FAIRCHILD FQB33N10L/FQI33N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 该文件是关于N-Channel enhancement mode power field effect transistors的datasheet
FAIRCHILD FQB33N10/FQI33N10 100V N-Channel MOSFET 数据手册 这份文件介绍了FQB33N10 / FQI33N10这款100V N沟道MOSFET的特点和特性，包括低开态电阻、优越的开关性能、高能脉冲和换向模式下的耐受能力等。这些器件非常适用于低电压应用，如音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。
FAIRCHILD FQB30N06L/FQI30N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQB30N06L / FQI30N06L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的60V逻辑N沟道MOSFET。该器件具有32A、60V、RDS(on) = 0.035Ω @VGS = 10 V、低门控电荷（典型值为15 nC）、低Crss（典型值为50 pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值等特点。
FAIRCHILD FQB27P06/FQI27P06 60V P-Channel MOSFET 数据手册 FQB27P06 / FQI27P06是Fairchild生产的60V P通道MOSFET，具有低门极电荷、低Crss、快速开关等特性，适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器、便携式和电池供电产品中的高效电源管理开关
FAIRCHILD FQB22P10/FQI22P10 100V P-Channel MOSFET 数据手册 该数据手册介绍了FQB22P10 / FQI22P10型号的P通道MOSFET器件的特性和特点。
FAIRCHILD FQB19N20L/FQI19N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 本产品为高性能电力电子测量仪表，具有输入通道数量多、测量范围广、测量功能强、数据处理能力强、数据显示清晰、操作简单、抗干扰能力强、使用方便等特点，广泛用于电力系统、电子通信系统、工业控制系统等各行各业的电力电子装置的检测、测试、故障诊断、分析和维护。
FAIRCHILD FQB19N20C/FQI19N20C 200V N-Channel MOSFET 数据手册 200V N-Channel MOSFET，特点是低门极电荷、低输入电容、高开关速度、100% 雪崩测试、改进的 dv/dt 能力。
FAIRCHILD FQB12P20/FQI12P20 200V P-Channel MOSFET 数据手册 FQI12P20是200V P通道MOSFET，具有低门极电荷、低Crss、快速开关、100％雪崩测试和改进的dv/dt能力
FAIRCHILD FQB11P06/FQI11P06 60V P-Channel MOSFET 数据手册 该文件提供了FQB11P06/FQI11P06 60V P-Channel MOSFET 的特性介绍，包括技术原理、应用场景、性能参数等。
FAIRCHILD FQAF13N80 800V N-Channel MOSFET 数据手册 FQAF13N80是Fairchild生产的一款N通道增强型功率场效晶体管。它采用了Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关性能和高能脉冲承受能力等优势，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQAF11N90C 900V N-Channel MOSFET 数据手册 FQAF11N90C是Fairchild公司生产的一种N通道MOSFET，其主要特点是低阻抗、高开关性能和高能量脉冲，适用于高效率开关电源。
