FAIRCHILD FDN342P 说明书 (1) FDN342P是鼎好的一种产品，它是一种高压、低漏电流的N沟道MOSFET。该产品的最大漏源电压为-20伏，最大栅源电压为±12伏，最大漏电流为-2安培。该产品的功耗为0.5瓦，工作温度范围为-55到+150摄氏度。
FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(1)(1) FDN352AP是Fairchild Semiconductor生产的一种低压低通道MOSFET，具有极低的导通电阻和高功率处理能力，适用于笔记本电脑电源管理等应用。
FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(1) FDN352AP是Fairchild Semiconductor生产的一种低功耗P沟道逻辑级MOSFET器件。该器件采用先进的PowerTrench工艺，具有极低的导通电阻和低的栅极电荷，适用于电池供电应用。
FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(2) 本文件是关于FDN352AP的技术资料，该产品是一款P通道MOSFET，其特点是R DS(ON)非常低，而且封装采用了SOT-23，适用于低电压和电池供电的应用场景
FAIRCHILD FDN357N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 说明书 FDN357N是Fairchild生产的一种N沟道逻辑级增强模式功率场效应晶体管，它采用业界标准的SOT-23封装，具有优异的热电特性和高密度单元设计，可提供极低的RDS(ON)。
FAIRCHILD FDN358P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 说明书 该文档介绍了1998年3月发布的FDN358P P-Channel逻辑电平增强型场效应晶体管的特点和特性，包括其最大耐压、最大功耗、工作温度范围等。
FAIRCHILD FDN358P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 说明书 该文档介绍了March 1998 FDN358P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor的特点和特性，包括最大额定值、工作温度范围、热阻等信息。
FAIRCHILD FDN359AN N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 说明书 FDN359AN N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一种N沟道MOSFET。它具有低导通电阻和快的开关速度。适用于低压和电池供电的应用，在这些应用中需要低的线路损耗和快速的开关速度。
FAIRCHILD FDN359AN N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 说明书 FDN359AN 是Fairchild Semiconductor 生产的一款N沟道逻辑级 MOSFET，使用了该公司的先进 PowerTrench 工艺，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件非常适合低电压和电池供电应用，在这些应用中需要低线路功耗和快速开关。
FAIRCHILD FDN359BN N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET 说明书(1)(1) FDN359BN N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET，是一种采用 Fairchild 先进 PowerTrench 工艺生产的 N 沟道逻辑级 MOSFET，它特别定制以最小化开关状态电阻并保持卓越的开关性能。该器件非常适合低压和电池供电应用，在这些应用中，需要低线损和快速开关。
FAIRCHILD FDN359BN N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET 说明书(1) FDN359BN是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道逻辑级MOSFET，其最大额定电压为30V，最大额定电流为2.7A。
FAIRCHILD Single P-Channel PowerTrench TM MOSFET 说明书 FDN360P是Fairchild Semiconductor生产的一款P通道逻辑级MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于需要低直流损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
FAIRCHILD FDN361AN N-Channel, Logic Level, PowerTrench 说明书 (1) FDN361AN是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道逻辑级MOSFET，采用PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于DC/DC转换器、负载开关、电机驱动等应用。
