FAIRCHILD FDV304P Digital FET, P-Channel 数据手册 FDV304P数字FET P通道是一种极低的开关电阻，具有优异的开关速度，可在3V电压下直接操作。该设备具有非常高的密度，可在低栅极驱动条件下最大限度地降低开启状态电阻。这种设备专门设计用于笔记本电脑和手机等电池供电应用。
FAIRCHILD 2N7000BU/2N7000TA 数据手册 2N7000BU/2N7000TA是N通道小信号MOSFET，具有快速开关时间、改进的感性坚韧性、较低的输入电容、扩展的安全工作区和改进的高温可靠性。
FAIRCHILD FDY101PZ Single P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档详细介绍了FDDY101PZ单P通道(– 2.5V)指定PowerTrench® MOSFET产品的特性，包括应用、特点、绝对最大额定值、电气特性等。
FAIRCHILD FDY100PZ Single P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 本文件是FDY100PZ单P通道(-2.5V)指定PowerTrench MOSFET的使用说明书。
FAIRCHILD FDY1002PZ Dual P-Channel (?1.5 V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDY1002PZ是一款双P通道功率MOSFET，特点是最大导通电阻低，适用于锂离子电池组等应用。
FAIRCHILD FDV305N 20V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDV305N是Fairchild Semiconductor Corporation生产的20V N沟道MOSFET，该产品已针对电源管理应用进行了优化。其特点是低RDS(ON)，低门极电荷，快速切换速度。
FAIRCHILD FDY102PZ Single P-Channel (?1.5 V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDY102PZ Single P-Channel (–1.5 V) Specified PowerTrench® MOSFET, 该产品最大电阻为0.5欧姆，可用于锂离子电池包。
FAIRCHILD FDY2000PZ Dual P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了2006年1月发布的Fairchild Semiconductor公司的FDY2000PZ双P-Channel MOSFET产品。该产品采用先进的Power Trench工艺，优化了在VGS = -2.5V时的RDS(ON)值。该产品适用于锂离子电池组，具有-350mA，-20V的额定参数。同时具备ESD保护二极管，并符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDY3000NZ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 这是 Fairchild Semiconductor Corporation 生产的 FDY3000NZ 双 N 通道 2.5V 指定 PowerTrench MOSFET 的产品手册。该 MOSFET 的 RDS(ON) @ VGS = 2.5v 优化，应用于 Li-Ion 电池组。其特点包括 600 mA、20 V RDS(ON) = 700 m��@ VGS = 4.5 V RDS(ON) = 850 m� @ VGS = 2.5 V、ESD 保护二极管以及 RoHS 兼容性。
FAIRCHILD FDY300NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDY300NZ是Fairchild Semiconductor生产的N-沟道MOSFET，其特点是RDS(ON) @ VGS = 2.5v非常低，适用于锂电池组等应用。
FAIRCHILD FDY301NZ Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDY301NZ单通道MOSFET的特点和特性，使用Fairchild Semiconductor的先进Power Trench工艺进行设计，以优化RDS(ON) @ VGS = 2.5V。其应用包括锂离子电池组。主要特点包括200mA, 20V的电流和5Ω @ VGS = 4.5V，7Ω @ VGS = 2.5V的电阻。此外，还具有ESD保护二极管和符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDY4000CZ Complementary N & P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDY4000CZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种N-P通道PowerTrench® MOSFET，具有低阻抗特性，适用于电源转换电路、负载/电源开关等应用场景。
FAIRCHILD FDZ1905PZ Common Drain P-Channel 1.5V PowerTrench WL-CSP MOSFET 数据手册 该文件介绍了FDZ1905PZ型号的Common Drain P-Channel 1.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET产品的特点和特性，包括最大导通电阻、占用PCB面积小、超薄封装、高功率和电流处理能力等。
FAIRCHILD FDZ191P 数据手册 FDZ191P P-通道1.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET具有最大RDS(on)为85mΩ、占用PCB面积为1.5mm2、高度低于0.65mm的特点，适用于电池管理、负载开关和电池保护等应用。
