FAIRCHILD FQD6N40C / FQU6N40C 400V N-Channel MOSFET 数据手册 该文档介绍了FQD6N40C / FQU6N40C 400V N-Channel MOSFET的特点特性，包括低开关电阻、快速开关性能、高能量脉冲耐受能力等。适用于高效率开关电源和半桥拓扑的电子灯电子镇流器。
FAIRCHILD FQD5P20/FQU5P20 200V P-Channel MOSFET 数据手册 FQD5P20 / FQU5P20是一种P通道增强型功率场效应晶体管，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于高效率开关DC/DC转换器。
FAIRCHILD FQD5N60C / FQU5N60C 600V N-Channel MOSFET 数据手册 FQD5N60C / FQU5N60C 600V N-Channel MOSFET是飞兆半导体的一种N型增强型功率场效应晶体管，采用飞兆半导体专有的平面条纹、DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和抗高能脉冲的能力。该器件适用于高效率的开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑电子灯泡镇流器。
FAIRCHILD FQD5N20L/FQU5N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQD5N20L / FQU5N20L是飞利浦公司生产的200V逻辑N通道MOSFET，具有RDS(on)=1.2Ω @VGS = 10 V、低门控电荷 (典型4.8 nC)、低Crss(典型6.0 pF)、快速开关、100% 雪崩测试、改进的dv/dt能力和低电平门控驱动要求，适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源和电机控制。
FAIRCHILD FQD4P25TM_WS 250V P-Channel MOSFET 数据手册 该文件介绍了一款250V P-Channel MOSFET产品的特点和特性，采用了Fairchild的专有技术，具有低电阻、快速开关和较高的耐压能力等特点，适用于高效率开关DC/DC转换器。
FAIRCHILD FQD4N25/FQU4N25 250V N-Channel MOSFET 数据手册 QFET QFET QFET QFET是用于电力电子应用的快速切换器的开关组件。它是一种固态开关，利用半导体技术来控制电流，可以通过控制电流的开关来实现电力的切换。QFET QFET QFET QFET是一种高性能的开关，具有快速的切换速度和低的损耗。它被广泛应用于电力电子系统中。
FAIRCHILD FQD4N20/FQU4N20 200V N-Channel MOSFET 数据手册 本文档介绍了华为企业级网络解决方案的关键技术、部署模式和典型应用，并详细阐述了华为云网融合解决方案的优势，包括多维可编程、多云融合、灵活智能、安全可靠等特点。通过本文档，你可以了解到华为企业级网络解决方案的关键技术和优势，并在华为云上快速构建适合你的企业级网络解决方案。
FAIRCHILD FQD3P50/FQU3P50 500V P-Channel MOSFET 数据手册 这个文档介绍了FQD3P50 / FQU3P50 500V P-Channel MOSFET的特点和特性，包括低开关电阻、低栅极电荷、快速开关速度等。
FAIRCHILD FQD3N60C/FQU3N60C 600V N-Channel MOSFET 数据手册 QD3N60C/FQU3N60C N沟道增强型MOSFET，额定电压600V，额定电流2.4A，开关特性好，无需外部电阻，适用于开关电源、电子灯调光等场合。
FAIRCHILD FQD30N06/FQU30N06 说明书 FQU30N06 N-Channel MOSFET是Fairchild公司生产的一种功率场效应晶体管。该器件采用Fairchild独有的平面条纹DMOS技术。该技术具有极低的导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力，非常适合用于低压应用，例如汽车、DC/DC转换器和便携式和电池供电产品中高效的电源管理。
FAIRCHILD FQD2P40/FQU2P40 说明书 FQD2P40 / FQU2P40 是一款400V P型通道 MOSFET，采用Fairchild 的专有平面条纹 DMOS 技术，具有极低的开关损耗、快速的开关速度和高耐压能力，适用于电子灯泡镇流器。
FAIRCHILD FQD2N80/FQU2N80 说明书 FQD2N80 / FQU2N80 是Fairchild生产的800V N沟道MOSFET器件，具有低导通电阻、高频开关、100%雪崩测试等特点。
