FAIRCHILD FDT3N40 400V N-Channel MOSFET 数据手册 FDT3N40 400V N-Channel MOSFET 是一款高性能的 MOSFET 器件，具有以下特点：2A 的额定电流，400V 的额定电压，3.4 欧姆的导通电阻，4.5 nC 的栅极电荷，3.7 pF 的漏源电容，快速开关速度，100% 的雪崩测试，改进的 dv/dt 能力。
FAIRCHILD FDT434P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDT434P是一种P通道2.5V指定的PowerTrench MOSFET，其开关性能优越，采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺制造，该工艺专门针对最小化开态电阻而定制，同时又保持低栅极电荷。
FAIRCHILD FDT439N N-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 FDT439N 是一款 30 V 低功耗 N 沟道 MOSFET。
FAIRCHILD FDT457N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 该产品是N通道增强型场效应晶体管，其特点是具有极低的RDS(ON)，高功率和电流处理能力，广泛应用于低电压、低电流应用中，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和DC电机控制。
FAIRCHILD FDT458P 30V P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDT458P是一款30V P通道PowerTrench MOSFET，适用于DC/DC转换器、电池充电器和电机驱动等应用。它具有快速开关和低栅极电荷的特点。
FAIRCHILD FDT459N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 数据手册 该文档介绍了1998年3月发布的FDT459N N-Channel Enhancement Mode场效应晶体管的特点和绝对最大额定值。该晶体管采用了高密度单元的DMOS技术，具有极低的导通电阻和优越的开关性能。适用于低电压、低电流应用，如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和直流电机控制。
FAIRCHILD FDT86102LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDT86102LZ是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道功率MOSFET，其最大rDS(on)为28 mΩ，最大HBM ESD保护电压为6 kV，具有非常低的Qg和Qgd，开关速度快，并通过了100% UIL测试，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDT86106LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDT86106LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道逻辑级MOSFET，采用了该公司的先进Power Trench®工艺，可将导通电阻降至最低，同时仍能保持卓越的开关性能。该器件具有3.2 A的连续电流和100 V的漏源电压，非常适用于DC-DC转换等应用。
FAIRCHILD FDT86113LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDT86113LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、高性能的槽道技术、高功率和电流处理能力，以及ESD保护等级等。
FAIRCHILD FDT86244 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 FDT86244 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款高性能MOSFET，具有极低的rDS(on)，高功率和电流处理能力，可广泛应用于负载开关和主开关等领域。
FAIRCHILD FDT86246 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 FDT86246 N-Channel Power Trench® MOSFET是一种高性能、低阻抗、高功率和高电流处理能力的N沟道MOSFET。它采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺，该工艺经过优化，可实现极低的rDS(on)、快速的开关速度和坚固性。
FAIRCHILD FDT86256 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDT86256 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能的MOSFET产品，它具有低rDS(on)、快开关速度、RoHS兼容等特点。适用于DC-DC转换、逆变器、同步整流器等应用场合。
FAIRCHILD FDV301N N-Channel,Digital FET 数据手册 FDV301N是Fairchild生产的低压应用逻辑级增强模式场效应晶体管，用于取代数字晶体管。该器件采用独有的高密度DMOS工艺，具有很低的导通电阻。该器件无需偏置电阻，可以替代多种不同偏置电阻值的数字晶体管。
FAIRCHILD FDV302P Digital FET,P-Channel 数据手册 FDV302P是Fairchild生产的一种P通道逻辑级增强型场效应晶体管，其特点是工作电压低，RDS(ON)小，非常适合低压应用。
