FAIRCHILD FQT1N80 N-Channel MOSFET 数据手册 FQT1N80TF_WS是N沟道增强型功率场效应晶体管，由Fairchild公司生产。该产品采用平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能、高能脉冲承受能力以及改进的dv/dt能力，适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FQT1N60C N-Channel MOSFET 数据手册 该数据表提供了 FQT1N60C N-Channel MOSFET 的特性和参数。该产品由 Fairchild 生产，是 600V、0.2A 的 N 通道增强型功率场效应晶体管。该产品具有 9.3 欧姆的低 on 状态电阻、4.8n 的低栅极电荷和 3.5pF 的低 Crss。它还具有快速开关、100% 的放电测试和改进的 dv/dt 能力。该产品符合 RoHS 标准，适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FQT13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQT13N06L是Fairchild生产的60V逻辑N通道MOSFET，具有低门控电荷、低反向电容、高开关速度、增强的dv/dt能力等特点。
FAIRCHILD FQT13N06 60V N-Channel MOSFET 数据手册 FQT13N06 60V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道增强型功率场效晶体管。这款设备采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，非常适用于低电压应用，如DC/DC转换器和便携式和电池供电产品中的高效电源管理开关。
FAIRCHILD FQS4903 500V Dual N-Channel MOSFET 数据手册 这份文件是关于QFET的介绍。QFET是一种新型的半导体器件，具有高效率、低功耗和高可靠性等特点。QFET的应用范围广泛，包括电力电子、通信、医疗等领域。
FAIRCHILD FQPF9P25 250V P-Channel MOSFET 数据手册 FQPF9P25是Fairchild生产的一种250V P通道MOSFET，具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快速开关等特点。
FAIRCHILD FQP8N60C/FQPF8N60C 说明书 FQP8N60C/FQPF8N60C是Fairchild生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和抗高能脉冲的能力。该器件适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器。
FAIRCHILD FQPF85N06 说明书 FQPF85N06是Fairchild生产的一款60V N-Channel MOSFET。它具有53A的最大电流输出，0.010Ω的开关电阻，86 nC的栅极电容和165 pF的寄生电容，适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器和便携式和电池供电产品的功率管理中的高效率开关。
FAIRCHILD FQP7N65C/FQPF7N65C 说明书 FQP7N65C/FQPF7N65C是美国Fairchild公司生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，采用独有的平面条纹DMOS技术。该技术经过优化，可最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能，并且能够承受雪崩和换流模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑结构的电子灯泡镇流器。
FAIRCHILD FQPF7N60 说明书 本文介绍了一款Fairchild生产的N-通道增强型功率场效应晶体管，采用了Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低通态电阻、优异的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。适用于高效开关模式电源。
