FAIRCHILD FQPF70N08 说明书(1) 这份文件介绍了FQPF70N08型号的80V N-Channel MOSFET产品的特点和特性。该产品采用了Fairchild独有的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲的耐受能力。适用于低压应用，如汽车、高效率DC/DC转换器和直流电机控制。
FAIRCHILD FQPF70N10 说明书(1)(1) FQPF70N10是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用独有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC马达控制等低压应用。
FAIRCHILD FQPF70N10 说明书(1) FQPF70N10是飞思卡尔公司生产的一款100V N通道MOSFET，该器件具有低导通电阻、低门极电容、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特点，适用于音频放大、高效率开关DC/DC转换器、DC电机控制等低压应用。
FAIRCHILD FQPF7N10 说明书 FQPF7N10是Fairchild生产的一款100V N-Channel MOSFET，具有低门极电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温等特点。
FAIRCHILD FQPF7N10L 说明书 FQPF7N10L是Fairchild生产的N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。该器件适用于高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低电压应用场合。
FAIRCHILD FQPF7N10L 数据手册 FQPF7N10L是一款由Fairchild生产的N-通道增强型功率场效晶体管，采用平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关速度、高浪涌能量等特点，适用于高效率DC/DC转换器、DC电机控制等低压应用。
FAIRCHILD FQPF7N20L 说明书 FQPF7N20L是Fairchild生产的一款200V N-Channel MOSFET，其特点是低门极电容和低导通电阻，适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源和电机控制等应用。
FAIRCHILD FQPF7N40 说明书 (1) QFET QFET QFET QFET是鼎好电子自有的集成电路品牌。QFET QFET QFET QFET产品线涵盖MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、SiC JFET、SiC JBS、SiC PIN、GaN HEMT等产品，广泛应用于电动汽车、新能源、轨道交通、工控、5G通讯、光伏等领域。
FAIRCHILD FQPF7N60 说明书 FQPF7N60是Fairchild生产的一款600V N通道MOSFET，采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关、100%雪崩测试等特点。
FAIRCHILD FQPF7N60 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQPF7N60 是 Fairchild Semiconductor 生产的 600V 的 N 沟道 MOSFET，具有 4.3A 的最大连续电流，1.0 欧姆的典型开关电阻，29 nC 的典型栅极电荷，16 pF 的典型栅极电容，100% 的雪崩测试，改进的 dv/dt 能力。
FAIRCHILD FQP7N65C/FQPF7N65C 数据手册 FQP7N65C/FQPF7N65C是富士通生产的650V N通道MOSFET，具有低门极电荷、低漏极-源极电容、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力等特点。该器件适用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQP7N65C/FQPF7N65C 650V N-Channel MOSFET 说明书 这份文件介绍了FQP7N65C/FQPF7N65C型号的650V N沟道MOSFET的特点。它采用了Fairchild公司的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能以及在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲的能力。该器件适用于高效率开关电源、主动功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
