FAIRCHILD FQD19N10/FQU19N10 100V N-Channel MOSFET 说明书 FQD19N10 / FQU19N10 100V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor International生产的高性能开关器件，具有低导通电阻、高频开关能力、小门极电容等特点，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低电压应用。
FAIRCHILD FQD18N20V2 / FQU18N20V2 200V N-Channel MOSFET 说明书 该文件介绍了Fairchild公司生产的FQD18N20V2 / FQU18N20V2 200V N-Channel MOSFET的特点和特性，采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于低压应用、汽车、高效率DC/DC转换器和直流电机控制。
FAIRCHILD FQD17N08L/FQU17N08L 80V LOGIC N-Channel MOSFET 说明书 QFD17N08L / FQU17N08L 80V LOGIC N-Channel MOSFET是Fairchild生产的一种增强型功率场效应晶体管，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力等特点，适用于汽车、DC/DC变换器和DC电机控制等低压应用
FAIRCHILD FQD16N25C 250V N-Channel MOSFET 说明书 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FQD16N25C型250V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括16A的电流、0.27Ω的RDS(on)、低门电荷和低Crss、快速开关速度、100%的雪崩测试和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQD13N10/FQU13N10 100V N-Channel MOSFET 说明书 该产品为FQD13N10 / FQU13N10 N-Channel MOSFET，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度等特点，适用于音频放大器、DC/DC转换器等低压应用场合。
FAIRCHILD FQD13N06L/FQU13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 说明书 这份文件介绍了FQD13N06L / FQU13N06L型号的60V逻辑N沟道MOSFET产品的特点和特性。这些产品采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术制造，具有低通态电阻、优异的开关性能和对电极和换流模式中的高能量脉冲的抗性。适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器以及便携和电池操作的产品的高效开关功率管理。
FAIRCHILD FQD13N06/FQU13N06 60V N-Channel MOSFET 说明书 该型号是Fairchild生产的N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的平面条带DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于DC/DC转换器、便携式和电池供电产品中的高效开关电源管理等应用。
FAIRCHILD FQD12N20L/FQU12N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET 说明书 该文档介绍了FQD12N20L / FQU12N20L型号的200V逻辑N沟道MOSFET产品的特点和特性，包括低开态电阻、快速开关性能、高能量脉冲承受能力等。该产品适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、电机控制等应用。
FAIRCHILD FQD10N20C / FQU10N20C 200V N-Channel MOSFET 说明书 这是一份关于FQD10N20C / FQU10N20C 200V N-Channel MOSFET的PDF文件。该文件介绍了这些N-Channel增强型功率场效应晶体管的特点和特性，包括低导通电阻、优异的开关性能，以及在雪崩和换向模式下能够承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率的开关式DC/DC转换器、开关电源、无间断电源和电机控制。
FAIRCHILD FQB9N50C/FQI9N50C 500V N-Channel MOSFET 说明书 FQB9N50C/FQI9N50C是Fairchild公司生产的一款500V N-Channel MOSFET，它具有低导通电阻、高开关速度等特点，适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑电子灯泡镇流器等应用。
