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FAIRCHILD FQPF9P25 250V P-Channel MOSFET 说明书(1)

FQPF9P25是一种250V P通道MOSFET。它具有低门控电荷（典型为29 nC）、低Crss（典型为27 pF）、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。

该文件是关于Fairchild Semiconductor International公司的FQS4410 QFET产品的介绍。该产品是一种单通道的N沟道增强型功率场效应晶体管，具有低电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力。适用于低压应用，如DC/DC转换器和便携式电池操作产品。

该文件是FQS4410的技术资料，介绍了该产品的特点特性。

FQS4900是Fairchild生产的一种双N和P通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术。这种先进的技术专门针对最小化开关状态电阻，提供卓越的开关性能，并承受雪崩和换流模式的高能脉冲。该器件非常适合电话机中的高接口。

这份文档介绍了Fairchild Semiconductor International公司生产的FQS4900 QFET系列N和P沟道增强型功率场效应晶体管。该系列产品采用了先进的DMOS技术，具有较低的导通电阻、优良的开关性能和能够承受高能脉冲的能力。适用于电话机等高接口应用。

本文件是关于QFET产品的技术资料。

该文件包含了关于鼎好公司的现货库存、技术资料、百科信息和热点资讯的内容。

该文档内容为鼎好公司的现货库存、技术资料、百科信息和热点资讯。文档中涉及的产品特点特性有：QFET。

该文件是关于鼎好公司的现货库存、技术资料、百科信息和热点资讯。文件中提到了QFET产品，并对其特点进行了介绍。

这是一篇关于FQT13N06 60V N-Channel MOSFET的文档，介绍了该产品的特点和特性，包括低电压应用、低电阻、高效能等。

FQT13N06L是飞兆半导体的60V LOGIC N-Channel MOSFET，具有低压降、低栅极电荷、低跨导、快速开关和改进的dv/dt能力等特点。

FQT2P25是一款250V P-Channel MOSFET，采用Fairchild的专有DMOS技术生产。该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲抗击穿和换流能力。适用于高效率开关DC/DC变换器。

FQT2P25是一款250V的P-Channel MOSFET，采用了Fairchild公司的专有DMOS技术。该器件具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力，非常适用于高效率开关式DC/DC转换器。

FQT3P20是一款200V P通道MOSFET，其特点是低导通电阻、高开关速度、低门极电荷和低Crss，适用于高效率开关DC/DC转换器。

这份文件介绍了FQT3P20型号的产品特点和特性，是一款200V的P-Channel MOSFET功率场效应晶体管，具有低通态电阻，优异的开关性能和耐高能量脉冲的能力。