脉冲的能力。它适用于低压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。
FAIRCHILD FQD7P06/FQU7P06 60V P-Channel MOSFET 数据手册 这份文档介绍了2001年5月发布的Fairchild Semiconductor Corporation的QFET TM FQD7P06 / FQU7P06 60V P-Channel MOSFET。这些产品采用了Fairchild的专有技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。适用于低压应用领域，如汽车、DC/DC转换器以及便携式和电池操作产品的高效率开关电源管理。
FAIRCHILD FQD7N20L/FQU7N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQD7N20L/FQU7N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor International生产的具有优良开关性能的功率场效应晶体管，特点是低导通电阻、低栅极电荷和低Crss，适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源和电机控制等应用。
FAIRCHILD FQD7N10L/FQU7N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FDQ7N10L / FQU7N10L 是Fairchild推出的一款N沟道MOSFET器件，其额定电压为100V，最大电流为5.8A，导通电阻为0.35欧姆。
FAIRCHILD FQD6N50C / FQU6N50C 500V N-Channel MOSFET 数据手册 FQD6N50C / FQU6N50C 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款 500V N-Channel MOSFET，其特点是：4.5A、500V、RDS(on) = 1.2 Ω @VGS = 10 V、低栅极电荷（典型值为 19nC）、低 Crss（典型值为 15pF）、快速开关、100% 雪崩测试、改进的 dv/dt 能力。
