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FAIRCHILD FQA9P25 250V P-Channel MOSFET 数据手册

FQA9P25是Fairchild生产的一种250V P通道MOSFET，其特点包括低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试等。

FQA9N90C_F109 900V N-Channel MOSFET是一种具有低栅极电荷、低压差和快速开关特性的功率场效应晶体管，适用于高效开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器。

QFET QFET QFET QFET是英特尔公司推出的一种新一代高性能高密度高效率的碳化硅功率器件，该器件采用英特尔公司独有的碳化硅衬底技术，具有超高的临界击穿电压和超低的导通电阻，同时还具有优异的抗热冲击和热循环特性，可以满足高功率高密度应用的苛刻要求。

这份文件是关于QFET的技术白皮书，介绍了QFET的特点和特性。

该文件介绍了QFET产品的特点和特性，包括QFET的结构原理、工作原理、应用场景等。

这份文件介绍了FQP13N50/FQPF13N50型500V N沟道MOSFET产品的特点和特性，采用Fairchild公司的专有的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。适用于高效的开关电源、功率因数校正和基于半桥的电子灯电子镇流器。

FQP13N10L 100V LOGIC N-Channel MOSFET是Fairchild生产的一种高性能的MOSFET器件，具有低RDS(on)、低gate charge、低Crss、快速开关等特点，适用于高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等应用场合。

FQP13N10是Fairchild生产的100V N通道MOSFET，具有低导通电阻、快速开关、100%雪崩测试等特点，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器、直流电机控制等低压应用

FQP13N06L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的60V逻辑N型MOSFET，采用Fairchild独家平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关性能、抗高能脉冲能力，适用于汽车、DC/DC转换器等低压应用

该文件介绍了QFET产品的特点和特性。

FQP11N40C/FQPF11N40C 400V N-Channel MOSFET是一款由Fairchild生产的低RDS(on)，高耐压N通道MOSFET，可以应用于高效开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑电子灯泡镇流器等

该数据表提供了FQP10N20C/FQPF10N20C的数据信息，包括产品参数、特性、应用场景等。

该文档为FQNL2N50B 500V N-Channel MOSFET的数据手册，介绍了该器件的特点特性，包括额定工作电压、电流、门电压、门电容等。

FQN1N60C是600V N通道MOSFET，具有0.3 A、600 V、RDS(on) = 11.5 Ω @ VGS = 10 V、低栅极电荷（典型值为4.8 nC）、低Crss（典型值为3.5 pF）、快速开关和100％雪崩测试等特点。

FQN1N50C是一款500V N通道MOSFET，其特点是低RDS(on)、低门控电荷和快速开关，适用于高效率开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。