FAIRCHILD MTD3055VL 说明书 本报告概述了德国工业4.0框架以及德国实施工业4.0框架的进展。德国工业4.0框架是由德国联邦经济和能源部（BMWi）于2011年12月发布的。该框架由五个主要要素组成：数字基础设施、互联工厂、互联产品、互联服务和互联价值链。德国工业4.0框架的目标是通过将人、机器和数据连接起来，实现更智能、更高效的制造。
FAIRCHILD IRFM120A 说明书 该文件介绍了IRFM120A产品的特点和特性，包括抗冲击技术，低输入电容，改进的栅极电荷，扩展的安全工作区域，低漏电流等。该产品具有较低的漏电流和导通电阻，适用于IEEE802.3af标准。
FAIRCHILD HUFA76429D3, HUFA76429D3S 说明书 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的HUFA76429D3和HUFA76429D3S型号的特点和特性，包括超低导通电阻、模拟模型和温度补偿模型、峰值电流与脉冲宽度曲线、UIS评级曲线以及开关时间与RGS曲线等。
FAIRCHILD HUFA75852G3 说明书 HUFA75852G3_F085 是一款75A，150V，0.016 Ohm，N-通道，UltraFET® 功率 MOSFET，采用 JEDEC TO-247 封装。
FAIRCHILD HUF76639P3, HUF76639S3S 说明书 HUF76639P3, HUF76639S3S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款50A, 100V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET
FAIRCHILD HUF76629D3, HUF76629D3S 说明书 HUF76629D3 和 HUF76629D3S 是 20A、100V、0.054 欧姆、N 沟道、逻辑级 UltraFET® 功率 MOSFET。
FAIRCHILD HUF76609D3, HUF76609D3S 说明书 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的HUF76609D3和HUF76609D3S产品。这些是N-通道逻辑电平UltraFET®功率MOSFET，具有超低导通电阻和高峰值电流承受能力。文档中还提供了产品的封装符号、特性和特点，以及订购信息和绝对最大额定值。
FAIRCHILD HUF76439P3, HUF76439S3S 说明书 该文件介绍了HUF76439P3和HUF76439S3S型号的Fairchild半导体产品的特点和特性，包括超低导通电阻、温度补偿的模拟模型和热阻模型，以及峰值电流与脉冲宽度曲线和开关时间与RGS曲线等。还提供了订购信息和绝对最大额定值。
FAIRCHILD HUF76429P3, HUF76429S3S 说明书 HUF76429P3, HUF76429S3S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的44A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET。
FAIRCHILD HUF76423P3, HUF76423S3S 说明书 该产品是一款N沟道逻辑级超低阻力功率MOSFET，具有超低门极电阻（rDS(ON) = 0.030Ω，VGS = 10V，rDS(ON) = 0.035Ω，VGS = 5V），可用于各种应用。
FAIRCHILD HUF76407D3, HUF76407D3S 说明书 该文件介绍了HUF76407D3和HUF76407D3S两款N-沟道逻辑电平UltraFET®功率MOSFET产品的特点和特性，包括超低导通电阻、温度补偿的PSPICE和SABER电气模型、Spice和SABER热阻模型等。
