FAIRCHILD FQA62N25C 数据手册 FQA62N25C是Fairchild公司生产的250V N沟道MOSFET，其特点是RDS(on) = 0.035Ω @VGS = 10 V，低门极电荷，低Crss，快速开关，100%的雪崩测试，改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQA65N20 数据手册 这份文件介绍了Fairchild公司生产的FQA65N20 QFET TM FQA65N20 200V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括低开态电阻、优越的开关性能和高能量脉冲下的可靠性。该产品适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、无间断电源的DC-AC转换器和电机控制。
FAIRCHILD FQA6N90C_F109 数据手册 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FQA6N90C_F109 900V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括6A的电流、900V的电压、低的门电荷和Crss、快速开关、100%的avalanche测试和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQA70N10 数据手册 这份文档介绍了Fairchild Semiconductor International所生产的FQA70N10 N-Channel MOSFET产品的特点和特性。这些产品采用了先进的DMOS技术，具有较低的导通电阻、卓越的开关性能和能够承受高能量脉冲的能力。适用于低电压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。
FAIRCHILD FQA70N15 数据手册 该文件介绍了QFET，它是一种用于电力电子系统的新型功率器件。QFET具有高开关速度、低导通电阻、高耐压和宽禁带等优点，有望在电力电子系统中得到广泛应用。
FAIRCHILD FQA8N100C 数据手册 FQA8N100C 1000V N-Channel MOSFET 是一款低栅极电荷、低Crss、快速开关、100% 雪崩测试、改进dv/dt 能力的 MOSFET。
FAIRCHILD FQA8N90C_F109 数据手册 该文件介绍了FQA8N90C_F109型号的900V N-Channel MOSFET产品的特点，包括8A的电流、1.9Ω的RDS(on)、低门电荷、快速开关等特性。
FAIRCHILD FQH90N15 / FQA90N15 数据手册 这份文件介绍了FQH90N15 / FQA90N15 N-Channel Power MOSFET的特点和特性，包括90A的电流、150V的电压、低的RDS(on)值、低的门电荷和Crss值、快速开关速度、100%的雪崩测试、改进的dv/dt能力等。
FAIRCHILD FQA90N15_F109 数据手册 FQA90N15_F109是Fairchild生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，其特点是RDS(on) = 0.018Ω @VGS = 10 V、低门控电荷(典型值为220nC)、低Crss(典型值为200pF)、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、175°C最大结温等级和RoHS兼容性。
FAIRCHILD FQD1N60C / FQU1N60C 600V N-Channel MOSFET 说明书 该文件主要介绍了FQD1N60C / FQU1N60C 600V N-Channel MOSFET 的特性特点。
FAIRCHILD FQD19N10L/FQU19N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET 说明书 FQD19N10L/FQU19N10L是100V逻辑N通道MOSFET，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力，适用于高效率开关DC/DC转换器和DC马达控制等低压应用。
